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公开(公告)号：CN102812153A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201180011521.1
申请日：2011-03-08
Applicant: EMD株式会社
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3407 , C23C14/3464 , H01J37/34 , H01J37/3488
Abstract: 本发明的目的在于提供一种溅镀装置，能够使高密度的等离子体高效地产生于溅镀靶表面，从而能够高速度成膜。并且，本发明的目的在于提供一种构造简单且溅镀靶的装卸及保养检查等较为容易的大面积溅镀装置及等离子体处理装置。本发明的溅镀装置是在真空容器的一部分安装有感应耦合型天线导体板的溅镀装置，其中；将溅镀靶板安装于上述感应耦合型天线导体的等离子体形成空间侧，将上述天线导体的一侧的瑞部连接至高频电源，且经由电容器而使相对置的另一侧的端部接地。另外，一并设置多个天线导体而构成大面积溅镀装置。
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公开(公告)号：CN102349357A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201080011245.4
申请日：2010-03-10
Applicant: EMD株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C16/505 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/321
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其中，在真空容器内形成强的高频感应电场且能够使等离子体的密度分布更加均匀，并且，能够防止因颗粒的发生或高频天线的导体的溅射而引起的基体污染。本发明的等离子体处理装置(10)是基于高频放电的感应耦合方式的等离子体处理装置，其特征在于，具备：真空容器(11)、在所述真空容器(11)的壁的内面(111B)和外面(111A)之间所设置的天线配置部(12)、配置于所述天线配置部(12)的且不卷绕成圈地形成终端的一个高频天线、将所述天线配置部(12)和所述真空容器的内部(112)隔开的电介质制的分隔件(15)，所述高频天线(13)的长度比该高频波的1/4波长的长度短。
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公开(公告)号：CN102027811A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200980117009.8
申请日：2009-05-21
IPC: H05H1/46 , C23C16/507 , H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H01J37/3266
Abstract: 在具有兼作真空容器一部分的长方形开口部的凸缘上，设有平板状的高频天线导体(13)，使其夹住围着该开口部的绝缘碍子框体并覆盖住该开口部。在这个构造中，高频天线导体的沿着长边的一端通过匹配箱连接高频电源，另一端接地，使得高频电流由高频天线导体的一端往另一端流动而供电。如此一来，能够降低高频天线导体的阻抗，并能够有效率地产生低电子温度的高密度等离子体。
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公开(公告)号：CN115399076A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180026077.4
申请日：2021-05-07
Applicant: EMD株式会社
Inventor： 江部明宪
Abstract: 提供一种设置在用以使在气体流路内流动的气体电离以生成等离子的气体处理装置内，以防止产生漏电及非期望的放电的电介质阻挡放电型等离子生成装置。等离子生成装置(10)，具备；交流电源(14)、一方配置在气体流路内而另一方构成该气体流路的导电体制的壁的电源电极(111)及接地电极(121)、将交流电源(14)与电源电极(111)加以电性连接的非可挠性的连接材(13)、以及覆盖电源电极(111)与接地电极(121)中的一方与另一方的电极对向之侧的绝缘材(电源侧绝缘材(121)、接地侧绝缘材(122))。通过非可挠性的连接材(13)的使用，即使振动从气体流路内流动的气体通过电源电极(111)传递至连接材(13)，亦不会有连接材(13)意外的接触或靠近等离子生成装置(10)中电源电极以外的构件，因此能防止漏电及非期望的放电。
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公开(公告)号：CN113539774A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110367273.X
申请日：2021-04-06
Abstract: 本发明提供一种即便在用以生成等离子的高频中，亦能有效率地流通大电流的高频天线及使用该高频天线的等离子处理装置。本发明的高频天线(11)由金属纤维片所构成。本发明的等离子处理装置具备：真空容器(21)，在壁部(211)具有开口部(213)；高频天线(11)，配置在开口部(213)，由金属纤维片所构成；以及电介质制的保护板(12)，以将开口部(213)气密地封闭的方式，设在与高频天线(11)相比更靠真空容器(21)的内部侧。由金属纤维片所构成的高频天线(11)，由于表面积较由同形状的金属板所构成的高频天线大，因此，相对高频电流的阻抗低。因此，可更有效率地使为了生成等离子而通常使用(例如，频率13.56MHz)的高频电流，以大电流形式流通。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109479369A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780038613.6
申请日：2017-06-16
Applicant: EMD株式会社
Inventor： 江部明宪
