公开(公告)号：CN109524399A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201811082775.2

申请日：2018-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任桐贤 ,  金旲炫 ,  朴训 ,  徐在洪 ,  郑天炯 ,  崔在中

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 本公开提供了半导体存储器件及其制造方法。一种制造半导体存储器件的方法包括：蚀刻基板以形成与基板的有源区交叉的沟槽；在沟槽的底表面和侧表面上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成第一栅电极，该第一栅电极填充沟槽的下部；氧化第一栅电极的顶表面以形成初始阻挡层；氮化初始阻挡层以形成阻挡层；以及在阻挡层上形成第二栅电极，该第二栅电极填充沟槽的上部。

公开(公告)号：CN101132008A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200710146502.5

申请日：2007-08-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许长垠 ,  崔锡宪 ,  任桐贤 ,  刘东哲 ,  金益秀

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/532 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/57

Abstract: 本发明提供了用于金属图案与铁电电容器的直接连接的FeRAM器件构造及其制造方法。FeRAM器件构造利用包含在导电塞中的一个或多个阻挡层的组合、包含在主导电图案或利用一种或多种贵金属形成的导电图案中的阻挡层，来抑制与传统的FeRAM构造相关的参量移位。