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公开(公告)号：CN1236551C
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN00810734.3
申请日：2000-07-24
Applicant: 新泻精密株式会社
CPC classification number: H03B5/1841 , H01F17/0006 , H01F17/0013 , H01F27/34 , H01F27/38 , H01F2017/0046 , H01L23/522 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H03B5/1203 , H03B5/1231 , H03B5/1243 , H03B2201/0208 , H01L2924/00
Abstract: 本发明目的在于，提供即使形成于基片上也能进行振荡的LC振荡器。LC振荡器包括晶体管、电容器及电感元件30。电感元件30包括两个形状大致相同的螺旋形导体120、122，它们形成于半导体基片110的表面，导体120的内圈端头与导体122的外圈端头电气连接。导体120的外圈端头和内圈端头分别连接引出线130、132，与内圈端头连接的引出线132从下层导体122与半导体基片110之间穿过，引出至外圈侧。上层导体120起电感器导体的作用，经由与其两端连接的引出线130、132，与在半导体基片110上形成的LC振荡器的其他构成部件连接。
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公开(公告)号：CN1705095A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200510074287.3
申请日：2005-06-02
Applicant: 新泻精密株式会社
CPC classification number: G01R31/2893
Abstract: 本发明提供一种半导体检查装置，其设有结构非常简单的被检查部件托盘(10)，该被检查部件托盘(10)其表面具有容纳多个被检查部件的多条槽部(1)，在各个槽部(1)中，具有用于与容纳的被检查部件的电极电连接的导体形成到里面为止的接触部，以在被检查部件托盘(10)中容纳多个被检查部件的形式将其保持在检查装置的托盘把持器中，通过使多个探针一次接触到被检查部件托盘(10)所具有的多个接触部，就能够同时对多个被检查部件进行电检查。
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公开(公告)号：CN1227903C
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN00802816.8
申请日：2000-04-20
Applicant: 新泻精密株式会社
IPC: H04N7/01
CPC classification number: G06T3/4007 , G06T1/20 , G09G2340/0414 , G09G2340/0421 , H04N5/14 , H04N7/012 , H04N7/0135
Abstract: 本发明的目的在于提供能实现处理的高速化、能利用简单的电路结构来提高水平解像度和垂直解像度的图像处理电路。利用像素值抽出装置对于沿扫描线的水平方向和邻接的扫描线并排的垂直方向的每一个方向抽出3个像素、在整体上抽出9个像素的像素值a～i，利用由像素值运算部进行的运算，求出在该中心像素P5的周围新生成的4个像素Q1～Q4的像素值A1～A4。利用像素值输出部与2条扫描线对应地以扫描线单位输出这些像素值。
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公开(公告)号：CN1666413A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN03815895.7
申请日：2003-06-27
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 新泻精密株式会社
Inventor： 宫城弘
CPC classification number: H03G3/3052 , H03F2203/45408 , H03G1/0029 , H03G1/007
Abstract: 提供在RF接收器中的AGC电路具有对高频接收信号进行检测并输出包括脉动分量的检测信号的检测电路，并且根据检测输出在RF放大电路上实现增益控制。在检测电路之后紧接有放大器(DC放大器)，对其进行设置以便降低其高频属性或者将降低高频属性的单元连接于放大器。根据这种结构，与检测输出相叠加的脉动分量被尽可能地去除。
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公开(公告)号：CN1666410A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN03815845.0
申请日：2003-06-27
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 新泻精密株式会社
Inventor： 宫城弘
IPC: H03F3/19
CPC classification number: H03G1/007 , H03F1/223 , H03F3/193 , H03F2200/306
Abstract: 由共源共栅串联的P沟道MOSFET4和5构成放大AM广播信号的RF放大电路21。通过共源共栅串联减小P沟道MOSFET4的源－栅间的反馈电容，使之稳定地工作。另外，通过用P沟道MOSFET构成AM广播信号的放大电路降低闪烁噪声，且可采用与CMOS数字电路相同的CMOS工艺制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1650531A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN02813226.2
申请日：2002-06-24
Applicant: 新泻精密株式会社
Inventor： 宫城弘
Abstract: 本发明的目的在于提供一种接收机，当使用CMOS工艺或MOS工艺在半导体衬底上一体形成时，可以降低所产生的低频噪声。构成FM接收机的高频放大电路(11)、混频电路(12)、本机振荡器(13)、中频滤波器(14、16)、中频放大器(15)、限幅电路(17)、FM检波电路(18)和立体声解调电路(19)作为单芯片元件(10)形成。该单芯片元件(10)使用CMOS工艺或MOS工艺在半导体衬底上形成，使用p沟道FET形成混频电路(12)、中频滤波器(14、16)、中频放大器(15)和本机振荡器(13)所包含的放大元件。
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公开(公告)号：CN1629988A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200510003806.7
申请日：2000-08-10
Applicant: 新泻精密株式会社
IPC: H01F17/00
CPC classification number: H01F17/0013 , H01F17/0006 , H01L23/522 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明所提供一种即使在基板上形成的情况下，也能获得良好的特性的电感元件。电感元件(100)有在半导体衬底(110)的表面上形成的旋涡状的两条导体(120、122)。上层导体(120)和下层导体(122)有大致相同的形状，一个导体(120)作为电感导体使用，另一个导体(122)作为浮置导体使用。另外，引线(130、132)连接在导体(120)的外周端和内周端的每一端上，连接在内周端上的引线(132)通过下层导体(122)和半导体衬底(110)之间被引出到外周边一侧。
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公开(公告)号：CN1582530A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN02822156.7
申请日：2002-11-12
Applicant: 新泻精密株式会社
Inventor： 宫城弘
IPC: H03G3/30
CPC classification number: H03G1/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够在半导体衬底上一体形成的自动增益控制电路。AGC电路17控制中频放大电路15的增益，使得AM检波电路16的输出信号(声音信号)的平均电平大致恒定。AGC电路17中包含时间常数电路100。该时间常数电路100设有对该电容器间断地充电的充电电路和间断地放电的放电电路，通过对静电电容小的电容器进行间断性充放电动作，设定大的时间常数。
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公开(公告)号：CN1578336A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410054474.0
申请日：2004-07-22
Applicant: 新泻精密株式会社
Abstract: 提供一种手表型移动电话机，在装置主体部(1)埋设多个平面天线(6－1，6－2)，设置在每次由内部电子电路检测到接收不良时切换所使用的天线的开关，通过选择性切换多个天线(6－1，6－2)而进行空间分集。这样，即使一方天线使用中出现接收灵敏度变差的情况，通过切换到另外的天线，可以获得良好的接收灵敏度，因此，可以在不需要过分增大装置主体部和表带并不有损于佩带感的情况下，避免由于接收灵敏度变差造成的通话中断的不良情况。
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公开(公告)号：CN1537332A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN02815091.0
申请日：2002-06-28
Applicant: 新泻精密株式会社
Inventor： 宫城弘
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H01L23/642 , H01L23/50 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够减少在半导体衬底上形成的端子上所出现的噪声的半导体器件。半导体器件10包括：矩形半导体衬底11；在半导体衬底11上形成的构成部件12；以及包含在半导体衬底11的周边附近形成的电源端子20和地端子22的各种端子。在构成部件12中，包含旁路电容器14，该旁路电容器14的一端与电源端子20连接，另一端与地端子22连接。另外，在半导体衬底11的外部设置电感性部件30，该电感性部件30的一端与电源端子20连接，另一端与电源电路40连接。
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