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公开(公告)号:CN112154376B
公开(公告)日:2023-08-18
申请号:CN201980031898.X
申请日:2019-06-12
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: G03F1/64 , H01L21/673
Abstract: 提供支撑框、在该支撑框上设置有极紫外光光刻用的防护膜的防护膜组件、和支撑框的制造方法、以及使用它们的曝光原版和曝光装置,该支撑框在通气孔上设置有能够容易装卸的过滤器,并能够设置极紫外光光刻用的防护膜。提供的防护膜组件用支撑框,具有第一支撑框部、第二支撑框部和过滤器,所述过滤器具有平板状的框形状,被所述第一支撑框部和所述第二支撑框部夹持,所述第一支撑框部具有:第一主体部,具有平板状的框形状;以及第一卡合部,从所述第一主体部向所述防护膜组件用支撑框的厚度方向突出,所述第二支撑框部具有:第二主体部,具有平板状的框形状;以及第二卡合部,配置在所述第二主体部的沿所述防护膜组件用支撑框的厚度方向设置的凹部,并与所述第一卡合部卡合。
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公开(公告)号:CN112088334A
公开(公告)日:2020-12-15
申请号:CN201980017088.9
申请日:2019-03-01
Applicant: 三井化学株式会社
Abstract: 本发明提供抑制了从粘接层产生释气的防护膜组件。防护膜组件(100)具有:防护膜(101);支撑上述防护膜的支撑框(103);设置于上述支撑框的突起部(105);设置于上述突起部的第1粘接层(107);以及无机物层,上述无机物层与上述第1粘接层相比设置在上述防护膜所处的一侧。上述无机物层可以包含第1无机物层(109),上述第1无机物层(109)设置于上述第1粘接层中作为与上述防护膜交叉的方向的侧面的、上述防护膜所处一侧的第1侧面(121)。
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公开(公告)号:CN109416505A
公开(公告)日:2019-03-01
申请号:CN201780042244.8
申请日:2017-06-30
Abstract: 本发明提供:一种能够有效地抑制因贴附防护膜组件(1)而引起的曝光原版(8)的变形、且不具有复杂形状的防护膜框架(2);使用该防护膜框架的防护膜组件;以及,能够降低在聚光灯下表面晃眼的缺陷、且为了容易地进行使用前的异物附着检查等而黑色化的防护膜框架的制造方法。一种防护膜框架,其特征在于:在铝合金制框架的表面具有阳极氧化膜,该铝合金制框架由铝合金构成,该铝合金含有5.0~10.0质量%的Ca且剩余部分为铝和不可避免的杂质,该铝合金中作为分散相的Al4Ca相的面积(体积)率为25%以上,该Al4Ca相的一部分的晶体结构是单斜晶,并且,分散于阳极氧化膜的Al4Ca相被阳极氧化,阳极氧化膜被黑色染料染色。
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公开(公告)号:CN109313385A
公开(公告)日:2019-02-05
申请号:CN201780035395.0
申请日:2017-06-20
Applicant: 三井化学株式会社
Abstract: 本发明提供尘埃等的附着降低了的EUV用防护膜、防护膜组件框体、防护膜组件及其制造方法。本发明提供防护膜组件的制造方法,在基板(200)上形成防护膜(202),在上述基板的与形成有上述防护膜的面相反侧的面上形成金属的掩模(204),从上述金属掩模侧除去上述基板的一部分,除去上述金属掩模。根据本发明的一个实施方式,本发明能够提供尘埃等的附着降低了的EUV用防护膜、防护膜组件框体、防护膜组件及其制造方法。
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公开(公告)号:CN101015050B
公开(公告)日:2010-10-06
申请号:CN200580029618.X
申请日:2005-09-01
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/7682 , H01L21/76802 , H01L21/76826 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L2221/1047
Abstract: 本发明提供一种具有足够低的介电常数和高机械强度的(具有夹层绝缘膜的)半导体器件。半导体器件的制备方法包括:在其上形成所需的元件区域的半导体基片表面上形成电介质薄膜的步骤,在所述电介质薄膜中围绕主要由Si-O键形成的骨架排列有多个孔;通过掩膜在电介质薄膜表面上图案化的步骤;和使含有四甲基环四硅氧烷(TMCTS)、六甲基二硅氮烷(HMDS)和三甲基氯硅烷(TMCS)分子中的至少一种的气体与所述电介质薄膜的图案化的表面接触的步骤。
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公开(公告)号:CN101010794B
公开(公告)日:2010-06-23
申请号:CN200580029617.5
申请日:2005-09-01
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/76826 , H01L21/2855 , H01L21/32051 , H01L21/76802 , H01L21/7682 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76843 , H01L2221/1047
Abstract: 本发明提供一种具有在电介质薄膜和导电层之间的提高的附着力和高可靠性的具有配线结构的半导体器件。具体公开了一种半导体的制备方法,该方法包括:在电介质薄膜表面上供应反应性等离子体以进行预处理的步骤,在所述电介质薄膜中围绕主要由Si-O键形成的骨架排列有多个孔;通过溅射方法在预处理的电介质薄膜表面上形成导电膜的步骤。该方法的特征在于,在预处理步骤之前,还具有使含有四甲基环四硅氧烷(TMCTS)、六甲基二硅氮烷(HMDS)和三甲基氯硅烷(TMCS)分子中的至少一种的气体与所述电介质薄膜表面接触。
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公开(公告)号:CN110545997B
公开(公告)日:2022-05-24
申请号:CN201880027357.5
申请日:2018-04-24
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: B32B7/12 , C09J11/06 , C09J179/02 , C09J183/04 , C09J201/02 , H01L21/02
Abstract: 一种基板层叠体,其依次层叠有第1基板、粘接层以及第2基板,所述粘接层包含化合物(A)与交联剂(B)的反应产物,所述化合物(A)具有包含伯氮原子和仲氮原子中的至少一个的阳离子性官能团,且重均分子量为90以上40万以下,所述交联剂(B)在分子内具有3个以上‑C(=O)OX基(X为氢原子或碳原子数1以上6以下的烷基),3个以上‑C(=O)OX基中,1个以上6个以下为‑C(=O)OH基,且重均分子量为200以上600以下,上述化合物(A)包含选自由重均分子量1万以上40万以下的脂肪族胺、以及具有硅氧烷键(Si‑O键)和氨基的重均分子量130以上10000以下的化合物所组成的组中的至少1种。
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