-
公开(公告)号：CN114446992A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111280096.8
申请日：2021-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11568
Abstract: 一种半导体器件，包括：图案结构；堆叠结构，包括在所述图案结构上在第一区域中堆叠并延伸到第二区域中的栅极层；存储器竖直结构，在所述第一区域中穿透所述堆叠结构；栅极接触插塞，在所述第二区域中电连接到所述栅极层；以及第一外围接触插塞，与所述栅极层间隔开，所述栅极层包括第一栅极层，所述栅极接触插塞包括电连接到所述第一栅极层的第一栅极接触插塞，所述第一栅极接触插塞和所述第一外围接触插塞的侧表面具有不同数量的上弯曲部，并且所述第一栅极接触插塞的侧表面的上弯曲部的数量大于所述第一外围接触插塞的侧表面的上弯曲部的数量。
Search Results
11
records
(took 0.016 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
