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公开(公告)号：CN106057655B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201610218069.0
申请日：2016-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其具有这样一种排列结构，其中可形成具有相对小的宽度和相对紧密的间距的高密度线图案。半导体器件包括彼此间隔开的多个线图案。所述多个线图案包括：多根主线，它们之间具有第一间隙并且在第一方向上延伸；以及多根子线，它们从所述多根主线中的每一根的一端弯曲。所述多根子线之间具有大于第一间隙的距离，并且可与在第一方向上从对应于所述多根子线的所述多根主线中的每一根的一端延伸的延伸线间隔开。
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公开(公告)号：CN114497070A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111337276.5
申请日：2021-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11573 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统，所述半导体器件包括：第一结构，包括外围电路；以及第二结构，包括：图案结构；上绝缘层；堆叠结构，所述堆叠结构在第一结构与图案结构之间，并且包括彼此间隔开的第一堆叠部和第二堆叠部，第一堆叠部和第二堆叠部分别包括交替堆叠的水平导电层和层间绝缘层；分离结构，穿透堆叠结构；存储器竖直结构，穿透第一堆叠部；以及接触结构，穿透第二堆叠部、图案结构和上绝缘层，其中，接触结构包括：下接触插塞，至少穿透第二堆叠部；以及上接触插塞，接触下接触插塞并且向上延伸以穿透图案结构和上绝缘层。
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公开(公告)号：CN114446985A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111210405.4
申请日：2021-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 一种半导体装置和电子系统，所述装置包括堆叠在外围电路结构上的单元结构，其中，单元结构包括第一层间电介质层以及在第一层间电介质层暴露并且连接至栅电极层和沟道区的第一金属焊盘，所述外围电路结构包括第二层间电介质层和在第二层间电介质层暴露并且连接至晶体管的第二金属焊盘，第一金属焊盘包括邻近的第一子焊盘和第二子焊盘，第二金属焊盘包括邻近的第三子焊盘和第四子焊盘，第一子焊盘和第三子焊盘耦接，并且第一子焊盘的宽度大于第三子焊盘的宽度，第二子焊盘和第四子焊盘耦接，并且第四子焊盘的宽度大于第二子焊盘的宽度。
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公开(公告)号：CN114388031A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111082481.1
申请日：2021-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器件和一种非易失性存储系统。所述非易失性存储器件包括上绝缘层。第一基板位于所述上绝缘层上。上层间绝缘层位于所述第一基板上。多条字线在第一方向上堆叠在所述第一基板上，并延伸穿过所述上层间绝缘层的一部分。下层间绝缘层位于所述上层间绝缘层上。第二基板位于所述下层间绝缘层上。下绝缘层位于所述第二基板上。虚设图案由填充材料构成。所述虚设图案设置在形成于所述第一基板和所述第二基板中的至少一者中的沟槽中。所述沟槽形成在所述上绝缘层与所述第一基板相接的表面和所述下绝缘层与所述第二基板相接的表面中的至少一者上。
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公开(公告)号：CN114300480A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111159083.5
申请日：2021-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L27/11573
Abstract: 提供了非易失性存储装置和包括其的非易失性存储系统。所述非易失性存储装置包括：衬底，包括第一表面和在第一方向上与所述第一表面相对的第二表面；公共源极线，位于所述衬底的所述第一表面上；多条字线，堆叠在所述公共源极线上；第一绝缘图案，在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述多条字线间隔开，并且位于所述衬底中；绝缘层，位于所述衬底的所述第二表面上；第一接触插塞，穿透所述第一绝缘图案并在所述第一方向上延伸；第二接触插塞，穿透所述绝缘层，在所述第一方向上延伸，并连接到所述第一接触插塞；上接合金属，连接到所述第一接触插塞并连接到电路元件；以及第一输入/输出焊盘，连接到所述第二接触插塞并电连接到所述电路元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111952305B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202010135776.X
申请日：2020-03-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种集成电路装置及其制造方法。该集成电路装置包括：下存储器堆叠件，其包括位于衬底上的多条下字线；上存储器堆叠件，其位于下存储器堆叠件上并且包括多条上字线；至少一个第一下互连层，其在下存储器堆叠件与上存储器堆叠件之间在第一竖直高度在水平方向上延伸，并且被构造为电连接至从所述多条下字线中选择的至少一条下字线；分离的绝缘膜，其覆盖至少一个第一下互连层；以及至少一个第一上互连层，其在高于上存储器堆叠件的第二竖直高度在水平方向上延伸，并且被构造为电连接至从上字线中选择的至少一条上字线。
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公开(公告)号：CN114388489A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111199098.4
申请日：2021-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , G11C16/04
Abstract: 一种存储器件，包括：第一结构；以及在第一结构上的第二结构，其中第一结构包括：第一基板；在第一基板上的外围电路；第一绝缘层，覆盖第一基板和外围电路；第一接合焊盘，在第一绝缘层上，第二结构包括：第二基板；在第二基板的第一表面上的存储单元阵列；第二绝缘层，覆盖第二基板的第一表面和存储单元阵列；导电图案，至少部分地从第二基板的第二表面凹入；以及第二接合焊盘，在第二绝缘层上，第一接合焊盘接触第二接合焊盘，导电图案与第二绝缘层间隔开。
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公开(公告)号：CN114284294A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111045455.1
申请日：2021-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , G11C5/02 , G11C5/06
Abstract: 提供了一种非易失性存储器件和一种非易失性存储系统，所述非易失性存储器件包括：衬底，沿第一方向延伸；接地选择线，在所述衬底上沿所述第一方向延伸；多条字线，顺序地堆叠在所述接地选择线上并沿所述第一方向延伸；定位焊盘，在所述第一方向上与所述接地选择线和所述多条字线间隔开；后接触插塞，连接到所述定位焊盘的下表面并且沿与所述第一方向相交的第二方向延伸；前接触插塞，连接到所述定位焊盘的与所述下表面相对的上表面并且沿所述第二方向延伸；输入/输出焊盘，电连接到所述后接触插塞；以及上接合焊盘，电连接到所述前接触插塞并且连接到所述非易失性存储器件的多个电路元件中的至少一部分电路元件。
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公开(公告)号：CN111952305A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010135776.X
申请日：2020-03-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11517 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/11565 , H01L27/11568 , H01L27/11563
Abstract: 提供了一种集成电路装置及其制造方法。该集成电路装置包括：下存储器堆叠件，其包括位于衬底上的多条下字线；上存储器堆叠件，其位于下存储器堆叠件上并且包括多条上字线；至少一个第一下互连层，其在下存储器堆叠件与上存储器堆叠件之间在第一竖直高度在水平方向上延伸，并且被构造为电连接至从所述多条下字线中选择的至少一条下字线；分离的绝缘膜，其覆盖至少一个第一下互连层；以及至少一个第一上互连层，其在高于上存储器堆叠件的第二竖直高度在水平方向上延伸，并且被构造为电连接至从上字线中选择的至少一条上字线。
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公开(公告)号：CN106057655A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610218069.0
申请日：2016-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其具有这样一种排列结构，其中可形成具有相对小的宽度和相对紧密的间距的高密度线图案。半导体器件包括彼此间隔开的多个线图案。所述多个线图案包括：多根主线，它们之间具有第一间隙并且在第一方向上延伸；以及多根子线，它们从所述多根主线中的每一根的一端弯曲。所述多根子线之间具有大于第一间隙的距离，并且可与在第一方向上从对应于所述多根子线的所述多根主线中的每一根的一端延伸的延伸线间隔开。
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