公开(公告)号：CN113130750A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202011517369.1

申请日：2020-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴成律 ,  蒋在完 ,  金洙焕 ,  金铉埈

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 公开了电容器结构及其形成方法以及半导体装置及其制造方法。所述电容器结构可以包括位于基底上的下电极、位于基底上的介电层以及位于介电层上的上电极。下电极可以包括具有化学式M1Ny(M1是第一金属，y是正实数)的金属氮化物。介电层可以包括金属氧化物和氮(N)，金属氧化物具有化学式M2Ox(M2是第二金属，x是正实数)。介电层中的氮(N)的检测量的最大值可以比下电极中的氮(N)的检测量的最大值大。

公开(公告)号：CN110931466B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201910312232.3

申请日：2019-04-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文瑄敏 ,  金洙焕 ,  金铉埈 ,  朴成律 ,  朴瑛琳 ,  蒋在完

IPC: H01L23/64

Abstract: 本公开提供了集成电路器件及其制造方法。在集成电路器件的电容器中，电介质结构包括通过氧化电极的表面获得的结晶诱导膜以及形成在结晶诱导膜上的电介质膜，以减少电介质膜中产生的缺陷密度，改善泄漏电流，并减小等效氧化物厚度。

公开(公告)号：CN110931466A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201910312232.3

申请日：2019-04-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文瑄敏 ,  金洙焕 ,  金铉埈 ,  朴成律 ,  朴瑛琳 ,  蒋在完

IPC: H01L23/64

Abstract: 本公开提供了集成电路器件及其制造方法。在集成电路器件的电容器中，电介质结构包括通过氧化电极的表面获得的结晶诱导膜以及形成在结晶诱导膜上的电介质膜，以减少电介质膜中产生的缺陷密度，改善泄漏电流，并减小等效氧化物厚度。