公开(公告)号：CN110931466A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201910312232.3

申请日：2019-04-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文瑄敏 ,  金洙焕 ,  金铉埈 ,  朴成律 ,  朴瑛琳 ,  蒋在完

IPC: H01L23/64

Abstract: 本公开提供了集成电路器件及其制造方法。在集成电路器件的电容器中，电介质结构包括通过氧化电极的表面获得的结晶诱导膜以及形成在结晶诱导膜上的电介质膜，以减少电介质膜中产生的缺陷密度，改善泄漏电流，并减小等效氧化物厚度。

公开(公告)号：CN110504241A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910121511.1

申请日：2019-02-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴瑛琳 ,  文瑄敏 ,  郑昌和 ,  朴影根 ,  徐钟汎 ,  曹圭镐

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/67

Abstract: 集成电路(IC)器件包括电极、面向电极的介电层、以及介于电极和介电层之间并包括第一金属的多个界面层。多个界面层包括第一界面层和第二界面层。第一界面层的氧含量不同于第二界面层的氧含量。

公开(公告)号：CN101794735B

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN200910259030.3

申请日：2009-12-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴瑛琳 ,  安亨根 ,  吴圭焕 ,  安东浩 ,  李琎一

IPC: H01L21/8229 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/768 ,  H01L27/24 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L21/76816 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明提供了形成接触结构的方法以及使用该接触结构制造的半导体器件。接触结构的形成可以包括在衬底上形成第一成型图案，形成绝缘层以至少覆盖第一成型图案的侧壁，形成第二成型图案以覆盖绝缘层的侧壁并且与第一成型图案隔开，移除第一和第二成型图案之间的绝缘层的部分以形成孔，以及在第一和第二成型图案之间形成绝缘图案，以及在孔中形成接触图案。

公开(公告)号：CN102104111A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201010562707.3

申请日：2010-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴瑛琳 ,  李琎一 ,  安东浩 ,  李始炯 ,  吴圭焕

IPC: H01L45/00 ,  C23C16/44 ,  C23C16/34

CPC classification number: H01L45/1233 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

Abstract: 本发明提供一种形成可变电阻存储器件的电极的方法和使用该方法的可变电阻半导体存储器件。该方法包括：形成加热电极；在该加热电极上形成可变电阻材料层；以及在该可变电阻材料层上形成顶电极，其中该加热电极包括金属的氮化物，所述金属的原子半径大于钛的原子半径，且所述加热电极通过热化学气相沉积方法形成而没有使用等离子体。

公开(公告)号：CN120076323A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202510379978.1

申请日：2020-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴瑛琳 ,  安世衡 ,  姜相列 ,  安敞茂 ,  郑圭镐

IPC: H10B12/00 ,  H10D1/68

Abstract: 本公开涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：在衬底上的着落焊盘；在着落焊盘上并连接到着落焊盘的下电极，该下电极包括外部分和在外部分内部的内部分，该外部分包括第一区域和第二区域；在下电极上以沿着外部分的第一区域延伸的电介质膜；以及在电介质膜上的上电极，其中下电极的外部分包括金属掺杂剂，外部分的第一区域中的金属掺杂剂的浓度不同于外部分的第二区域中的金属掺杂剂的浓度。

公开(公告)号：CN110504241B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN201910121511.1

申请日：2019-02-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴瑛琳 ,  文瑄敏 ,  郑昌和 ,  朴影根 ,  徐钟汎 ,  曹圭镐

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/67

Abstract: 集成电路(IC)器件包括电极、面向电极的介电层、以及介于电极和介电层之间并包括第一金属的多个界面层。多个界面层包括第一界面层和第二界面层。第一界面层的氧含量不同于第二界面层的氧含量。

公开(公告)号：CN117015240A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310486458.1

申请日：2023-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡志旼 ,  朴瑛琳 ,  申东珉 ,  林载顺

IPC: H10B12/00

Abstract: 公开了一种制造电容器的方法以及使用该电容器制造DRAM元件的方法。该制造电容器的方法包括：形成包括第一金属的下电极；形成支撑层图案，支撑层图案将下电极的外侧壁彼此连接；在下电极和支撑层图案上形成第一界面层，第一界面层包括具有导电性的第一金属氧化物；在第一界面层上形成第二界面层，第二界面层包括具有导电性的第二金属氧化物；使第二界面层中包括的第二金属扩散到下电极表面，以在下电极表面上形成至少包括第一金属和第二金属的第一界面结构，其中，第一界面层和第二界面层被转换为第二界面结构；通过蚀刻工艺至少完全去除形成在支撑层图案上的第二界面结构；在第一界面结构和支撑层图案上形成介电层；以及在介电层上形成上电极。

公开(公告)号：CN109841622B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN201810936865.7

申请日：2018-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹圭镐 ,  姜相列 ,  文瑄敏 ,  朴瑛琳 ,  徐钟泛

IPC: H10B12/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件。所述半导体存储器件包括位于衬底上的第一电极、位于衬底上的第二电极、位于第一电极与第二电极之间的介电层结构以及位于介电层结构与第一电极之间的结晶诱导层。介电层结构包括第一介电层和位于第一介电层上的第二介电层，第一介电层包括第一介电材料，第二介电层包括第二介电材料。

公开(公告)号：CN113964269A

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN202111189869.1

申请日：2018-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹圭镐 ,  姜相列 ,  金洙焕 ,  文瑄敏 ,  朴瑛琳 ,  徐钟汎 ,  全柱炫

IPC: H01L49/02

Abstract: 电容器包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；电介质层，设置在第一电极和第二电极之间，电介质层包括铪和锆中至少之一；第一插入层，设置在第一电极和电介质层之间；以及第二插入层，设置在电介质层和第二电极之间。第一插入层包括与形成电介质层的铪或锆不同的第一导电材料。第二插入层包括与形成电介质层的铪或锆不同的第二导电材料。第一导电材料和第二导电材料各自的晶格常数与电介质层的电介质材料的水平晶格常数具有2％或更小的晶格失配。

公开(公告)号：CN112750833A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011169193.5

申请日：2020-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安敞茂 ,  姜相列 ,  朴瑛琳 ,  徐钟汎 ,  安世衡

IPC: H01L27/108 ,  H01L49/02

Abstract: 公开了一种半导体装置。半导体装置包括：接地垫，位于基底上；下电极，位于接地垫上，下电极电连接到接地垫；介电层，位于下电极上，介电层沿下电极的轮廓延伸；上电极，位于介电层上；以及上板电极，位于上电极上并在其中包括第一氟(F)，其中，上板电极包括面对上电极的界面，并且其中，上板电极包括第一氟的浓度随着距上板电极的所述界面的距离增大而减小的部分。