公开(公告)号：CN1130761C

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN98106601.1

申请日：1998-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣善 ,  金景勋 ,  元晳俊 ,  南甲镇 ,  金荣敏 ,  金荣大 ,  朴泳旭 ,  李承恒 ,  李相协 ,  沈世镇 ,  陈裕赞 ,  文周泰 ,  崔珍爽

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/84 ,  Y10S438/964

Abstract: 形成集成电路电容器的方法包括下列步骤：通过在半导体衬底上形成导电层图案(例如，硅层)、然后在其上形成有第一导电类型掺杂剂的半球型颗粒(HSG)硅表面层、来形成电容器的下电极。在下电极上还形成扩散阻挡层(例如，氮化硅)，然后在所述扩散阻挡层上形成介电层。扩散阻挡层最好用具有足够厚度的材料制成，以防止介电层和下电极之间的反应，也防止掺杂剂从HSG硅表面层向外扩散到介电层。介电层最好由具有高介电强度的材料形成，以增大电容量。

公开(公告)号：CN1389910A

公开(公告)日：2003-01-08

申请号：CN02107879.3

申请日：2002-03-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金营宽 ,  朴泳旭 ,  李承换

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/3142 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T117/1008 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种利用原子层淀积(ALd)形成薄膜的方法。提供一种具有单反应空间的ALD反应器。可以在所述ALD反应器的单反应空间中同时装载一批衬底。然后,在单反应空间中引入含反应剂的气体,在单反应空间内,反应剂的一部分化学吸附到该批衬底的上表面上。然后,从单反应空间中排除未被化学吸附的反应剂。根据本发明的一个实施例,引入含反应剂气体后,在单反应空间内稀释未被化学吸附的反应剂,以便于排除未被化学吸附的反应剂。