公开(公告)号：CN111490052A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN202010142068.9

申请日：2016-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承民 ,  赵厚成 ,  南祯硕 ,  李钟旻 ,  崔容准

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11556 ,  H01L23/544

Abstract: 本公开提供了垂直存储器件。一种垂直存储器件包括：基板；多个沟道，在基板上并在垂直于基板的顶表面的第一方向上延伸；多条栅线，在基板上层叠在彼此之上；多条布线，在栅线上方并电连接到栅线；以及识别图案，在基板上处于与布线中的至少一条的层级相同的层级。栅线围绕沟道。栅线沿着第一方向彼此间隔开。

公开(公告)号：CN106847823B

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201610878702.9

申请日：2016-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承民 ,  赵厚成 ,  南祯硕 ,  李钟旻 ,  崔容准

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11556 ,  H01L23/544

Abstract: 本公开提供了垂直存储器件。一种垂直存储器件包括：基板；多个沟道，在基板上并在垂直于基板的顶表面的第一方向上延伸；多条栅线，在基板上层叠在彼此之上；多条布线，在栅线上方并电连接到栅线；以及识别图案，在基板上处于与布线中的至少一条的层级相同的层级。栅线围绕沟道。栅线沿着第一方向彼此间隔开。

公开(公告)号：CN111490052B

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202010142068.9

申请日：2016-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承民 ,  赵厚成 ,  南祯硕 ,  李钟旻 ,  崔容准

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11556 ,  H01L23/544

Abstract: 本公开提供了垂直存储器件。一种垂直存储器件包括：基板；多个沟道，在基板上并在垂直于基板的顶表面的第一方向上延伸；多条栅线，在基板上层叠在彼此之上；多条布线，在栅线上方并电连接到栅线；以及识别图案，在基板上处于与布线中的至少一条的层级相同的层级。栅线围绕沟道。栅线沿着第一方向彼此间隔开。

公开(公告)号：CN109326605A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201810788922.1

申请日：2018-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权俊瑛 ,  金伸泳 ,  孙仑焕 ,  李栽姃 ,  金俊成 ,  李承民

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11524

Abstract: 一种垂直半导体器件可以包括导电图案结构、垫结构、多个沟道结构、多个第一虚设结构和多个第二虚设结构。导电图案结构可以在衬底的第一区域中并可以在第一方向上延伸。垫结构可以在衬底的第二区域中与衬底的第一区域的相反侧的每个相邻，并可以接触导电图案结构的侧部。沟道结构可以穿过导电图案结构延伸，并可以规则地布置在衬底上。第一虚设结构可以穿过导电图案结构延伸，并可以设置在衬底的第一区域的与衬底的第二区域相邻的部分中。第二虚设结构可以在衬底上穿过垫结构延伸。沟道结构的每个可以在第一方向上具有第一宽度，第一虚设结构的每个可以在第一方向上具有大于第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN119451125A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202410982377.5

申请日：2024-07-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 明一镐 ,  劳寿星 ,  李承民 ,  韩相宇

IPC: H10B51/50 ,  H10B51/30 ,  H10B51/20

Abstract: 一种半导体存储器件，包括：衬底；模制结构，包括交替地堆叠在衬底上的多个栅电极和多个模制绝缘膜；沟道结构，在第一方向上延伸并穿透模制结构，该沟道结构包括半导体图案、以及在半导体图案与多个栅电极之间的铁电膜；沟道焊盘，在沟道结构上；以及位线接触部，连接到沟道焊盘，其中，铁电膜的最上部突出超过多个栅电极之中的最上面的栅电极，沟道焊盘包括与半导体图案接触的第一部分、以及与第一部分和位线接触部接触的第二部分，第一部分具有第一宽度，并且第二部分具有比第一宽度大的第二宽度。

公开(公告)号：CN109326605B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN201810788922.1

申请日：2018-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权俊瑛 ,  金伸泳 ,  孙仑焕 ,  李栽姃 ,  金俊成 ,  李承民

IPC: H10B41/20 ,  H10B41/35

Abstract: 一种垂直半导体器件可以包括导电图案结构、垫结构、多个沟道结构、多个第一虚设结构和多个第二虚设结构。导电图案结构可以在衬底的第一区域中并可以在第一方向上延伸。垫结构可以在衬底的第二区域中与衬底的第一区域的相反侧的每个相邻，并可以接触导电图案结构的侧部。沟道结构可以穿过导电图案结构延伸，并可以规则地布置在衬底上。第一虚设结构可以穿过导电图案结构延伸，并可以设置在衬底的第一区域的与衬底的第二区域相邻的部分中。第二虚设结构可以在衬底上穿过垫结构延伸。沟道结构的每个可以在第一方向上具有第一宽度，第一虚设结构的每个可以在第一方向上具有大于第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN106847823A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201610878702.9

申请日：2016-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承民 ,  赵厚成 ,  南祯硕 ,  李钟旻 ,  崔容准

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11556 ,  H01L23/544

Abstract: 本公开提供了垂直存储器件。一种垂直存储器件包括：基板；多个沟道，在基板上并在垂直于基板的顶表面的第一方向上延伸；多条栅线，在基板上层叠在彼此之上；多条布线，在栅线上方并电连接到栅线；以及识别图案，在基板上处于与布线中的至少一条的层级相同的层级。栅线围绕沟道。栅线沿着第一方向彼此间隔开。