公开(公告)号：CN1051400C

公开(公告)日：2000-04-12

申请号：CN94115591.9

申请日：1994-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴仁善 ,  李明范 ,  洪昌基 ,  金昶圭 ,  郑佑仁

IPC: H01L21/00 ,  B44C1/22 ,  B05D3/06 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/402 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31608

Abstract: 一种形成电介质的方法，其中采用了其沉积速率随下层电极性而改变的介电材料，并对导电层和下层电介质进行表面处理以得到不同的电极性，从而利用介电材料在导电层上和在下层电介质上沉积速率的不同来形成电介质。为实行此方法，提供了一种在其基座和气体注入部分之间连接有直流电源的CVD设备。此方法及设备可在低温下运行而且工艺得到了简化，从而获得极好的整平性和沉积特性。