公开(公告)号：CN112530861A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010915052.7

申请日：2020-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李城门 ,  郭玟灿 ,  申宪宗 ,  郑涌植 ,  卢永昌 ,  李斗铉 ,  郑圣宪 ,  池祥源

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L27/02

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成有源区；在所述衬底上形成与所述有源区相交的栅极结构；去除所述栅极结构的上部并形成栅极覆层；形成电连接到所述有源区的一部分的初步接触插塞，所述初步接触插塞包括第一部分和第二部分；形成包括第一图案层和第二图案层的掩模图案层，所述第一图案层覆盖所述栅极覆层的上表面，所述第二图案层从所述第一图案层延伸以覆盖所述初步接触插塞的所述第二部分；以及使用所述掩模图案层作为蚀刻掩模，通过使所述初步接触插塞的被所述掩模图案层暴露的所述第一部分从所述初步接触插塞的上表面凹陷到预定深度，来形成接触插塞。

公开(公告)号：CN110783336A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910670044.8

申请日：2019-07-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄义澈 ,  金柱然 ,  罗炯柱 ,  徐凤锡 ,  俞尚旼 ,  郑主护 ,  李城门

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了一种半导体器件。该器件包括在衬底上沿第一方向延伸的有源图案，围绕有源图案的侧壁的一部分的场绝缘膜，在有源图案和场绝缘膜上沿第二方向延伸的第一栅结构，与第一栅结构间隔开并在有源图案和场绝缘膜上沿第二方向延伸的第二栅结构，以及第一栅结构与第一栅结构之间的第一器件隔离膜，其中第一栅结构的面向第一器件隔离膜的侧壁包括相对于有源图案的上表面具有锐角的倾斜表面，并且第一器件隔离膜的最下表面低于场绝缘膜的最上表面或与场绝缘膜的最上表面基本上共面。

公开(公告)号：CN110783336B

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN201910670044.8

申请日：2019-07-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄义澈 ,  金柱然 ,  罗炯柱 ,  徐凤锡 ,  俞尚旼 ,  郑主护 ,  李城门

IPC: H10D84/85 ,  H10D84/03

Abstract: 提供了一种半导体器件。该器件包括在衬底上沿第一方向延伸的有源图案，围绕有源图案的侧壁的一部分的场绝缘膜，在有源图案和场绝缘膜上沿第二方向延伸的第一栅结构，与第一栅结构间隔开并在有源图案和场绝缘膜上沿第二方向延伸的第二栅结构，以及第一栅结构与第一栅结构之间的第一器件隔离膜，其中第一栅结构的面向第一器件隔离膜的侧壁包括相对于有源图案的上表面具有锐角的倾斜表面，并且第一器件隔离膜的最下表面低于场绝缘膜的最上表面或与场绝缘膜的最上表面基本上共面。

公开(公告)号：CN110797339B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN201910640800.2

申请日：2019-07-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞尚旼 ,  金柱然 ,  罗炯柱 ,  徐凤锡 ,  郑主护 ,  黄义澈 ,  李城门

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/02 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一有源图案，所述第一有源图案沿第一方向纵长地延伸；第二有源图案，所述第二有源图案沿所述第一方向纵长地延伸并沿所述第一方向与所述第一有源图案间隔开。所述器件还包括位于所述第一有源图案与所述第二有源图案之间的场绝缘膜。所述场绝缘膜的上表面低于所述第一有源图案的上表面和所述第二有源图案的上表面或与所述第一有源图案的上表面和所述第二有源图案的上表面共面。所述器件还包括位于隔离沟槽中的元件隔离结构，所述隔离沟槽位于所述第一有源图案和所述场绝缘膜中。所述元件隔离结构的上表面高于所述第一有源图案的上表面和所述第二有源图案的上表面。

公开(公告)号：CN117673025A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311159755.1

申请日：2023-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金知雄 ,  金昊俊 ,  李城门 ,  车承珉

