公开(公告)号：CN1987570A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200610064054.X

申请日：2006-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜镐民 ,  闵勋基 ,  沈承焕 ,  洪性秀 ,  朴鲜 ,  许成权

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/1362 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  H01L21/00 ,  C01B31/00

CPC classification number: H05K3/388 ,  H01L21/76841 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908 ,  H05K2201/0323 ,  Y10T428/2933

Abstract: 在一种金属线路、形成该金属线路的方法、具有该金属线路的显示器基板以及该显示器基板的制造方法中，金属线路包括金属膜和第一无定形碳膜。金属膜利用含铜材料形成在基片上，第一无定形碳膜形成在金属膜下面。形成包括无定形碳膜的金属线路的方法可以大大地简化，并且可以防止或减少在金属线路中产生缺陷。

公开(公告)号：CN1828886A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610006610.8

申请日：2006-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许成权 ,  闵勋基 ,  姜镐民 ,  李仁成 ,  洪性秀 ,  安基完

IPC: H01L23/532 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/458 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3279

Abstract: 本发明涉及一种用于提供包括铜合金的信号线的系统和技术，所述铜合金包括钼、钨和铬中的至少一种。本公开提供薄膜晶体管阵列面板，包括：绝缘基板；形成在该绝缘基板上的栅极线；形成在该栅极线上的栅极绝缘层；形成在该栅极绝缘层上的半导体层；形成在该栅极绝缘层和该半导体层上的欧姆接触；具有形成在该欧姆接触之一上且具有比其下的欧姆接触窄的宽度的源极电极的数据线；以其间一间隙对着该源极电极且具有比其下的欧姆接触窄的宽度的漏极电极；以及连接至所述漏极电极的象素电极，其中所述栅极线和所述数据线中的至少一种包括Cu合金，所述Cu合金包括Cu以及选自含有钼(Mo)、钨(W)和铬(Cr)的组的一种。

公开(公告)号：CN1987570B

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200610064054.X

申请日：2006-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜镐民 ,  闵勋基 ,  沈承焕 ,  洪性秀 ,  朴鲜 ,  许成权

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/1362 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  H01L21/00 ,  C01B31/00

CPC classification number: H05K3/388 ,  H01L21/76841 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908 ,  H05K2201/0323 ,  Y10T428/2933

Abstract: 在一种金属线路、形成该金属线路的方法、具有该金属线路的显示器基板以及该显示器基板的制造方法中，金属线路包括金属膜和第一无定形碳膜，其中所述第一无定形碳膜的由所述金属膜暴露的部分在去除光致抗蚀剂图案的同时被去除。金属膜利用含铜材料形成在基片上，第一无定形碳膜形成在金属膜下面。形成包括无定形碳膜的金属线路的方法可以大大地简化，并且可以防止或减少在金属线路中产生缺陷。

公开(公告)号：CN100521189C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200610006610.8

申请日：2006-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许成权 ,  闵勋基 ,  姜镐民 ,  李仁成 ,  洪性秀 ,  安基完

IPC: H01L23/532 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/458 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3279

Abstract: 本发明涉及一种用于提供包括铜合金的信号线的系统和技术，所述铜合金包括钼、钨和铬中的至少一种。本公开提供薄膜晶体管阵列面板，包括：绝缘基板；形成在该绝缘基板上的栅极线；形成在该栅极线上的栅极绝缘层；形成在该栅极绝缘层上的半导体层；形成在该栅极绝缘层和该半导体层上的欧姆接触；具有形成在该欧姆接触之一上且具有比其下的欧姆接触窄的宽度的源极电极的数据线；以其间一间隙对着该源极电极且具有比其下的欧姆接触窄的宽度的漏极电极；以及连接至所述漏极电极的像素电极，其中所述栅极线和所述数据线中的至少一种包括Cu合金，所述Cu合金包括Cu以及选自含有钼(Mo)、钨(W)和铬(Cr)的组的一种。