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公开(公告)号：CN1575525B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN02820938.9
申请日：2002-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/84 , H01L27/12 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2001/136236 , H01L27/124 , H01L27/1244 , H01L27/1288 , H01L29/66765
Abstract: 本发明涉及一种制造用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列基片的方法。在该方法中，在基片上形成包括栅极线、栅极、和栅极衬垫的横向栅极布线。然后，形成栅极绝缘层，在其上部顺次形成半导体层及欧姆接触层。接着，将导电层沉积在基片上，并制作布线图案形成包括与栅极线交叉的数据线、源极、漏极、和数据衬垫的数据布线。接着，将保护层和有机绝缘层沉积在基片上。将有机绝缘层进行曝光和显像，从而形成分别露出漏极、栅极衬垫、及数据衬垫上部保护层的接触孔。接着，将有机绝缘层作为掩膜蚀刻露出的保护层，露出漏极、栅极衬垫以及数据衬垫。接着，通过固化收缩或回流有机绝缘层，以便在接触区域除去底切结构。在固化步骤之前抛光有机绝缘层。接着，将ITO或IZO沉积在有机绝缘层上，并制作布线图案以形成分别与漏极、栅极衬垫、及数据衬垫连接的像素电极、辅助栅极衬垫及辅助数据衬垫。
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公开(公告)号：CN100510873C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200510099185.7
申请日：2005-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/1333 , G02F2001/133354 , H01L27/1288
Abstract: 一种显示装置，包括第一衬底和第二衬底、以及第一和第二对准键。第一和第二衬底分别具有第一和第二显示区域、以及第一和第二外围区域。第一对准键设在第一衬底的第一外围区域中。第一对准键包括第一图案和第二图案。第二对准键设在第二衬底的第二外围区域中，使得第二对准键面对第一对准键。结果，第一对准键可通过形成像素电极的工艺被形成。因此，第一对准键和像素电极之间没有偏差，并且由于第一图案是不透明的，因此第一对准键可容易地被检测出来，从而错位被防止了。
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公开(公告)号：CN101123262A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710146413.0
申请日：2007-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种显示基板及其制造方法，以及具有该显示基板的液晶显示装置。该显示基板包括：存储电极，其在形成于基板上的第一和第二区域上延伸；形成于存储电极上的绝缘层图案；以及形成在绝缘层图案上的第一和第二像素电极。第一和第二像素电极中的至少一个具有至少一个凹槽。绝缘层图案具有第一和第二开口，其形成在对应于存储电极的第一和第二区域上。从而，由于该凹槽或开口，在第一和第二像素电极的制造过程中可防止第一和第二像素电极之间的电短路。
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公开(公告)号：CN101202291B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200710305151.8
申请日：2007-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , G02F1/136 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/134336 , G02F1/136209 , G02F1/136286 , G02F1/1393 , G09G3/3648 , G09G2300/0426 , G09G2300/0443 , G09G2300/0465 , G09G2300/0814 , G09G2310/0262
Abstract: 在阵列基板中，栅极线设置在基底基板上并在第一方向上延伸，数据线与栅极线绝缘并且与其交叉，并在第二方向上延伸。开关部分连接在栅极线和数据线之间。像素电极连接到开关部分并部分地和数据线交叠。像素电极具有开口，在平面图中，开口与数据线分开。
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公开(公告)号：CN101123262B
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200710146413.0
申请日：2007-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种显示基板及其制造方法，以及具有该显示基板的液晶显示装置。该显示基板包括：存储电极，其在形成于基板上的第一和第二区域上延伸；形成于存储电极上的绝缘层图案；以及形成在绝缘层图案上的第一和第二像素电极。第一和第二像素电极中的至少一个具有至少一个凹槽。绝缘层图案具有第一和第二开口，其形成在对应于存储电极的第一和第二区域上。从而，由于该凹槽或开口，在第一和第二像素电极的制造过程中可防止第一和第二像素电极之间的电短路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101131514A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710146544.9
申请日：2007-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1333 , G02F1/1335 , G02F1/1362 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/133512 , G02F1/133707
Abstract: 本发明公开了一种液晶显示装置，该液晶显示装置包括：第一基底、第二基底和插入在第一基底与第二基底之间的液晶层。在第一基底上限定像素区。像素电极包括切口图案并形成在像素区中。导电图案设置在第一基底与像素电极之间，且从平面图来观看时，导电图案与切口图案部分叠置。共电极设置在第二基底上，并包括将像素区划分为多个畴的畴划分件。阻光构件设置在第一基底和第二基底中的一个上，且位于与在像素区内切口图案与导电图案叠置的区域对应的位置。
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公开(公告)号：CN1746735A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510099185.7
申请日：2005-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/1333 , G02F2001/133354 , H01L27/1288
Abstract: 一种显示装置，包括第一衬底和第二衬底、以及第一和第二对准键。第一和第二衬底分别具有第一和第二显示区域、以及第一和第二外围区域。第一对准键设在第一衬底的第一外围区域中。第一对准键包括第一图案和第二图案。第二对准键设在第二衬底的第二外围区域中，使得第二对准键面对第一对准键。结果，第一对准键可通过形成像素电极的工艺被形成。因此，第一对准键和像素电极之间没有偏差，并且由于第一图案是不透明的，因此第一对准键可容易地被检测出来，从而错位被防止了。
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公开(公告)号：CN1591144A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410057090.4
申请日：2004-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/1339
Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下工序：在基片上形成栅极线；在栅极线上依次沉积栅极绝缘层和半导体层；在半导体层上依次沉积下层导电薄膜和上层导电薄膜；光蚀刻上层导电薄膜、下层导电薄膜、和半导体层；沉积钝化层；光蚀刻钝化层以露出上层导电薄膜的第一和第二部分；除去上层导电薄膜的第一和第二部分以露出下层导电薄膜的第一和第二部分；形成像素电极和一对分别在下层导电薄膜第一和第二部分上的冗余电极，冗余电极露出下层导电薄膜第二部分的一部分；除去下层导电薄膜第二部分的露出部分以露出半导体层的一部分；以及在半导体层的露出部分上形成柱状隔离物。
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公开(公告)号：CN100424573C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200410062409.2
申请日：2004-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13458 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/136231 , G02F2001/13629 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明涉及一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下工序：在基片上形成栅极线；在栅极线上连续沉积栅极绝缘层和半导体层；在半导体层上沉积下部导电层和上部导电层；光学蚀刻上部导电层、下部导电层、及半导体层；沉积钝化层；光学蚀刻钝化层露出上部导电层第一部分和第二部分；除去上部导电层第一及第二部分，露出下部导电层第一部分和第二部分；形成覆盖下部导电层第一部分的像素电极；除去下部导电层第二部分，露出半导体层一部分；在半导体层露出部分上形成间隔材料支柱。
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公开(公告)号：CN100392506C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200410057090.4
申请日：2004-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/1339
Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下工序：在基片上形成栅极线；在栅极线上依次沉积栅极绝缘层和半导体层；在半导体层上依次沉积下层导电薄膜和上层导电薄膜；光蚀刻上层导电薄膜、下层导电薄膜、和半导体层；沉积钝化层；光蚀刻钝化层以露出上层导电薄膜的第一和第二部分；除去上层导电薄膜的第一和第二部分以露出下层导电薄膜的第一和第二部分；形成像素电极和一对分别在下层导电薄膜第一和第二部分上的冗余电极，冗余电极露出下层导电薄膜第二部分的一部分；除去下层导电薄膜第二部分的露出部分以露出半导体层的一部分；以及在半导体层的露出部分上形成柱状隔离物。
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