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 一种集成电路设备包括：介电层；在介电层的第一表面上的第一电力输送网络层；在介电层的第二表面上的第二电力输送网络层，其中，介电层的第二表面在垂直方向上与介电层的第一表面相对；以及在介电层的第一表面和第二表面之间的通孔电容器，其中，通孔电容器包括在第一水平方向和与第一水平方向相交的第二水平方向中的一个上彼此间隔开的第一通孔电极结构和第二通孔电极结构，并且通孔电容器的第一端部和与第一端部相对的第二端部分别电连接到第一电力输送网络层和第二电力输送网络层。

公开(公告)号：CN110620137B

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN201910106711.X

申请日：2019-02-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗炯柱 ,  金柱然 ,  徐凤锡 ,  俞尚旼 ,  郑主护 ,  黄义澈 ,  李城门

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种鳍式场效应晶体管包括在衬底上沿第一方向延伸的第一鳍和沿第一方向延伸并在第一方向上与第一鳍间隔开的第二鳍。第三鳍提供有比第一鳍和第二鳍的长边短的长边并设置在第一鳍与第二鳍之间。第一栅极结构沿与第一方向不同的第二方向延伸并横跨第一鳍。器件隔离层设置在第一鳍、第二鳍和第三鳍的每个的下侧壁上并形成为沿第一方向延伸。电绝缘的扩散中断区包括横跨在第一鳍与第三鳍之间的第一部分、横跨在第二鳍与第三鳍之间的第二部分和在第三鳍上设置于第一部分与第二部分之间的第三部分。扩散中断区在器件隔离层上沿第二方向延伸。第三部分的下表面的水平高于第一部分和第二部分的每个的下端的水平且低于第一栅极结构的上表面的水平。

公开(公告)号：CN110970486A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910752340.2

申请日：2019-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞尚旼 ,  金柄成 ,  金柱然 ,  徐凤锡 ,  罗炯柱 ,  李城门 ,  郑主护 ,  黄义澈

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件可以包括：有源鳍，每个所述有源鳍在衬底上沿第一方向延伸，所述有源鳍在不同于所述第一方向的第二方向上彼此间隔开；导电结构，所述导电结构在所述衬底上沿所述第二方向延伸，并且与所述有源鳍接触；第一扩散中断图案，所述第一扩散中断图案在所述衬底与所述导电结构之间，并且将所述有源鳍的第一有源鳍分割为沿所述第一方向对齐的多个部分；以及第二扩散中断图案，所述第二扩散中断图案与所述衬底上的所述导电结构相邻，所述第二扩散中断图案的上表面高于所述导电结构的下表面，并且所述第二扩散中断图案将所述有源鳍的第二有源鳍分割为沿所述第一方向对齐的多个部分。

公开(公告)号：CN110970433A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910891256.9

申请日：2019-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞尚旼 ,  金柱然 ,  罗炯住 ,  徐凤锡 ,  郑主护 ,  黄义澈 ,  李城门

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了半导体器件。半导体器件包括：衬底，其包括有源图案；栅电极，其在第一方向上延伸并且与在第二方向上延伸的有源图案相交；分离结构，其与有源图案相交并且在第一方向上延伸；第一栅极介电图案，其设置在栅电极的侧表面上；第二栅极介电图案，其设置在分离结构的侧表面上；和栅极封盖图案，其覆盖栅电极的顶表面。分离结构的顶表面的水平高度高于栅极封盖图案的顶表面的水平高度。

公开(公告)号：CN110797339A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201910640800.2

申请日：2019-07-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞尚旼 ,  金柱然 ,  罗炯柱 ,  徐凤锡 ,  郑主护 ,  黄义澈 ,  李城门

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/02 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一有源图案，所述第一有源图案沿第一方向纵长地延伸；第二有源图案，所述第二有源图案沿所述第一方向纵长地延伸并沿所述第一方向与所述第一有源图案间隔开。所述器件还包括位于所述第一有源图案与所述第二有源图案之间的场绝缘膜。所述场绝缘膜的上表面低于所述第一有源图案的上表面和所述第二有源图案的上表面或与所述第一有源图案的上表面和所述第二有源图案的上表面共面。所述器件还包括位于隔离沟槽中的元件隔离结构，所述隔离沟槽位于所述第一有源图案和所述场绝缘膜中。所述元件隔离结构的上表面高于所述第一有源图案的上表面和所述第二有源图案的上表面。