公开(公告)号：CN112736081B

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202010738503.4

申请日：2020-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金哉勳 ,  朴光浩 ,  孙龙勳 ,  宋炫知 ,  李耕希 ,  郑承宰

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置可以包括：位线，在第一方向上延伸；第一导电图案，在与第一方向相交的第二方向上延伸；半导体图案，将位线与第一导电图案连接；第二导电图案，包括位于第一导电图案中的插入部；以及介电层，位于第一导电图案与第二导电图案之间。第二导电图案的插入部可以具有随着距半导体图案的距离增大而增大的宽度。

公开(公告)号：CN112510049A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN202010902350.2

申请日：2020-09-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙龙勋 ,  金哉勋 ,  朴光浩 ,  宋炫知 ,  李耕希 ,  郑承宰

IPC: H01L27/11517 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11563 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573

Abstract: 公开了一种半导体存储器件。该器件包括：在衬底上的外围电路结构；在外围电路结构上的半导体层；在半导体层上的电极结构，该电极结构包括堆叠在半导体层上的电极；垂直沟道结构，其穿透电极结构并且连接到半导体层；分离结构，其穿透电极结构，在第一方向上延伸并且将电极结构的电极水平地分成一对电极；覆盖电极结构的层间绝缘层；以及穿透层间绝缘层并且电连接到外围电路结构的贯穿接触。

公开(公告)号：CN112204503A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN201980035566.9

申请日：2019-03-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋炫知 ,  宋瑀泽 ,  李泰炅

IPC: G06F3/01 ,  G06F3/0346 ,  G06F3/038 ,  G06F3/0481 ,  G06K9/46 ,  G06T19/00

Abstract: 根据本公开的各种实施例的电子装置包括具有指定视场的一个或更多个相机、显示器、通信电路和处理器。所述处理器可被配置为：通过相机来确认所述指定视场中包括的一个或更多个外部对象中的外部电子装置，根据至少基于通过相机获得的图像信息确认的外部电子装置的第一位置信息，通过显示器显示与外部电子装置对应的图形对象，并且如果外部电子装置在所述指定视场之外，基于在外部电子装置移动到所述指定视场之外之前通过相机确认的外部电子装置的第二位置信息以及在外部电子装置移动到所述指定视场之外之后经由通信电路从外部电子装置接收到的与外部电子装置的移动相关的信息，通过显示器显示所述图形对象。