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公开(公告)号：CN114600041B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202080073820.7
申请日：2020-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/13357 , G02F1/1333
Abstract: 一种显示装置，所述显示装置包括：后机架；光源模块，安装在所述后机架上，所述光源模块被配置为发射光；漫射板，设置在所述光源模块的前面，所述漫射板被配置为漫射由所述光源模块发射的光；液晶面板，设置在所述漫射板的前面，所述液晶面板被配置为显示图像；前机架，覆盖所述液晶面板的侧表面和所述漫射板的侧表面；中间模制部，设置在所述前机架和所述后机架之间，所述中间模制部结合到所述后机架和所述漫射板；以及第一粘合部，设置在所述漫射板和所述中间模制部之间，所述第一粘合部将所述漫射板粘结到所述中间模制部。
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公开(公告)号：CN108110100B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN201711192036.4
申请日：2017-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光装置和一种制造半导体发光装置的方法，所述装置包括：包括多个V形凹陷的第一导电半导体层；第一导电半导体层上的有源层，其沿着所述多个V形凹陷的形状；有源层上的第二导电半导体层；第二导电半导体层上的助反射层；以及助反射层上的反射层，其中，第二导电半导体层的厚度为45nm至100nm。
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公开(公告)号：CN114600041A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202080073820.7
申请日：2020-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/13357 , G02F1/1333
Abstract: 一种显示装置，所述显示装置包括：后机架；光源模块，安装在所述后机架上，所述光源模块被配置为发射光；漫射板，设置在所述光源模块的前面，所述漫射板被配置为漫射由所述光源模块发射的光；液晶面板，设置在所述漫射板的前面，所述液晶面板被配置为显示图像；前机架，覆盖所述液晶面板的侧表面和所述漫射板的侧表面；中间模制部，设置在所述前机架和所述后机架之间，所述中间模制部结合到所述后机架和所述漫射板；以及第一粘合部，设置在所述漫射板和所述中间模制部之间，所述第一粘合部将所述漫射板粘结到所述中间模制部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105489715B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201510612160.6
申请日：2015-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供了一种制造半导体发光器件的方法，包括：形成第一导电类型的半导体层；通过在第一导电类型的半导体层上交替地形成多个量子阱层和多个量子势垒层来形成有源层；以及在有源层上形成第二导电类型的半导体层。所述多个量子势垒层包括邻近第一导电类型的半导体层的至少一个第一量子势垒层和邻近第二导电类型的半导体层的至少一个第二量子势垒层。有源层的形成包括：允许在第一温度下生长所述至少一个第一量子势垒层；以及允许在低于第一温度的第二温度下生长所述至少一个第二量子势垒层。本发明还提供了一种发光模块和一种照明设备。
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公开(公告)号：CN107180895A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710048782.X
申请日：2017-01-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/0062 , H01L33/0095 , H01L33/025 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/305 , H01L33/325
Abstract: 可以制造的发光器件包括：在衬底上的包括第一掺杂剂的n型半导体层、在n型半导体层上的有源层以及在有源层上的包括第二掺杂剂的p型半导体层。可以根据第一成层工艺和第二成层工艺中的至少一个来形成发光器件。第一成层工艺可以包括：根据离子注入工艺将第一掺杂剂注入n型半导体层，并且第二成层工艺可以包括根据离子注入工艺将第二掺杂剂注入p型半导体层中。形成包括离子注入的掺杂剂在内的半导体层可以包括在离子注入之后对半导体层进行热退火。p型半导体层可以包括浓度为约1×1017原子/cm3至约1×1018原子/cm3的镁‑氢(Mg‑H)复合物。
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公开(公告)号：CN101279497B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN200810080580.4
申请日：2008-02-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B29C45/16 , B29C45/0053 , B29C45/062 , B29C2045/0079 , B29C2045/14737
Abstract: 本发明公开一种包含印刷装置的注射成型系统及利用该系统的注射成型方法，所述印刷装置在注射成型品的成型阶段被用于进行印刷。本发明所提供的注射成型系统包含用于限定形成注射成型品的成型空间的第一及第二模具和用于当注射成型空间被开放、注射成型品的一面固定于第一模具的状态下对注射成型品的另一面进行印刷的印刷装置。
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公开(公告)号：CN101650362A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200910150959.2
申请日：2009-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01N33/48
CPC classification number: B01L3/502707 , B01L2200/12 , B01L2300/0803 , B01L2300/0887 , B29C45/0062 , B29C65/1435 , B29C65/4815 , B29C65/54 , B29C65/542 , B29C66/5432 , B29C66/8322 , B29L2031/7728 , Y10T156/10
Abstract: 本发明公开了一种流体分析器、用于提供流体分析的结合体及其制造方法，所述结合体具有改进的结构。所述结合体包括多个构件以及形成在所示结合体的内部并充满粘合剂树脂以形成结合物的粘合剂通道。所述构件通过结合物被互相粘合，从而提高被粘合的构件之间的结合强度。
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公开(公告)号：CN101279497A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810080580.4
申请日：2008-02-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B29C45/16 , B29C45/0053 , B29C45/062 , B29C2045/0079 , B29C2045/14737
Abstract: 本发明公开一种包含印刷装置的注射成型系统及利用该系统的注射成型方法，所述印刷装置在注射成型品的成型阶段被用于进行印刷。本发明所提供的注射成型系统包含用于限定形成注射成型品的成型空间的第一及第二模具和用于当注射成型空间被开放、注射成型品的一面固定于第一模具的状态下对注射成型品的另一面进行印刷的印刷装置。
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