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公开(公告)号：CN111190536B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201911105609.4
申请日：2019-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储设备，包括：非易失性存储器，包括多个块；缓冲存储器，存储通过使用读取电平读取与所述多个块的多个参考字线相连的存储器单元而生成的多个接通单元计数和人工神经网络模型；以及控制器，向人工神经网络模型输入所述多个接通单元计数中与目标块对应的接通单元计数和目标块的目标字线的编号，并且使用人工神经网络模型推断用于读取与目标字线相连的存储器单元的数据的多个读取电平。
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公开(公告)号：CN114974338A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210181050.9
申请日：2022-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器装置包括：存储器块，其包括存储器区域；片上谷搜索(OVS)电路，其对存储器块执行OVS读出操作；以及缓冲存储器，其存储至少一个变化表，该至少一个变化表包括从OVS读出操作获得的存储器单元的阈值电压的变化信息。响应于由存储器控制器施加的读取命令，对存储器区域执行包括OVS读出操作和主读出操作的读取操作，以OVS读出电平执行OVS读出操作，并且以反映变化信息的主读出电平执行主读出操作。在非易失性存储器装置中，可以提高对字线阈值电压的劣化的校正精度，并且可以减少存储器控制器的负担。
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公开(公告)号：CN114913908A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202111333481.4
申请日：2021-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储设备包括非易失性存储器件和控制非易失性存储器件的存储器控制器。非易失性存储器件包括存储单元阵列。存储单元阵列包括正常单元区域、奇偶校验单元区域和冗余单元区域。第一位线连接到正常单元区域和奇偶校验单元区域，第二位线连接到冗余单元区域。存储器控制器包括用于产生奇偶校验数据的纠错码(ECC)引擎。存储器控制器将用户数据存储在正常单元区域中，控制非易失性存储器件对第一位线中的第一缺陷位线执行列修复，将附加列地址分配给第一缺陷位线和第二位线，以及将奇偶校验数据的至少一部分存储在与附加地分配的列地址相对应的区域中。
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公开(公告)号：CN114822643A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202111170351.3
申请日：2021-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了非易失性存储器装置及其操作方法和存储器系统。所述非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括存储芯片级信息的元数据区域；控制逻辑，响应于命令识别目标单元；机器学习(ML)逻辑，基于作为输入被施加到人工神经网络模型的芯片级信息和与目标单元相关联的物理信息来推断最佳参数；以及缓冲存储器，被配置为存储人工神经网络模型的权重参数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115938440A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210858214.7
申请日：2022-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
Abstract: 公开一种操作与非易失性存储器件通信的存储控制器的方法。该方法包括：向非易失性存储器件输出包括对非易失性存储器件的存储区域的片上谷搜索OVS计数数据的请求的第一命令，其中OVS计数数据包括第一读取电压的第一计数值和第二读取电压的第二计数值；从非易失性存储器件接收OVS计数数据；基于OVS计数数据来确定针对第一读取电压的第一错误计数值和针对第二读取电压的第二错误计数值；以及基于第一错误计数值和第二错误计数值来确定后续操作。
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公开(公告)号：CN115831200A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202210776544.1
申请日：2022-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
Abstract: 公开了一种操作与非易失性存储器件通信的存储控制器的方法。所述方法包括：向非易失性存储器件输出第一命令，该第一命令包括对非易失性存储器件的存储区域的片上谷搜索(OVS)计数数据的请求，其中，OVS计数数据包括具有第一读取电压的第一计数值和第二计数值以及具有第二读取电压的第三计数值和第四计数值；从非易失性存储器件接收OVS计数数据；基于OVS计数数据从多个分布类型中确定存储区域的分布类型以作为预测分布类型；以及基于预测分布类型来确定后续操作。
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公开(公告)号：CN114446361A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111082318.5
申请日：2021-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了非易失性存储器装置及其读取方法和控制器。非易失性存储器装置包括多个存储器块和控制逻辑电路，控制逻辑电路被配置为响应于第一读取命令而对连接到所述多个存储器块之中的响应于地址而选择的存储器块的一条字线的存储器单元执行第一页片上谷搜索(OVS)操作。控制逻辑电路还被配置为使用第一页OVS操作的检测信息来改变至少一个状态的读取电平，并且响应于第二读取命令而使用改变的读取电平对存储器单元执行第二页读取操作。
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公开(公告)号：CN112650443A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011007655.3
申请日：2020-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开一种控制非易失性存储器装置的存储控制器的操作方法。所述方法包括：在初始驱动时段，收集指示非易失性存储器装置的第一存储器区域的劣化因素的第一参数和指示在第一存储器区域发生的劣化的程度的第二参数；基于第一参数和第二参数选择多个函数模型中的第一函数模型，并且基于第一函数模型来预测第一存储器区域的第一错误趋势；基于第一错误趋势来确定第一可靠性间隔；以及基于第一可靠性间隔对非易失性存储器装置的第一存储器区域执行第一可靠性操作。
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公开(公告)号：CN111190536A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201911105609.4
申请日：2019-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储设备，包括：非易失性存储器，包括多个块；缓冲存储器，存储通过使用读取电平读取与所述多个块的多个参考字线相连的存储器单元而生成的多个接通单元计数和人工神经网络模型；以及控制器，向人工神经网络模型输入所述多个接通单元计数中与目标块对应的接通单元计数和目标块的目标字线的编号，并且使用人工神经网络模型推断用于读取与目标字线相连的存储器单元的数据的多个读取电平。
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