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公开(公告)号：CN110347611A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910193535.8
申请日：2019-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种存储器系统和存储器系统的操作方法。所述存储器系统包括：处理器，包括多个核和存储器控制器；第一半导体存储器模块，与存储器控制器通信。所述多个核响应于在存储器控制器从第一半导体存储器模块读取第一数据时检测到第一错误，接收用于执行第一异常处理的调用。所述多个核的第一主核执行第一异常处理，并且所述多个核的剩余核返回至先前执行的剩余操作。
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公开(公告)号：CN105573665A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510728010.1
申请日：2015-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 公开了用于减少固件更新时间的数据存储装置和方法及包括该装置的数据处理系统。用于减少固件更新时间的数据存储装置包括：非易失性存储器，被配置成存储将要替代当前固件映像的固件更新映像；第一易失性存储器；以及处理器，被配置成控制非易失性存储器的操作和第一易失性存储器的操作。当由处理器执行当前固件映像中包括的第一代码时，第一代码产生数据存储装置的操作所需要的数据并且将该数据存储在第一易失性存储器中。当由第一代码执行固件更新映像中包括的第二代码时，第二代码访问并使用已经存储在第一易失性存储器中的数据。
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公开(公告)号：CN101661473B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN200810154763.6
申请日：2008-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F3/0644 , G06F3/061 , G06F3/0679
Abstract: 在一个方面，确定固态存储器的分区元数据是否已经被改变，如果被改变，则分析该分区元数据以定位存储在该固态存储器中的无效数据。该分析可以包括：确定分区的文件系统类型已经被改变，以及响应于被改变的文件系统类型而使数据无效。另一方面，或者另外，该分析可以包括确定分区已经被改变，以及响应被改变的分区而使数据无效。
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公开(公告)号：CN101673581B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN200910205766.2
申请日：2009-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02
CPC classification number: G11C11/5628 , G06F12/0246 , G06F2212/7201 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/3418 , G11C16/3431 , G11C29/00 , G11C2211/5621 , Y02D10/13
Abstract: 提供一种带有处理器、主存储器和闪存的存储器系统。通过获得加速和高的数据可靠性可提高存储器系统的性能。存储器系统包括非易失性存储器设备和用于驱动控制程序来控制非易失性存储器设备的控制器。即使在对非易失性存储器设备的第一存取操作完成之前，控制程序也执行对于非易失性存储器设备的第二存取操作。
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公开(公告)号：CN101369451A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810108579.8
申请日：2008-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F3/0605 , G06F3/0604 , G06F3/0647 , G06F3/0649 , G06F3/0658 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F12/0246 , G06F12/08 , G06F2003/0697 , G06F2212/7202 , G11C11/56 , G11C16/10
Abstract: 在一方面中，数据被存储在包含第一和第二存储器层的固态存储器中。执行第一评估以确定所接收数据是热数据还是冷数据。将在所述第一评估期间被评估为热数据的所接收数据存储在所述第一存储器层中，以及将在所述第一评估期间被首先评估为冷数据的所接收数据存储在所述第二存储器层中。此外，执行第二评估以确定在所述第一存储器层中存储的数据是热数据还是冷数据。将在所述第二评估期间然后被评估为冷数据的数据从所述第一存储器层迁移到所述第二存储器层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1728114A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510087315.5
申请日：2005-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/12
CPC classification number: G06F12/123 , G06F12/08 , G06F2212/2022 , Y02D10/13
Abstract: 提供一种页替换方法。该页替换方法包括以下步骤：(a)建立第一页列表，在该页列表中，主存储器中的多个页以它们已经被使用的顺序被列出；(b)建立第二页列表，在该页列表中，其图像被存储在存储介质中的主存储器中的页以它们已经被使用的顺序被列出；和(c)将从存储介质下载的数据以与相应页在第二页列表中被列出的顺序相反的顺序存储在包括在第二页列表中的页中。
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公开(公告)号：CN1497462A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN03153813.4
申请日：2003-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F13/38
CPC classification number: G06F9/4406
Abstract: 本发明说明了一种利用快闪存储器引导的系统和引导所述系统的方法。所述系统包括：快闪存储器，包括数据寄存器、引导处理程序代码和引导加载程序代码、引导程序代码和OS代码，其中，当向系统加电时，快闪存储器将引导处理程序代码和引导加载代码载入数据寄存器；系统存储器；中央处理单元，通过执行引导处理程序代码来将在数据寄存器中的引导加载代码载入系统存储器，随后通过执行引导加载程序代码将引导程序代码和OS代码载入系统存储器。因此，因为不需要特定的控制逻辑电路或诸如ROM的附加存储器来用于将快闪存储器用作引导存储器，因此可以降低设计所需要的时间和系统成本。
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公开(公告)号：CN110047543B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201811548865.6
申请日：2018-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器件及其操作方法和存储系统。所述非易失性存储器件包括：存储单元阵列，其包括多个非易失性存储单元；页缓冲器电路，其通过多个位线连接到存储单元阵列；计算电路，其配置为基于具有第一尺寸的计算窗口来执行对信息比特和权重比特的计算，信息比特和权重比特包括在用户数据集中，存储单元阵列配置为存储所述用户数据集，计算电路还配置为通过页缓冲器电路接收所述用户数据集；以及数据输入/输出电路，其连接到计算电路，其中，计算电路还配置为响应于计算电路完成对所有信息比特和权重比特的计算，向数据输入/输出电路提供输出数据集，并且其中，所述输出数据集对应于完成计算的结果。
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公开(公告)号：CN114863969A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202111204990.7
申请日：2021-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/4063
Abstract: 提供一种跳过刷新操作的存储器件及其操作方法。所述存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括N个行；刷新控制器，所述刷新控制器被配置为基于刷新命令控制针对所述存储单元阵列的所述N个行的刷新操作；以及访问信息存储电路，所述访问信息存储电路包括多个寄存器，所述多个寄存器被配置为存储与所述N个行中的每一行对应的标志信息，其中，所述标志信息在具有第一值时指示已被访问的行，并且在具有第二值时指示未被访问的行。所述刷新控制器进一步被配置为：基于与所述第一行对应的所述标志信息，控制是否在针对所述第一行的刷新定时针对所述N个行中的第一行执行刷新操作。
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