薄膜晶体管基板的制造方法

    公开(公告)号:CN101261961A

    公开(公告)日:2008-09-10

    申请号:CN200810083158.4

    申请日:2008-03-07

    Inventor: 金润熙 姜镐民

    CPC classification number: H01L27/1288 H01L27/1214 H01L27/1255 H01L29/66765

    Abstract: 根据一种薄膜晶体管(TFT)基板的制造方法,栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层和数据金属层顺序形成于基板上。光致抗蚀剂图案形成于源电极区域和漏电极区域中。使用该光致抗蚀剂图案作为蚀刻停止层,数据金属层被蚀刻以形成包括源电极和漏电极的数据布线。光致抗蚀剂图案被回流以覆盖该源电极和该漏电极之间的沟道区。使用回流的光致抗蚀剂图案作为蚀刻停止层,该欧姆接触层和半导体层被蚀刻以形成包括欧姆接触图案和半导体图案的有源图案。回流的光致抗蚀剂图案被回蚀刻以露出该沟道区内的该欧姆接触图案的一部分。使用回蚀刻的光致抗蚀剂图案作为蚀刻停止层,该欧姆接触图案被蚀刻。

    用于表面粘附的夹具和真空设备及粘附方法

    公开(公告)号:CN1932600A

    公开(公告)日:2007-03-21

    申请号:CN200610144725.3

    申请日:2006-08-04

    CPC classification number: H01L21/67363

    Abstract: 本发明提供了一种可用于在真空环境中将粘附对象粘附到待粘附对象上的夹具以及在该粘附方法中使用的真空设备。夹具包括一起限定用于接收第一和第二对象的腔室的第一框架和第二框架。第一框架包括具有多个坐槽的支座部分和设置在每个坐槽下方的致动器,致动器可相对于坐槽移动。第一弹性元件在夹具中设置在致动器下方。第一弹性元件定位成,其响应于夹具腔室内的压力变化而能够接触和移动致动器。第二框架包括第二弹性元件,第二弹性元件定位成邻近每个坐槽。第二弹性元件可以随着夹具腔室内的压力变化而移动。

    薄膜晶体管基板的制造方法

    公开(公告)号:CN101261961B

    公开(公告)日:2010-12-15

    申请号:CN200810083158.4

    申请日:2008-03-07

    Inventor: 金润熙 姜镐民

    CPC classification number: H01L27/1288 H01L27/1214 H01L27/1255 H01L29/66765

    Abstract: 根据一种薄膜晶体管(TFT)基板的制造方法,栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层和数据金属层顺序形成于基板上。光致抗蚀剂图案形成于源电极区域和漏电极区域中。使用该光致抗蚀剂图案作为蚀刻停止层,数据金属层被蚀刻以形成包括源电极和漏电极的数据布线。光致抗蚀剂图案被回流以覆盖该源电极和该漏电极之间的沟道区。使用回流的光致抗蚀剂图案作为蚀刻停止层,该欧姆接触层和半导体层被蚀刻以形成包括欧姆接触图案和半导体图案的有源图案。回流的光致抗蚀剂图案被回蚀刻以露出该沟道区内的该欧姆接触图案的一部分。使用回蚀刻的光致抗蚀剂图案作为蚀刻停止层,该欧姆接触图案被蚀刻。

    薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

    公开(公告)号:CN100521189C

    公开(公告)日:2009-07-29

    申请号:CN200610006610.8

    申请日:2006-01-26

    Abstract: 本发明涉及一种用于提供包括铜合金的信号线的系统和技术,所述铜合金包括钼、钨和铬中的至少一种。本公开提供薄膜晶体管阵列面板,包括:绝缘基板;形成在该绝缘基板上的栅极线;形成在该栅极线上的栅极绝缘层;形成在该栅极绝缘层上的半导体层;形成在该栅极绝缘层和该半导体层上的欧姆接触;具有形成在该欧姆接触之一上且具有比其下的欧姆接触窄的宽度的源极电极的数据线;以其间一间隙对着该源极电极且具有比其下的欧姆接触窄的宽度的漏极电极;以及连接至所述漏极电极的像素电极,其中所述栅极线和所述数据线中的至少一种包括Cu合金,所述Cu合金包括Cu以及选自含有钼(Mo)、钨(W)和铬(Cr)的组的一种。

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