公开(公告)号：CN105633161A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510611794.X

申请日：2015-09-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金琯英 ,  俞在炫 ,  卢镇铉 ,  孟佑烈 ,  全镕宇

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L23/528 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7855

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，该半导体器件包括第一鳍、与第一鳍分离的第二鳍、以及位于第一鳍和第二鳍上的栅极。栅极与第一鳍和第二鳍交叉。第一鳍包括位于栅极两侧的第一掺杂区。第一掺杂区配置为具有施加至其上的第一电压。第二鳍包括位于栅极两侧的第二掺杂区。第二掺杂区配置为具有施加至其上的第二电压。第二电压不同于第一电压。

公开(公告)号：CN105609557B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201510696617.6

申请日：2015-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 庐镇铉 ,  金寿台 ,  俞在炫 ,  李炳烈 ,  全钟声

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 提供了半导体装置，所述半导体装置包括：沟道层，位于基底上，沟道层包括晶格常数与基底的晶格常数不同的材料；第一栅电极，位于沟道层上；第一导电类型的第一源区，位于第一栅电极的第一侧处；第二导电类型的第一主体区，位于第一源区下方并且与第一源区接触；第一导电类型的第一漏区，设置在第一栅电极的第二侧处；第一导电类型的第一漂移区，位于第一漏区下方并且与第一漏区接触；第一柱区，位于沟道层和第一漂移区中。第一柱区具有比第一漂移区的杂质浓度高的杂质浓度。

公开(公告)号：CN105633085A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510795235.9

申请日：2015-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞在炫 ,  卢镇铉 ,  金寿台 ,  李炳烈 ,  张成熏 ,  全钟声

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/94 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/94 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/1041 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7838 ,  H01L29/7851 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10829 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/945

Abstract: 半导体器件包括：基板，该基板包括具有第一掺杂浓度的第一杂质扩散区域和具有不同于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的至少一个第二杂质扩散区域，至少一个第二杂质扩散区被所述第一杂质扩散区域围绕；至少一个电极，面对第一杂质扩散区域和至少一个第二杂质扩散区域；和至少一个绝缘层，在第一杂质扩散区域与至少一个电极之间以及在至少一个第二杂质扩散区域与至少一个电极之间。

公开(公告)号：CN105590963A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201510753020.0

申请日：2015-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞在炫 ,  金琯英 ,  卢镇铉 ,  孟佑烈 ,  全基文 ,  全镕宇

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/1045 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7816 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66681

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：基板，具有第一导电类型的有源区；在有源区中的第二导电类型的漂移区；覆盖有源区并在漂移区上的栅极；设置在有源区和栅极之间的栅绝缘膜；第二导电类型的漏极区，在漂移区中的与栅极间隔开的位置处，并具有比漂移区高的掺杂浓度；第一导电类型的浅阱区，在漂移区中与漏极区间隔开并在栅极和漏极区之间；和第二导电类型的源极区，形成在栅极和漏极区之间的第一导电类型的浅阱区中并具有比第一导电类型的浅阱区高的掺杂浓度。