公开(公告)号：CN109979874A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201711452955.0

申请日：2017-12-28

Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 ,  上海芯哲微电子科技股份有限公司 ,  上海北京大学微电子研究院

Inventor： 沈立 ,  陆宇 ,  周润宝 ,  沈金龙 ,  程玉华

IPC: H01L21/762 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明公开了半导体SOI高压器件结构及其制造方法，以改善其散热性能。其中该散热性能较好的SOI器件结构，包括改变高压SOI器件场氧化层所用材料，利用不同材料的热导率及介电常数差异，在不改变器件尺寸且不对SOI三层结构部分做改动的条件下，可以有效改善SOI高压器件散热性能。

公开(公告)号：CN109977439A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201711454488.5

申请日：2017-12-28

Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 ,  上海芯哲微电子科技股份有限公司 ,  上海北京大学微电子研究院

Inventor： 沈立 ,  陆宇 ,  周润宝 ,  沈金龙 ,  程玉华

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明提供了一种多个晶体管模块单元测试结构的自动化布局布线，以减小版图的面积，提高绘制测试结构版图的效率，改善结构的稳定性，其中所述的引入参数的晶体管模块单元，是由若干个晶体管组成测试结构。所述模块单元提供控制晶体管个数、栅长、栅宽、叉指数等四组参数，修改所述的四组参数，可以调整晶体管的数量和尺寸，模块内部将自动做出相应调整，仍然保持匹配连接关系。所述模块单元中，引出四条金属线，供模块单元与衬垫(PAD)连接。所述测试结构，可以随时调整它的衬垫间距，根据实际版图允许面积，优化与测试晶体管的匹配精确度。所述测试结构，采用完全的上下对称的版图结构，被测晶体管独立引出源(S)、漏(D)衬垫；而栅(G)、衬底(Sub)为所有晶体管共用。所述自动化方法，智能地将被测试晶体管与所对应的衬垫相连接完成布局布线。所述自动化方法，大规模地降低了新工艺下晶体管测试电路与测试结构的实现复杂度，缩短了完成时间，并提高了可靠度。

公开(公告)号：CN109152123A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201710498676.1

申请日：2017-06-27

Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司

Inventor： 李高林

IPC: H05B33/08

Abstract: 本发明提供了LED驱动芯片及LED电路，以防止现有LED驱动芯片过温会停止工作，导致安全事故等问题。所述LED驱动芯片包括误差放大器，还包括过温识别模块，用于识别出LED驱动芯片过温；电压控制模块，用于在过温识别模块识别出过温的情况下，将所述误差放大器同向输入端连接的原参考电压更换为新参考电压，所述新参考电压的电压值低于原参考电压的电压值。

公开(公告)号：CN109150121A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201710499526.2

申请日：2017-06-27

Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司

Inventor： 李高林

IPC: H03F3/45

CPC classification number: H03F3/45636

Abstract: 本发明公开了一种新型的基于二级运放的共模反馈电路，与传统的共模反馈电路相比，极大地加快了共模反馈的速度和稳定度，其特征在于在二级运放的每一级加入共模反馈环路，每一级输出分别进行共模电压的稳定，即将传统的共模反馈环路分为两个，这样，环路长度变短，速度和稳定性得到很大提高。

公开(公告)号：CN109148554A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201710488910.2

申请日：2017-06-27

Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司

Inventor： 陆宇

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0607 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明揭示了一种适用于功率器件的结终端及其制备方法，所述结终端包括半导体基底、第一电极、半导体区域、第二电极。第一电极形成于半导体基底的下端面；半导体区域形成于半导体基底的上端面，其具有第一导电类型，半导体区域包括有源区域、第一终端区域、第二终端区域、第三终端区域。第二电极连接有源区域、第一终端区域和第二终端区域沟槽内半导体材料，以及有源区域的台面。本发明结终端可改善结终端器件耐高压特性。

公开(公告)号：CN109148435A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201710500676.0

申请日：2017-06-27

Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司

Inventor： 沈立

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L29/41725

Abstract: 本发明以MOS器件结构为出发点，提出了一种适用于电路设计者研究漏(源)端有源区影响器件性能的单元(PCELL)结构。该PCELL结构包括源漏有源区（Source/Drain）、栅极(PLOY)、通孔(Contact)。其中该源漏有源区到栅极的距离（LS/LD）是可变的，且可呈一定函数关系变化。其中通孔所在位置亦有三种形式，对器件性能产生不同影响。

公开(公告)号：CN109148307A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201710493319.6

申请日：2017-06-27

Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司

Inventor： 陆宇

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供了一种QFN封装防溢保护方法。塑封时，当塑料填充物流到防溢保护膜下边沿处的激光监测点处时，停止塑料填充物的填充，保证引脚金属完整地裸露在外面。可以改变防溢保护膜相对于引脚框架的外延长度以及激光监测点的位置，实现对不同的封装防溢保护的要求。

公开(公告)号：CN109144156A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201710496022.5

申请日：2017-06-27

Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司

Inventor： 李高林

IPC: G05F1/56

CPC classification number: G05F1/56

Abstract: 本发明公开了高阶补偿带隙基准电压源，包括用于输出基准电压的输出支路，其特征在于，还包括用于充当电阻作用的接地电阻结构和高阶补偿电路，所述高阶补偿电路和输出支路并联，且均连接至接地电阻结构的电流输入端，接地电阻结构的电流输出端接地，以及所述高阶补偿电路用于在温度升高导致输出支路中电流减小时向接地电阻的电流输入端输入电流，这种结构无需依赖精确的工艺，适用很多种工艺，应用范围广泛，此外不会大幅度增加电路面积，另外本发明提供的高阶补偿带隙基准电压源的温度系数远远优于现有高阶补偿带隙基准电压源的温度系数。

公开(公告)号：CN109142902A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201710499527.7

申请日：2017-06-27

Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司

Inventor： 陆宇

IPC: G01R31/00

CPC classification number: G01R31/001

Abstract: 本发明提出大功率器件ESD静电防护中的CDM模型的电流检测系统结构及测试方法，以完成对CDM模型的ESD电流波形的抓取，便于为以CDM模型为基础的ESD静电防护提供数据支持。该系统结构包括：用于支持的测试机台，机台底座上承载测试器件DUT，机台支架,用于固定系统的检测模块。检测模块包括pogo（弹簧单高跷）探针、测试板等结构。测试机台使用铝合金材质制成，具有螺旋调节升降的功能，同时带有固定装置，可以固定设备的测试板，测试板为双层FR‑4板。Pogo探针为手机天线专用探针，可以满足18GHz及以下条件下的信号测试。同轴电缆特性阻抗为50Ω.所使用的校准模块为FR‑4材料，电容值为4pF。

公开(公告)号：CN109103149A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201710468331.1

申请日：2017-06-20

Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司

Inventor： 陆宇

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/528 ,  H01L25/065

Abstract: 本发明提供了一种改进型的双基岛封装结构，包括塑封体、外引脚、一个通过散热材质外露的基岛，一个不外露的基岛，两个芯片。本发明解决了传统双基岛封装结构存在的散热问题，同时解决了单基岛封装结构性能不佳和集成度低的问题。本发明使制造成本得到降低，且能满足电子行业小型材经，微型化的发展需求。