公开(公告)号：CN1740396A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510088504.4

申请日：2005-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金有京 ,  洪昌基 ,  崔相俊 ,  韩政男

IPC: C23F1/16

CPC classification number: C23F1/28 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  C23F1/16 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01F41/308 ,  H01F41/34 ,  H01L21/32134 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供了一种包括去离子水和有机酸的蚀刻剂溶液，该有机酸具有羧基和氢氧基。还公开了用于形成磁存储器件的方法。

公开(公告)号：CN1141619C

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：CN97122568.0

申请日：1997-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜律 ,  崔相俊 ,  郑东垣 ,  朴春根 ,  高永范

IPC: G03F7/039

CPC classification number: G03F7/0045 ,  G03F7/039

Abstract: 在化学增强抗蚀剂中使用了共聚物和三元共聚物。该三元共聚物具有下述通式(II)，其中R3、R4、R5、R6、m和n的定义如说明书中所述；同时还有一用于化学增强的抗蚀剂的抗蚀组合物，它含有一光敏酸发生剂和一具有下述通式(III)的聚合物，其中x、R7、R8、m和n的定义如说明书中所述。

公开(公告)号：CN1224728A

公开(公告)日：1999-08-04

申请号：CN98125176.5

申请日：1998-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔相俊 ,  姜律 ,  郑东垣 ,  朴春根

IPC: C08F222/06 ,  G03F7/027

CPC classification number: G03F7/0045 ,  C08F220/18 ,  C08F222/06 ,  G03F7/039

Abstract: 本发明提供了一种应用于化学放大抗蚀剂的光敏聚合物。光敏聚合物为式(Ⅰ):其中R1选自氢和C1至C20脂烃,n为整数。特别地,R1选自甲基、乙基、正丁基和环己基或R1选自含C7至C20脂环脂烃,如金刚烷基、降冰片基和异冰片基。本发明还提供了包含光酸引发剂和聚合物的化学放大抗蚀组合物。聚合物为式(Ⅱ):其中R1选自氢和C1至C20脂烃;R2选自氢或甲基;R3选自叔丁基或四氢吡喃基;n和m各自为整数,其中n/(m+n)比例为0.1至0.5。本发明化学放大抗蚀组合物对干蚀工艺具有强的抗蚀性,对膜材料具有优良的粘合性,可利用常规显影剂显影。

公开(公告)号：CN1808272B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200610005755.6

申请日：2003-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔相俊

IPC: G03F7/004 ,  C08F220/10 ,  C08F216/16

Abstract: 一种包括含有金刚烷基烷基乙烯醚共聚物的光敏聚合物，及含有该光敏聚合物的光阻剂组合物。例如包括具有如下通式共聚物的光敏聚合物：其中x为1～4的整数，R1为氢原子或甲基，R2为酸不稳定的C4～C20的烃基，p/(p+q+r)＝0.1～0.4，q/(p+q+r)＝0.1～0.5，及r/(p+q+r)＝0.1～0.4。

公开(公告)号：CN101587286A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200810174057.8

申请日：2008-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金填涉 ,  崔相俊 ,  姜秉助

IPC: G03B21/16 ,  G03B21/00 ,  F21V29/00 ,  F21Y101/02 ,  H05K7/20

CPC classification number: G03B21/16

Abstract: 本发明公开了一种具有冷却装置的图像投影装置，该冷却装置同时冷却从多个分别发出不同颜色的光线的光源产生的热量和从显示装置产生的热量，同时有效的消散所述热量。所述图像投影装置包括投射光线的投影系统；与所述投影系统串联设置的显示装置；与所述投影系统平行设置的光学系统，还包括多个光源，所述光源发射光线到显示装置并且当光线发射到所述显示装置时产生热量；设置在所述光学系统外边缘的热消散装置，其消散从所述多个光源产生的热量；以及设置为与所述显示装置相对的冷却风扇，其吸入空气和将空气排出到所述热消散装置。

公开(公告)号：CN101093273A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710104740.X

申请日：2007-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔相俊 ,  卢正镐

IPC: G02B7/04 ,  G02B7/00 ,  G03B21/14

CPC classification number: G03B21/142 ,  G02B7/04 ,  G03B3/02

Abstract: 提供了一种光学投影设备的调焦装置以及投影光学系统，该调焦装置具有简单的结构并且能够精确地调焦。调焦装置包括：框架，包括具有第一螺距的内螺纹部分；镜筒，可动地安装在框架内，包括具有小于第一螺距的第二螺距的外螺纹部分；调整环，包括与具有第一螺距的内螺纹部分对应的外螺纹部分和与具有第二螺距的外螺纹部分对应的内螺纹部分，该调整环用于将镜筒支撑在框架内，并且使镜筒沿着光轴方向运动。

公开(公告)号：CN1949482A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200610132163.0

申请日：2006-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 康大赫 ,  吴政玟 ,  洪昌基 ,  崔相俊 ,  沈雨宽

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/90 ,  H01L21/0334 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/10852

Abstract: 一方面，提出了一种制造半导体存储器器件的方法，包括：在半导体衬底的第一部分和第二部分上面形成模具绝缘膜，其中模具绝缘膜包括在半导体衬底的第一部分上面彼此间隔的多个存储节点电极孔。该方法还包括：在存储节点电极孔的内表面上分别形成多个存储节点电极，以及形成覆盖膜，所述覆盖膜覆盖位于半导体衬底的第一部分上面的存储节点电极和模具绝缘膜的第一部分，但暴露出位于半导体衬底的第二部分上面的模具绝缘膜的第二部分。该方法还包括：至少利用湿法刻蚀，选择性地除去模具绝缘膜以暴露出由覆盖膜所覆盖的存储节点电极中的至少一个存储节点电极的侧壁，以及通过干法刻蚀除去覆盖膜以暴露出存储节点电极的上部。

公开(公告)号：CN1290881C

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN03149009.3

申请日：2003-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔相俊

IPC: C08F216/14 ,  G03F7/00

Abstract: 一种包括含有金刚烷基烷基乙烯醚共聚物的光敏聚合物，及含有该光敏聚合物的光阻剂组合物。例如包括具有如下通式共聚物的光敏聚合物：其中x为1～4的整数，R1为氢原子或甲基，R2为酸不稳定的C4～C20的烃基，p/(p+q+r)＝0.1～0.4，q/(p+q+r)＝0.1～0.5，及r/(p+q+r)＝0.1～0.4。

公开(公告)号：CN1808272A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200610005755.6

申请日：2003-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔相俊

IPC: G03F7/004 ,  C08F220/10 ,  C08F216/16

Abstract: 一种包括含有金刚烷基烷基乙烯醚共聚物的光敏聚合物，及含有该光敏聚合物的光阻剂组合物。例如包括具有如下通式共聚物的光敏聚合物，其中x为1～4的整数，R1为氢原子或甲基，R2为酸不稳定的C4～C20的烃基，p/(p+q+r)＝0.1～0.4，q/(p+q+r)＝0.1～0.5，及r/(p+q+r)＝0.1～0.4。

公开(公告)号：CN1741250A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510096517.6

申请日：2005-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  朴星昊 ,  崔相俊

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/82 ,  H01L29/92 ,  H01L27/00 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01G9/00 ,  H01L28/56 ,  H01L28/65 ,  H01L28/90

Abstract: 本发明公开了一种电容器和一种制造该电容器的方法。可以通过形成两个或更多的介电层和下电极来形成该电容器，其中，在形成下电极之前形成该两个或更多的介电层的至少一个。