像素型半导体发光装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN110391265A

    公开(公告)日:2019-10-29

    申请号:CN201910211266.3

    申请日:2019-03-20

    Abstract: 提供了一种像素型半导体发光装置及其制造方法,所述半导体发光装置包括彼此分隔开并且以矩阵形式布置的多个发光器件结构。垫区域至少部分地围绕多个发光器件结构。垫区域设置在多个发光器件结构的外部。分隔结构设置在多个发光器件结构的第一表面上,并且还设置在多个发光器件结构中的相邻的发光器件结构之间。分隔结构在多个发光器件结构内限定多个像素空间。荧光层设置在多个发光器件结构的第一表面上,并且填充多个像素空间中的每个。

    灯丝型LED光源和LED灯
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109253407A

    公开(公告)日:2019-01-22

    申请号:CN201810768877.3

    申请日:2018-07-13

    Inventor: 金东浩 崔繁在

    Abstract: 本发明提供一种灯丝型发光二极管(LED)光源和LED灯,所述灯丝型LED光源包括多个LED模块、耦接器和公共连接部。所述LED模块位于多棱柱结构中并发出具有不同色温的白光或不同波长的光。每一个LED模块在所述多棱柱结构的相应侧表面处为条形并且包括第一连接电极和第二连接电极。耦接器耦接所述LED模块以维持所述多棱柱结构。公共连接部在所述多棱柱结构的一端处并共同连接到所述多个LED模块中的每一个的所述第二连接电极。

    半导体发光器件、制造方法以及半导体发光器件封装件

    公开(公告)号:CN102522473B

    公开(公告)日:2014-09-03

    申请号:CN201110456822.7

    申请日:2009-02-26

    Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件、制造该半导体发光器件的方法以及一种利用该半导体发光器件的半导体发光器件封装件。所述半导体发光器件具有顺序层叠的第一传导类型的半导体层、有源层、第二传导类型的半导体层、第二电极层、绝缘层、第一电极层和传导基底,其中,第二电极层在第二电极层和第二传导类型的半导体层之间的界面处具有暴露区域,第一电极层包括至少一个接触孔,所述至少一个接触孔电连接到第一传导类型的半导体层,与第二传导类型的半导体层和有源层电绝缘,并从第一电极层的一个表面延伸到第一传导类型的半导体层的至少部分。

    像素型半导体发光装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN110391265B

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN201910211266.3

    申请日:2019-03-20

    Abstract: 提供了一种像素型半导体发光装置及其制造方法,所述半导体发光装置包括彼此分隔开并且以矩阵形式布置的多个发光器件结构。垫区域至少部分地围绕多个发光器件结构。垫区域设置在多个发光器件结构的外部。分隔结构设置在多个发光器件结构的第一表面上,并且还设置在多个发光器件结构中的相邻的发光器件结构之间。分隔结构在多个发光器件结构内限定多个像素空间。荧光层设置在多个发光器件结构的第一表面上,并且填充多个像素空间中的每个。

    发光装置封装件
    16.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109244064B

    公开(公告)日:2024-03-12

    申请号:CN201810722265.0

    申请日:2018-06-29

    Abstract: 一种发光装置封装件包括:多个发光芯片,所述多个发光芯片被配置为发射各自波长的光,每个芯片包括位于所述芯片的底部处的电极,以形成倒装芯片结构;多条布线,所述多条布线分别直接连接到所述芯片的电极;多个电极焊盘,所述多个电极焊盘设置在所述芯片下方并分别直接连接到所述布线;以及模制构件,所述模制构件以单层结构一体形成以覆盖所述芯片的上表面和侧表面,并且包括具有预定透射率的半透明材料,其中,所述布线设置在所述模制构件的下表面下方。

    半导体发光装置
    20.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103094274B

    公开(公告)日:2016-02-10

    申请号:CN201110350684.4

    申请日:2011-11-01

    Abstract: 本发明提供了一种半导体发光装置,该半导体发光装置具有半导体层叠体,半导体层叠体包括提供第一主要表面的第一导电类型半导体层和提供第二主要表面的第二导电类型半导体层以及有源层。半导体层叠体被划分为第一区域和第二区域。至少一个接触孔形成为从第一区域的第二主要表面穿过有源层。第一电极形成在第二主要表面上以连接到第一区域的第一导电类型半导体层和第二区域的第二导电类型半导体层。第二电极形成在第一区域的第二主要表面上以连接到第一区域的第二导电类型半导体层和第二区域的第一导电类型半导体层。

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