IPC: H05H1/46 , C23C16/505 , H01L21/205 , H01L21/265 , H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种能够在气体充分电离的状态下将等离子提供至等离子处理空间的等离子源。等离子源(10)是用于向进行使用了等离子的处理的等离子处理空间提供等离子的装置，具备：等离子生成室(11)；开口(12)，使等离子生成室(11)与等离子处理空间连通；高频天线(13)，被设置于能够将生成等离子所需要的规定强度的高频电磁场生成到等离子生成室(11)内的位置，并且是匝数小于1匝的线圈；电压施加电极(14)，被设置于等离子生成室(11)内的靠近该开口(12)的位置；和气体提供部(气体提供管)(15)，将等离子原料气体提供到等离子生成室(13)内的比等离子施加电极(14)更靠开口(12)的相反侧的位置。
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公开(公告)号：CN101971715B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN200980107376.X
申请日：2009-03-03
Applicant: EMD株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/321 , H01J37/3211
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高频天线单元，其可在真空容器内产生高密度的放电等离子。本发明的高频天线单元的特征为，包括用以流动高频电流的高频天线(11)、被设置在高频天线之中位于真空容器内的部分的周围的绝缘体制作的保护管(12)、及上述高频天线(11)与上述保护管(12)之间的缓冲区域(13)。在此，“缓冲区域”表示抑制电子加速的区域，例如，可由真空或绝缘体形成。通过这种构成，因为可抑制在天线(11)及保护管(12)之间发生放电，故可在真空容器内产生高密度的放电等离子。
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公开(公告)号：CN102144044B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN200980133584.7
申请日：2009-08-25
Applicant: EMD株式会社
CPC classification number: H01J37/3408 , C23C14/3407 , C23C14/358 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/3411 , H01J37/3417
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够以较快的速度进行溅镀处理的溅镀薄膜形成装置。溅镀薄膜形成装置(10)具备下述构成：真空容器(11)、设于真空容器(11)内的靶保持器(13)、设成与靶保持器(13)相对向的基板保持器(14)、用以在靶保持器(13)与基板保持器(14)之间施加电压的电源(15)、设置于靶保持器(13)背面的用以生成具有与靶(T)平行的分量的磁场的磁控管溅镀用磁铁(12)、用以在磁控管溅镀用磁铁(12)所生成的规定强度以上的磁场所存在的靶T附近的区域生成高频感应耦合等离子的高频天线(16)。藉由以高频天线(16)所生成的高频感应耦合等离子，可促进电子供给至上述磁场内，故可以较快的速度进行溅镀处理。
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公开(公告)号：CN102349356A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201080011018.1
申请日：2010-03-10
Applicant: EMD株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C16/505 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32477 , H05H1/46 , H05H2001/4667
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其能够在真空容器内形成强的感应电磁场，且能够防止天线导体的溅射或温度上升及颗粒的产生。本发明的等离子体处理装置(10)具备：真空容器(11)；高频天线(21)，其配置于所述真空容器(11)的壁的内面(111A)和外面(111B)之间；电介质制成的分隔件(16)，其将所述高频天线(21)和所述真空容器(11)的内部加以隔开。由此，与外部天线方式相比，能够在真空容器(11)内形成强感应电磁场。另外，利用分隔件(16)能够抑制由真空容器(11)内生成的等离子体引起的高频天线(21)被溅射或高频天线(21)的温度上升及颗粒产生。
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公开(公告)号：CN103202105A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201180042545.3
申请日：2011-09-09
Applicant: EMD株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C16/509 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/46 , C23C16/507 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32119 , H01J37/32477 , H05H2001/4667
Abstract: 本发明公开一种等离子处理装置，其能够以比外部天线方式的等离子处理装置高的密度生成等离子，并且能够抑制作为内部天线方式的问题点的、杂质向被处理物的混入或颗粒的产生。本发明的等离子处理装置具有金属制的真空容器(11)、在真空容器(11)的上壁(112)设置的贯通孔(空洞)的内部配置有高频天线(18)的天线配置部(14)、以及覆盖上壁(112)的内表面(1121)整体的电介质制的分隔板(15)。在该等离子处理装置中，通过上壁(112)的内表面(1121)侧整体由分隔板(15)覆盖，由此在内表面(1121)与分隔板(15)之间不会产生台阶，因此能够防止在台阶部分产生附着物引起的颗粒的产生。
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