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公开(公告)号：CN115878367A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211115689.3
申请日：2022-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器模块的操作方法和存储器控制器的操作方法，所述存储器控制器被配置为：控制包括多个存储器装置和至少一个纠错码(ECC)装置的存储器模块。所述存储器控制器的操作方法包括：基于读取命令和第一地址，读取包括存储在所述多个存储器装置中的用户数据和存储在所述至少一个ECC装置中的ECC数据的数据集；以及当用户数据的错误未基于ECC数据被纠正时，将不可纠正数据写入存储区域中，存储区域被包括在所述多个存储器装置和所述至少一个ECC装置中的每个中并且与第一地址对应。
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公开(公告)号：CN110874810B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN201910535301.7
申请日：2019-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种电子设备，包括图形处理器和存储器件。图形处理器包括人工神经网络引擎，人工神经网络引擎通过使用学习数据和权重使对象识别模型学习以提供学习后的对象识别模型。存储器件将特征向量划分为第一子特征向量和第二子特征向量，并且执行第一计算以将第二子特征向量和权重应用于学习后的对象识别模型来提供第二对象识别结果。人工神经网络引擎执行第二计算以将第一子特征向量和权重应用于学习后的对象识别模型来提供第一对象识别结果，并且将第一对象识别结果提供给存储器件。第二计算与第一计算并行执行。
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公开(公告)号：CN111090387B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201910952640.5
申请日：2019-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 提供了存储模块、操作其的方法以及操作控制其的主机的方法。所述存储模块包括动态随机存取存储器(DRAM)装置、非易失性存储器装置和高速缓冲存储器。操作所述存储模块的方法包括：响应于外部设备进入页面故障模式，将存储在所述非易失性存储器装置中的目标数据复制到所述高速缓冲存储器；从所述外部设备接收第一刷新命令；以及响应于所述第一刷新命令，在第一刷新参考时间内执行与所述DRAM装置相关联的第一刷新操作，并且将复制到所述高速缓冲存储器的所述目标数据移动到所述DRAM装置。
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公开(公告)号：CN118782109A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202311739173.0
申请日：2023-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及包括均具有多个存储单元的多个行的存储器件及其操作方法。一种示例方法包括：从存储器控制器接收第一行的激活命令；从所述第一行的每行锤击跟踪(PRHT)区域读取第一计数；更新所述第一计数以生成第一更新计数；将所述第一更新计数与第一阈值和第二阈值之一进行比较以生成比较结果，其中，当所述第一行是与给定行相邻的行时将所述第一更新计数与所述第一阈值进行比较，而当所述第一行不与所述给定行相邻时将所述第一更新计数与所述第二阈值进行比较；基于所述比较结果输出目标行地址；以及对与所述目标行地址相对应的行执行行锤击缓解操作。
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公开(公告)号：CN111090387A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201910952640.5
申请日：2019-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 提供了存储模块、操作其的方法以及操作控制其的主机的方法。所述存储模块包括动态随机存取存储器(DRAM)装置、非易失性存储器装置和高速缓冲存储器。操作所述存储模块的方法包括：响应于外部设备进入页面故障模式，将存储在所述非易失性存储器装置中的目标数据复制到所述高速缓冲存储器；从所述外部设备接收第一刷新命令；以及响应于所述第一刷新命令，在第一刷新参考时间内执行与所述DRAM装置相关联的第一刷新操作，并且将复制到所述高速缓冲存储器的所述目标数据移动到所述DRAM装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110308869A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910231779.0
申请日：2019-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 公开一种存储器系统、存储器模块以及操作存储器模块的方法。所述存储器系统包括：非易失性存储器模块；第一控制器，被配置为控制非易失性存储器模块。非易失性存储器模块包括：易失性存储器装置；非易失性存储器装置；第二控制器，被配置为控制易失性存储器装置和非易失性存储器装置。第一控制器可被配置为将读取请求发送到第二控制器。当在根据所述读取请求的读取操作期间从非易失性存储器装置没有接收到正常数据时，第一控制器可对第二控制器执行所述读取请求的一次或多次重新发送，而不限制第一控制器执行所述读取请求的一次或多次重新发送的次数。
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公开(公告)号：CN110308869B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN201910231779.0
申请日：2019-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 公开一种存储器系统、存储器模块以及操作存储器模块的方法。所述存储器系统包括：非易失性存储器模块；第一控制器，被配置为控制非易失性存储器模块。非易失性存储器模块包括：易失性存储器装置；非易失性存储器装置；第二控制器，被配置为控制易失性存储器装置和非易失性存储器装置。第一控制器可被配置为将读取请求发送到第二控制器。当在根据所述读取请求的读取操作期间从非易失性存储器装置没有接收到正常数据时，第一控制器可对第二控制器执行所述读取请求的一次或多次重新发送，而不限制第一控制器执行所述读取请求的一次或多次重新发送的次数。
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公开(公告)号：CN116069548A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211132879.6
申请日：2022-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供存储器装置、存储器模块和存储器控制器的操作方法。存储器装置包括：存储器单元阵列包括存储数据的正常区域和存储数据的奇偶校验位的奇偶校验区域；以及纠错码(ECC)引擎。ECC引擎被配置为基于第一数据和奇偶校验位确定第一数据中是否存在错误，并且响应于从存储器控制器接收到不纠正读取命令，输出处于第一数据中的错误位未被纠正的状态的第二数据。
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公开(公告)号：CN116991753A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310484622.5
申请日：2023-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储装置、用于存储装置的操作方法和存储控制器。所述存储装置包括：存储单元阵列；和命令/地址译码器，包括缓冲存储器、被配置为对命令/地址信息进行译码的第一译码逻辑电路和被配置为对地址表进行译码的第二译码逻辑电路。命令/地址译码器被配置为：通过第一译码逻辑电路对从存储控制器接收的第一命令进行译码以获得表同步命令，通过第二译码逻辑电路对自接收到第一命令起预定义时延之后从存储控制器接收到的数据进行译码以获得地址表，将地址表存储在缓冲存储器中，通过第一译码逻辑电路对从存储控制器接收的第二命令进行译码，以获得基于表的命令和与地址表相关联的索引信息，和对与索引信息相对应的地址执行基于表的命令。
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