公开(公告)号：CN116314218A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211601877.7

申请日：2022-12-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李元奭

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开涉及图像传感器和/或用于制造图像传感器的方法。该图像传感器可以包括：基板，包括第一表面、与第一表面相反的第二表面以及在基板中的多个单位像素区；像素限定图案；和微透镜。多个单位像素区中的每个可以包括光电转换层。像素限定图案可以在第一方向上延伸穿过基板，从而限定每个单位像素区。微透镜可以在基板的第二表面上并对应于单位像素区。像素限定图案可以包括第一导电层和与第一导电层间隔开的第二导电层。

公开(公告)号：CN116110952A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211407805.9

申请日：2022-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈暎究 ,  安正言卓 ,  李元奭

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L27/146

Abstract: 公开了一种半导体器件和一种图像传感器，该半导体器件包括：衬底；衬底上的栅极结构，其包括平行于第一方向延伸并且在第二方向上彼此间隔开的第一侧和第二侧以及平行于第二方向延伸的第三侧；以及多个源极/漏极区，其包括在第二方向上彼此间隔开的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区，以及在第一方向上与第一源极/漏极区和第二源极/漏极区中的至少一个间隔开的第三源极/漏极区，第一源极/漏极区和第二源极/漏极区分别与第一侧和第二侧重叠，第三源极/漏极区与第一侧和第三侧之一重叠，并且施加至第一源极/漏极区和第二源极/漏极区的电压和施加至第三源极/漏极区的电压基于它们各自彼此不同的值进行操作。

公开(公告)号：CN102290105A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110056113.X

申请日：2011-03-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹翔镛 ,  朴起台 ,  韩真晚 ,  李元奭

IPC: G11C16/10

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5628 ,  G11C14/0018 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/26 ,  G11C2211/5641 ,  G11C2211/5642 ,  G11C2211/5643

Abstract: 一种数据存储设备包括：包括存储单元阵列的非易失性存储器件；和包括缓冲存储器并控制该非易失性存储器件的存储器控制器。该数据存储设备的操作方法包括：根据外部请求将数据存储在缓冲存储器中，并确定存储在该缓冲存储器中的数据是否是伴随该存储单元阵列的缓冲器编程操作的数据。当存储在该缓冲存储器中的数据是伴随该缓冲器编程操作的数据时，该方法还包括确定是否需要对该存储单元阵列的主编程操作，以及当需要对存储单元阵列的主编程操作时，确定对该存储单元阵列的主编程操作的编程模式。该方法还包括基于确定的编程模式向该多位存储器件发出用于对该存储单元阵列的主编程操作的命令的集合。

公开(公告)号：CN116705810A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310180993.4

申请日：2023-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑海旭 ,  李元奭 ,  李旼哲 ,  伊藤真路

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：半导体基底，包括彼此相对的第一表面和第二表面；光电转换区，位于半导体基底中；垂直传输栅极，从第一表面朝向光电转换区延伸到半导体基底中；浮置扩散区，设置在半导体基底中，与垂直传输栅极间隔开，并且为n型杂质区；以及第二杂质区，设置在垂直传输栅极与浮置扩散区之间，并且为p型杂质区。

公开(公告)号：CN102290105B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201110056113.X

申请日：2011-03-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹翔镛 ,  朴起台 ,  韩真晚 ,  李元奭

IPC: G11C16/10

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5628 ,  G11C14/0018 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/26 ,  G11C2211/5641 ,  G11C2211/5642 ,  G11C2211/5643

Abstract: 一种数据存储设备包括：包括存储单元阵列的非易失性存储器件；和包括缓冲存储器并控制该非易失性存储器件的存储器控制器。该数据存储设备的操作方法包括：根据外部请求将数据存储在缓冲存储器中，并确定存储在该缓冲存储器中的数据是否是伴随该存储单元阵列的缓冲器编程操作的数据。当存储在该缓冲存储器中的数据是伴随该缓冲器编程操作的数据时，该方法还包括确定是否需要对该存储单元阵列的主编程操作，以及当需要对存储单元阵列的主编程操作时，确定对该存储单元阵列的主编程操作的编程模式。该方法还包括基于确定的编程模式向该多位存储器件发出用于对该存储单元阵列的主编程操作的命令的集合。

公开(公告)号：CN103778959A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310502766.5

申请日：2013-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李元奭 ,  尹恩振 ,  文荣国 ,  黄成植 ,  孙东贤

IPC: G11C16/02 ,  G06F12/16

CPC classification number: G11C16/22 ,  G11C7/06 ,  G11C7/20 ,  G11C8/20

Abstract: 本发明提供了数据存储设备、控制器以及数据存储设备的操作方法。非易失性存储器包括：存储单元阵列，包括多个非易失性存储单元；解码器，通过多个字线与存储单元阵列连接；数据输入/输出电路，通过多个位线与存储单元阵列连接；电压检测器，被配置成检测电源电压的变化以输出电压变化信号；以及控制逻辑，被配置成控制解码器和数据输入/输出电路从而响应于电压变化信号使存储在存储单元阵列中的数据无效。

公开(公告)号：CN101004947A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200610064301.6

申请日：2006-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵栢衡 ,  徐钟洙 ,  李元奭

IPC: G11C11/56

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/79

Abstract: 一种相变存储器件包括：具有相变材料的存储单元；将逐级下降的置位电流提供给存储单元的写驱动器，其中逐级下降的置位电流包括多级连续减小的电流幅值；和控制写驱动器提供逐级下降的置位电流的持续时间的置位编程控制电路。