公开(公告)号：CN111180419A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201910650132.1

申请日：2019-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金云天 ,  朴俊炯 ,  沈智慧 ,  朴成根 ,  李健

IPC: H01L23/552 ,  B82Y30/00

Abstract: 本公开提供一种半导体封装件及用于半导体封装件的电磁干扰屏蔽结构，所述半导体封装件包括：连接结构，包括一个或更多个重新分布层；半导体芯片，设置在所述连接结构上并电连接到所述一个或更多个重新分布层；包封剂，设置在所述连接结构上并覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及屏蔽结构，覆盖所述包封剂的至少一部分。所述屏蔽结构包括：导电图案层，具有多个开口；第一金属层，覆盖所述导电图案层并延伸经过所述多个开口；以及第二金属层，覆盖所述第一金属层。所述第二金属层具有比所述第一金属层的厚度大的厚度。

公开(公告)号：CN110957292A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910648814.9

申请日：2019-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金云天 ,  朴俊炯 ,  沈智慧 ,  朴成根 ,  李健

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/538 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括：框架，包括彼此电连接的多个布线层，并且具有凹入部和通孔，所述凹入部具有设置在所述凹入部的底表面上的阻挡层，并且所述通孔贯穿所述阻挡层；半导体芯片，具有设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面，并且设置在所述凹入部中使得所述无效表面与所述阻挡层相对；包封剂，覆盖所述框架的至少部分和所述半导体芯片的所述无效表面的至少部分，并且填充所述凹入部的至少一部分；以及互连结构，设置在所述框架和所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括电连接到所述多个布线层和所述连接焊盘的重新分布层。

公开(公告)号：CN111223828B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN201910645240.X

申请日：2019-07-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李健 ,  黄俊杰 ,  禹智恩 ,  朴成根

IPC: H01L23/485

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片；以及连接结构，设置在所述半导体芯片的至少一侧上，并且包括绝缘层和电连接到所述半导体芯片的重新分布层，其中，所述重新分布层包括多个导电图案，并且所述多个导电图案中的至少两个具有不同程度的表面粗糙度，并且具有较高的表面粗糙度的导电图案具有比具有较低的表面粗糙度的导电图案的宽度宽的宽度。

公开(公告)号：CN111180419B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN201910650132.1

申请日：2019-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金云天 ,  朴俊炯 ,  沈智慧 ,  朴成根 ,  李健

IPC: H01L23/552 ,  B82Y30/00

Abstract: 本公开提供一种半导体封装件及用于半导体封装件的电磁干扰屏蔽结构，所述半导体封装件包括：连接结构，包括一个或更多个重新分布层；半导体芯片，设置在所述连接结构上并电连接到所述一个或更多个重新分布层；包封剂，设置在所述连接结构上并覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及屏蔽结构，覆盖所述包封剂的至少一部分。所述屏蔽结构包括：导电图案层，具有多个开口；第一金属层，覆盖所述导电图案层并延伸经过所述多个开口；以及第二金属层，覆盖所述第一金属层。所述第二金属层具有比所述第一金属层的厚度大的厚度。

公开(公告)号：CN105929925A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610109616.1

申请日：2016-02-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炳旭 ,  朴成根 ,  杨镇吉 ,  李其泰 ,  李柱范 ,  金善勇 ,  尹仁熙 ,  李镇求

IPC: G06F1/32 ,  G06F11/32

Abstract: 公开了一种电子装置以及用于在电子装置中管理功率的方法，所述电子装置包括：电池；显示器；处理器，与电池和显示器电连接；以及存储器，与处理器电连接并存储至少一个应用，其中，存储器存储指令，其中，当指令被执行时，促使处理器在至少一个应用在显示器的关闭状态下执行期间监视至少一个应用的功耗，并促使处理器在显示器进入打开状态之后立即基于监视的结果的至少一部分来在显示器上显示指示功耗的值是否超过在选择的时间选择的阈值的信息。

公开(公告)号：CN101373629B

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN200810168671.3

申请日：2008-08-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴成根 ,  崔哲准 ,  成赫晙 ,  姜秉润

IPC: G06F1/08 ,  G11C7/22

CPC classification number: H04L7/08 ,  G06F1/08 ,  G11C7/22 ,  G11C7/222 ,  H03L7/085

Abstract: 一种时钟信号发生器，可包括时钟信号发生单元，其被配置为生成时钟信号；时钟信号控制单元，配置为在参考时间内计数所述时钟信号的脉冲数，并将所述脉冲数与参考值进行比较以提供比较结果，而且根据所述比较结果生成控制信号；其中所述时钟信号发生单元根据所述控制信号增加或减少所述时钟信号的所述脉冲数。

公开(公告)号：CN101373629A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810168671.3

申请日：2008-08-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴成根 ,  崔哲准 ,  成赫晙 ,  姜秉润

IPC: G11C7/22 ,  H03L7/24 ,  G06F1/04 ,  G06F13/38

CPC classification number: H04L7/08 ,  G06F1/08 ,  G11C7/22 ,  G11C7/222 ,  H03L7/085

Abstract: 本发明涉及一种时钟信号发生器、包含其的半导体存储装置及其操作方法。一种时钟信号发生器，可包括时斜信号发生单元，其被配置为生成时钟信号；时钟信号控制单元，配置为在参考时间内计数所述时钟信号的脉冲数，并将所述脉冲数与参考值进行比较以提供比较结果，而且根据所述比较结果生成控制信号；其中所述时钟信号发生单元根据所述控制信号增加或减少所述时钟信号的所述脉冲数。