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公开(公告)号：CN108108810A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711191140.1
申请日：2017-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储装置包括非易失性存储器件、缓冲存储器、控制器和神经形态芯片。神经形态芯片被配置为基于访问结果信息和访问环境信息生成访问分类器。控制器被配置为使用缓冲存储器执行对非易失性存储器件的第一访问，并且收集缓冲存储器中的第一访问的访问结果信息和访问环境信息。控制器被配置为使用缓冲存储器执行非易失性存储器件的第二访问。控制器被配置为通过使用与第二访问和访问分类器相关联的访问环境信息来获得与第二访问相关联的访问参数的预测结果。
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公开(公告)号：CN107564562A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710521176.5
申请日：2017-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3418 , G06F3/0679 , G11C7/04 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C16/3422 , G11C16/3427 , G11C16/3431 , G11C16/349 , G11C16/3495
Abstract: 存储设备包括非易失性存储器设备和控制器。非易失性存储器设备包括多个存储块，多个存储块中的每个包括存储单元。控制器在读取操作期间从自存储块中所选择的存储块的选择的存储单元读取数据。该选择的存储单元对应于被选择作为读取目标的字线和串选择线两者。控制器将读取计数增加对应于选择的存储块的选择的字线和串选择线的读取权重，并且如果读取计数达到阈值，则对选择的存储单元执行刷新操作。在选择的存储块中，根据串选择线和字线的位置分配两个或更多个读取权重。
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公开(公告)号：CN110827907B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN201910733387.4
申请日：2019-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种储存设备，包括：非易失性存储器器件，包括存储器块和存储器控制器。存储器块包括与第一字线连接的第一存储器区域和与第二字线连接的第二存储器区域。存储器控制器基于第一存储器区域的第一读取电压设置读取块电压。存储器控制器基于变化信息和读取块电压确定第二存储器区域的第二读取电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107957851B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201710892707.1
申请日：2017-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 一种存储器系统包括多个存储装置，所述存储装置分别包括非易失性存储器装置。客户机装置被配置成收集从所述存储装置提供的所述非易失性存储器装置的劣化信息。服务器装置被配置成接收所收集劣化信息并通过基于所收集劣化信息以及初始劣化信息执行机器学习来实时地预测所述非易失性存储器装置的劣化程度。所述客户机装置基于来自所述服务器装置的所述非易失性存储器装置的劣化程度来确定所述非易失性存储器装置的读取电平。所述存储装置将所述非易失性存储器装置设定成基于在所述客户机装置中确定的所述读取电平来运行。
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公开(公告)号：CN112863579A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011349291.7
申请日：2020-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储装置及其操作方法。所述存储装置包括非易失性存储器和存储器控制器。非易失性存储器包括均包含多条字线的存储器块。存储器控制器确定所述多条字线中的每条字线的字线强度，基于字线强度调整所述多条字线中的每条字线的状态计数，并且调整所述多条字线中的每条字线的编程参数以减小所述多条字线之间的编程时间变化。
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公开(公告)号：CN110827907A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910733387.4
申请日：2019-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种储存设备，包括：非易失性存储器器件，包括存储器块和存储器控制器。存储器块包括与第一字线连接的第一存储器区域和与第二字线连接的第二存储器区域。存储器控制器基于第一存储器区域的第一读取电压设置读取块电压。存储器控制器基于变化信息和读取块电压确定第二存储器区域的第二读取电压。
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公开(公告)号：CN109521951A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811085087.1
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G06F3/0653 , G06F3/0619 , G06F3/0679 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C29/028 , G06F3/0604 , G06F3/0638
Abstract: 一种特征数据预处理系统包括：数据获取设备，其收集包括根据第一默认读取电平定义的第一单元分布数据和根据第二默认读取电平定义的第二单元分布数据的特征数据；数据预处理装置，据根据剪裁范围合并第一单元分布数据和第二单元分布数来生成训练数据，其中剪裁范围是根据第一默认电平和第二默认电平来定义的；以及数据库，其存储从数据预处理装置通信的训练数据。
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公开(公告)号：CN107957851A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201710892707.1
申请日：2017-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G11C16/349 , G06N99/005 , G11C7/14 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/04 , G11C29/42 , G11C29/52 , G06F3/0614 , G06F3/0653
Abstract: 一种存储器系统包括多个存储装置，所述存储装置分别包括非易失性存储器装置。客户机装置被配置成收集从所述存储装置提供的所述非易失性存储器装置的劣化信息。服务器装置被配置成接收所收集劣化信息并通过基于所收集劣化信息以及初始劣化信息执行机器学习来实时地预测所述非易失性存储器装置的劣化程度。所述客户机装置基于来自所述服务器装置的所述非易失性存储器装置的劣化程度来确定所述非易失性存储器装置的读取电平。所述存储装置将所述非易失性存储器装置设定成基于在所述客户机装置中确定的所述读取电平来运行。
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