公开(公告)号：CN105609557B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201510696617.6

申请日：2015-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 庐镇铉 ,  金寿台 ,  俞在炫 ,  李炳烈 ,  全钟声

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 提供了半导体装置，所述半导体装置包括：沟道层，位于基底上，沟道层包括晶格常数与基底的晶格常数不同的材料；第一栅电极，位于沟道层上；第一导电类型的第一源区，位于第一栅电极的第一侧处；第二导电类型的第一主体区，位于第一源区下方并且与第一源区接触；第一导电类型的第一漏区，设置在第一栅电极的第二侧处；第一导电类型的第一漂移区，位于第一漏区下方并且与第一漏区接触；第一柱区，位于沟道层和第一漂移区中。第一柱区具有比第一漂移区的杂质浓度高的杂质浓度。

公开(公告)号：CN105609557A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201510696617.6

申请日：2015-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 庐镇铉 ,  金寿台 ,  俞在炫 ,  李炳烈 ,  全钟声

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 提供了半导体装置，所述半导体装置包括：沟道层，位于基底上，沟道层包括晶格常数与基底的晶格常数不同的材料；第一栅电极，位于沟道层上；第一导电类型的第一源区，位于第一栅电极的第一侧处；第二导电类型的第一主体区，位于第一源区下方并且与第一源区接触；第一导电类型的第一漏区，设置在第一栅电极的第二侧处；第一导电类型的第一漂移区，位于第一漏区下方并且与第一漏区接触；第一柱区，位于沟道层和第一漂移区中。第一柱区具有比第一漂移区的杂质浓度高的杂质浓度。