公开(公告)号：CN1617337A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410090304.8

申请日：2004-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  徐范锡

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L28/56 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691

Abstract: 本发明提供了一种半导体设备的电容器以及包括同样电容器的存储器设备。电容器包括下部电极、具有多个带隙并且形成于下部电极上的介电层、以及上部电极。介电层包括具有第一带隙并且形成于下部电极上的第一介电层、具有第二带隙并且形成于第一介电层上的第二介电层、以及具有第三带隙并且形成于第二介电层上的第三介电层。

公开(公告)号：CN114829847A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202080088305.6

申请日：2020-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相勳 ,  石昌民 ,  金恕贞 ,  徐范锡

IPC: F24F6/00 ,  C02F1/461 ,  F24F11/30

Abstract: 所述加湿器包括：加湿构件；储水箱；循环水箱；残留水箱；供应泵，被构造为将容纳在所述储水箱中的水供应给所述循环水箱；循环泵，被构造为将容纳在所述循环水箱中的水供应给所述加湿构件。风扇，被构造为将空气吹向所述加湿构件，从而使蒸发的水排放到所述加湿器的外部；内管，被构造为形成流动通道，其中，未被所述加湿构件蒸发的水通过所述流动通道被回收到所述循环水箱；排水构件，被构造为选择性地将容纳在所述循环水箱中的水排放到所述残留水箱；以及控制器，被构造为基于所述储水箱中的水位在湿度模式下运行所述加湿器。

公开(公告)号：CN100397644C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200410090304.8

申请日：2004-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  徐范锡

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L28/56 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691

Abstract: 本发明提供了一种半导体设备的电容器以及包括同样电容器的存储器设备。电容器包括下部电极、具有多个带隙并且形成于下部电极上的介电层、以及上部电极。介电层包括具有第一带隙并且形成于下部电极上的第一介电层、具有第二带隙并且形成于第一介电层上的第二介电层、以及具有第三带隙并且形成于第二介电层上的第三介电层。并且第一至第三带隙满足：第二带隙＜第一带隙＜第三带隙。在另一实施例中，第一至第三带隙满足：第二带隙＜第三带隙＜第一带隙。

公开(公告)号：CN1738062A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200510092117.8

申请日：2005-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  朴星昊 ,  徐范锡

IPC: H01L29/92 ,  H01L27/00 ,  H01L27/108 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/329 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明公开了一种具有可以减小漏电流的介电层的电容器和制造该电容器的方法。在包括下电极、形成于下电极上的介电层和形成于介电层上的上电极的电容器中，通过使用由过渡金属和镧系材料的复合氧化物形成的介电层可以显著减小电容器的漏电流。

公开(公告)号：CN1610120A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410095962.6

申请日：2004-08-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  徐范锡

IPC: H01L27/10 ,  H01L29/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01G4/10 ,  H01G4/1272 ,  H01L21/31604 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159 ,  H01L28/40 ,  H01L28/56 ,  Y10T29/417

Abstract: 提供一种半导体器件的电容器和制造该电容器的方法以及包括该电容器的存储器件。电容器包括下电极、介质薄膜和上电极。第一反应阻挡膜还形成于下电极和介质薄膜之间。介质薄膜为包括镧系元素的氧化膜(LaO)，而第二反应阻挡膜还可以形成于上电极和介质薄膜之间。在淀积包括镧系元素的氧化膜的工艺中，通过使蒸汽流动并接着使臭氧流过氧化膜来去除杂质。为了控制下电极和介质薄膜之间的反应，第一反应阻挡膜为铪膜或铝膜，其铪膜和铝膜包括半径比氧化镧膜(La2O3)的阳离子半径小的阳离子。