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公开(公告)号：CN113273165A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202080008033.4
申请日：2020-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04M1/02
Abstract: 一种电子装置包括：外壳，该外壳包括第一板、背对第一板的第二板以及围绕第一板和第二板之间的空间的侧构件；通过第一板的至少一部分可见的显示器；以及构成第二板的至少一部分的玻璃构造。玻璃构造包括：玻璃板，该玻璃板包括向外面对外壳的第一面和背对第一面的第二面；无机层，包括第一粗糙度并被构造在第一面上；第一聚合物层，设置在第一板和第二面之间；光学透明粘合剂(OCA)层，设置在第二面和第一聚合物层之间；以及第二聚合物层，设置在第一板和第一聚合物层之间并包括第三面和第四面。
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公开(公告)号：CN113226766A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980085085.9
申请日：2019-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据本公开的各种实施例，一种电子装置可包括：壳体、粘合层、第一装饰层和第二装饰层。所述壳体可包括：前板，面向第一方向；后板，面向与所述第一方向相反的第二方向；以及横向构件，包围所述前板与所述后板之间的空间。所述粘合层可与所述前板和所述后板中的一个结合。所述第一装饰层可包括第一形状固化层和第一颜色层，其中，所述第一形状固化层与所述粘合层结合，具有第一三维图案，并且通过外部刺激固化，并且其中，所述第一颜色层与所述第一形状固化层结合并且具有第一颜色。所述第二装饰层可包括第二形状固化层和第二颜色层，其中，所述第二形状固化层与所述第一颜色层结合，具有第二三维图案，并且通过外部刺激固化，并且其中，所述第二颜色层与所述第二形状固化层结合并且具有第二颜色。
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公开(公告)号：CN1037722C
公开(公告)日：1998-03-11
申请号：CN94103086.5
申请日：1994-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C17/00 , G11C11/419
CPC classification number: H01L27/115 , G11C17/123 , H01L27/112
Abstract: 公开了一种带有单位存储单元结构适用于高速操作和低电源电压的非易失性半导体存储器。该存储器包括其一端与相应位线相连的开关电路。该开关电路只在属于该开关电路的条被选择时才发送信号。带有与第一有源区不同浓度的第二有源区组成不同晶体管的源和漏区，第二有源区在存储条和位线被连接的位线接触区的衬底接触区处形成。第二有源区的杂质浓度低于第一有源区的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN1033344C
公开(公告)日：1996-11-20
申请号：CN94102724.4
申请日：1994-03-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C14/00
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C17/123
Abstract: 一种存储单元具有“与非”逻辑结构的非易失性半导体集成电路。一种非易失性半导体集成电路，其存储单元阵列由多个各个具有第1至第N个“与非”结构的存信单元晶体管组成，该存储器有多个与第一存储单元晶体管串联连接的第一串选择晶体管的多个与第N个存储单元晶体管串联连接的第二串选择晶体管相连接。其中一个与第1和第N个存储单元串联连接的串选择晶体管，其控制端子接一个接地点，从而具有地选择功能和串选择功能。
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公开(公告)号：CN1072528A
公开(公告)日：1993-05-26
申请号：CN92113235.2
申请日：1992-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C7/1048 , G11C7/12 , G11C7/22 , G11C8/18
Abstract: 一个带有地址转换探测电路的半导体存贮器，包括一个输入信号探测器100B。用以接收在输入缓冲器中被缓冲的外部输入信号，一个控制装置100C用以响应输入信号探测器的输出信号产生一个信号ΦPzd，控制一个读出放大器，一个补偿信号发生器100D，用以产生一个补偿信号SACS以通过接收输入信号探测器和控制装置的输出信号补偿一对二进制位线和/或数据输入输出线路。因此，二进制位线和/或数据输入/输出线路在读出放大器不工作期间总是被补偿的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1072040A
公开(公告)日：1993-05-12
申请号：CN92112534.8
申请日：1992-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C17/10 , H01L27/112
CPC classification number: G11C17/123 , H01L27/112
Abstract: 一与非型掩码只读存储器包含一串联连于比特线的耗尽型和增强型第一和第二字符串选择晶体管，且多个单元晶体管串联连接于字符串选择晶体管和接地电压端之间，其中增强型字符串选择晶体管的沟道长度长于耗尽型字符串选择晶体管，这样避免了漏电流进入未选的字符串。
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公开(公告)号：CN111727416B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201980013589.X
申请日：2019-02-14
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李炯坤
Abstract: 公开了一种窗玻璃。窗玻璃分成透明区域和不透明区域，不透明区域被形成为围绕透明区域的至少一部分。窗玻璃包括透明层和不透明层，不透明层通过堆叠在透明层的部分区域上以与不透明区域对应来形成不透明区域。透明层包括保护玻璃、第一透明层和第二透明层，保护玻璃形成窗玻璃的第一表面，第一透明层由通过UV光的照射而硬化的材料形成，第一透明层包括图案部分，该图案部分具有形成在与不透明区域对应的区域上的图案，第二透明层由光学各向同性材料形成并且形成在保护玻璃和第一透明层之间。不透明层形成在图案部分上，并且第一透明层的一部分和不透明层形成窗玻璃的第二表面。
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公开(公告)号：CN113226766B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201980085085.9
申请日：2019-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据本公开的各种实施例，一种电子装置可包括：壳体、粘合层、第一装饰层和第二装饰层。所述壳体可包括：前板，面向第一方向；后板，面向与所述第一方向相反的第二方向；以及横向构件，包围所述前板与所述后板之间的空间。所述粘合层可与所述前板和所述后板中的一个结合。所述第一装饰层可包括第一形状固化层和第一颜色层，其中，所述第一形状固化层与所述粘合层结合，具有第一三维图案，并且通过外部刺激固化，并且其中，所述第一颜色层与所述第一形状固化层结合并且具有第一颜色。所述第二装饰层可包括第二形状固化层和第二颜色层，其中，所述第二形状固化层与所述第一颜色层结合，具有第二三维图案，并且通过外部刺激固化，并且其中，所述第二颜色层与所述第二形状固化层结
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公开(公告)号：CN1096681C
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：CN95119733.9
申请日：1995-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/40
CPC classification number: G11C29/84
Abstract: 此处公开的是一种用来在处理过程中储存信息并带有在处理完成之后储存可替换故障存储单元的数据的信息的备用存储单元的半导体存储器件的冗余电路，其中若从外部输入指明故障存储单元的地址，则相应于此地址产生内部故障单元替换地址，致使储存在正常存储单元中的数据的读出截止，并对应于内部故障单元替换地址输出可替换故障数据的校正数据。
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公开(公告)号：CN1167988A
公开(公告)日：1997-12-17
申请号：CN96123885.2
申请日：1996-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C14/00
CPC classification number: G11C17/126 , G11C16/0491
Abstract: 半导体存储器，包括：沿行方向排列、通向读出放大器的多条主位线；位于存储体之间并通过第一组选择晶体管与主位线连接的第一组子位线；位于存储体和第一组子位线之间并通过第二组选择晶体管与公共地线连接的第二组子位线。
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