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公开(公告)号：CN104347717A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410372950.7
申请日：2014-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7853 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L21/3085 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L21/823481 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L27/1211 , H01L29/0673 , H01L29/42364 , H01L29/4238 , H01L29/49 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66795 , H01L29/78 , H01L29/785 , H01L2229/00
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括半导体基板，该半导体基板具有与第二半导体鳍端对端地对准的第一半导体鳍，在第一和第二半导体鳍的面对的端部之间具有凹陷。第一绝缘体图案邻近第一和第二半导体鳍的侧壁形成，第二绝缘体图案形成在第一凹陷内。第二绝缘体图案可以具有比第一绝缘体图案的上表面高的上表面，诸如可以具有至鳍的上表面的高度的上表面(或可以具有高于或低于鳍的上表面的高度的上表面)。第一和第二栅极沿第一半导体鳍的侧壁和上表面延伸。虚设栅电极可以形成在第二绝缘体图案的上表面上。还公开了制造半导体器件以及变型的方法。
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公开(公告)号：CN101458912B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200810211491.9
申请日：2008-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09G3/36
CPC classification number: G09G5/363 , G09G3/2003 , G09G3/2044 , G09G3/2096 , G09G3/3648 , G09G5/005 , G09G5/04 , G09G2300/0443 , G09G2320/0276 , G09G2320/0666 , G09G2360/02
Abstract: 一种信号处理装置，包括：存储器，其中存储有颜色校正数据。该存储器存储具有与输入图像数据位数相同的第一颜色校正数据和具有少于输入图像数据位数的第二颜色校正数据。对应低灰度范围的颜色校正数据的数量增加，并且对应高灰度范围的颜色校正数据的数量减少了与对应低灰度范围的颜色校正数据增加的数量相同的数量。因此，在不改变颜色校正数据的总量的情况下，可改善对应低灰度范围的颜色特性。
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公开(公告)号：CN117581441A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202280045706.2
申请日：2022-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H02J7/00
Abstract: 根据各种实施例，一种电子装置包括壳体、电池、至少一个传感器、充电电路和至少一个处理器，其中至少一个处理器可被配置为：利用通过充电电路的第一充电电流对电池充电；在用第一充电电流对电池充电时，通过使用至少一个传感器测量与电子装置关联的温度，并基于高于或等于第一阈值温度的与电子装置关联的温度将第一充电电流降低到第二充电电流以对电池充电；在利用第二充电电流对电池充电的同时，基于与电子装置关联的温度低于第二阈值温度来降低第一充电电流，以便对电池充电，第二阈值温度低于第一阈值温度；以及基于第一充电电流降低的次数和低于第一阈值温度的与电子装置关联的温度，用降低的第一充电电流对电池充电。可提供其他各种实施例。
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公开(公告)号：CN111490052A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010142068.9
申请日：2016-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11556 , H01L23/544
Abstract: 本公开提供了垂直存储器件。一种垂直存储器件包括：基板；多个沟道，在基板上并在垂直于基板的顶表面的第一方向上延伸；多条栅线，在基板上层叠在彼此之上；多条布线，在栅线上方并电连接到栅线；以及识别图案，在基板上处于与布线中的至少一条的层级相同的层级。栅线围绕沟道。栅线沿着第一方向彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN106847823B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201610878702.9
申请日：2016-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11556 , H01L23/544
Abstract: 本公开提供了垂直存储器件。一种垂直存储器件包括：基板；多个沟道，在基板上并在垂直于基板的顶表面的第一方向上延伸；多条栅线，在基板上层叠在彼此之上；多条布线，在栅线上方并电连接到栅线；以及识别图案，在基板上处于与布线中的至少一条的层级相同的层级。栅线围绕沟道。栅线沿着第一方向彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN104347717B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201410372950.7
申请日：2014-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括半导体基板，该半导体基板具有与第二半导体鳍端对端地对准的第一半导体鳍，在第一和第二半导体鳍的面对的端部之间具有凹陷。第一绝缘体图案邻近第一和第二半导体鳍的侧壁形成，第二绝缘体图案形成在第一凹陷内。第二绝缘体图案可以具有比第一绝缘体图案的上表面高的上表面，诸如可以具有至鳍的上表面的高度的上表面(或可以具有高于或低于鳍的上表面的高度的上表面)。第一和第二栅极沿第一半导体鳍的侧壁和上表面延伸。虚设栅电极可以形成在第二绝缘体图案的上表面上。还公开了制造半导体器件以及变型的方法。
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公开(公告)号：CN101458912A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200810211491.9
申请日：2008-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09G3/36
CPC classification number: G09G5/363 , G09G3/2003 , G09G3/2044 , G09G3/2096 , G09G3/3648 , G09G5/005 , G09G5/04 , G09G2300/0443 , G09G2320/0276 , G09G2320/0666 , G09G2360/02
Abstract: 一种信号处理装置，包括：存储器，其中存储有颜色校正数据。该存储器存储具有与输入图像数据位数相同的第一颜色校正数据和具有少于输入图像数据位数的第二颜色校正数据。对应低灰度范围的颜色校正数据的数量增加，并且对应高灰度范围的颜色校正数据的数量减少了与对应低灰度范围的颜色校正数据增加的数量相同的数量。因此，在不改变颜色校正数据的总量的情况下，可改善对应低灰度范围的颜色特性。
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公开(公告)号：CN1854849A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200510134508.1
申请日：2005-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/13357 , G02F1/133 , G02B1/04 , H01L33/00
CPC classification number: G02F1/133615 , G02B6/0041 , G02B6/0055 , G02B6/0056
Abstract: 本发明提供了一种LCD，包括：LCD面板；光导板，包括位于LCD面板后的光导板主体和形成在光导板主体面对LCD面板的表面上的反射偏振层；光源，位于光导板的至少一侧上。由于在光导板上形成了反射偏振层，该LCD通过使用这种光导板而具有高的光效率。
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