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公开(公告)号:CN101410906B
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN200780011511.1
申请日:2007-03-29
Applicant: 考文森智财管理公司
Inventor: 金镇祺
IPC: G11C7/10 , G11C16/00 , G11C11/4193
CPC classification number: G11C7/1042 , G06F12/0246 , G06F2212/1036 , G06F2212/7211 , G11C7/1021 , G11C16/10 , G11C16/32 , G11C2216/22 , G11C2216/24
Abstract: 一种闪烁存储器系统结构,具有串联的闪烁存储器设备用于获取数据的高速编程。通过数据页面的交错编程到系统中的存储器设备来实现数据的高速编程,使得不同页面的数据存储在不同的存储器设备。存储器控制器发出编程命令用于每一存储器设备。当每一存储器设备接收到编程命令,其开始编程操作或者将命令传输到下一个存储器设备。因此,闪烁系统中的存储器设备一个接一个地顺序编程页面数据,使得编程每一页面数据到闪烁存储器系统的延迟最小化。存储器控制器可以执行耗损平衡算法用于最大化每一存储设备的耐久性或者对于任意尺寸数据来优化编程性能和耐久性。
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公开(公告)号:CN104246719A
公开(公告)日:2014-12-24
申请号:CN201280072856.9
申请日:2012-05-01
IPC: G06F12/00
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F12/0804 , G06F12/0866 , G06F12/1009 , G06F2212/1036 , G06F2212/217 , G06F2212/7203 , G06F2212/7207
Abstract: 一种装置,包括混合存储器模块,并且所述混合存储器模块包括易失性存储器和非易失性存储器。数据在易失性存储器中被预先布置。当预先布置数据的大小达到阈值时,在单个写入操作中,所述数据按照预先布置的被提交到非易失性存储器。
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公开(公告)号:CN103733183A
公开(公告)日:2014-04-16
申请号:CN201280039444.5
申请日:2012-06-25
Applicant: 美光科技公司
Inventor: 戴维·A·帕尔默
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F12/04 , G06F2212/1016 , G06F2212/1036 , G06F2212/7203
Abstract: 本发明包含用于结合未对准数据的方法及系统。一种方法包含:接收与第一未对准数据部分相关联的第一写入命令;接收与第二未对准数据部分相关联的第二写入命令;及结合所述第一未对准数据部分与所述第二未对准数据部分,其中结合包含将所述第一未对准数据部分及所述第二未对准数据部分写入到存储器装置中的一页。
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公开(公告)号:CN103713969A
公开(公告)日:2014-04-09
申请号:CN201310744083.0
申请日:2013-12-30
Applicant: 华为技术有限公司
CPC classification number: G06F3/0616 , G06F3/0647 , G06F3/0688 , G06F12/0246 , G06F2212/1036 , G06F2212/7211
Abstract: 本发明实施例提供一种提高固态硬盘可靠性方法和装置。本发明提高固态硬盘可靠性方法,包括:判断固态硬盘的第一闪存颗粒是否即将失效,若确定第一闪存颗粒即将失效,则禁止向第一闪存颗粒写入数据,将第一闪存颗粒上的数据迁移到固态硬盘上的第二闪存颗粒上,第二闪存颗粒为固态硬盘的有效颗粒。从而解决了在固态硬盘的闪存颗粒失效后,整个固态硬盘可靠性不能保证甚至不能使用的问题,提高了固态硬盘的可靠性。
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公开(公告)号:CN103563353A
公开(公告)日:2014-02-05
申请号:CN201280025042.X
申请日:2012-03-23
Applicant: 汤姆逊许可公司
CPC classification number: H04N5/765 , G06F12/1433 , G06F2212/1036 , G06F2212/2146 , H04N5/76 , H04N5/907
Abstract: 用于控制接口(103)的方法,该接口(103)提供适用于数据记录和读取的设备如视听节目的接收器/解码器(1)和外部存储器(2)之间的连接。该方法包括步骤:用于检测连接到外部存储器接口的外部存储器的类型;以及用于根据检测到的存储器类型和外部存储器上可用存储容量授权对外部存储器的写访问。
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公开(公告)号:CN102163133B
公开(公告)日:2013-07-10
申请号:CN201110064163.2
申请日:2005-07-22
Applicant: 桑迪士克3D公司
Inventor: 克里斯托弗·S·穆尔 , 阿德里安·杰戴 , 马特·弗鲁因 , 杨佳 , 德里克·博施
CPC classification number: G06F3/08 , G06F3/0607 , G06F3/0661 , G06F3/0679 , G06F11/1068 , G06F12/0238 , G06F2212/1032 , G06F2212/1036 , G06F2212/2142 , G06F2212/7201 , G06F2212/7207
Abstract: 本发明涉及针对具有可擦除/可重写存储器使用带有主机装置的一次或数次可编程存储器的方法及装置。本文描述的实施例可用于使得一次或数次可编程存储器能与现有消费者电子装置(例如与快闪——可擦除、非易失性存储器一起工作的那些装置)一起工作而不需要一固件升级,从而提供逆向兼容性且同时将用户冲击减到最小。因此,这些实施例是一种将一次或数次可编程存储器与具有闪存卡插槽的现有消费者电子装置桥接的可行方式。这些实施例还允许设计出未来消费者电子装置而不必为了包括针对一次或数次可编程存储器定制的文件系统来更新固件。
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公开(公告)号:CN103123608A
公开(公告)日:2013-05-29
申请号:CN201310007949.X
申请日:2007-01-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/1036 , G06F2212/7211
Abstract: 本发明涉及一种用于在存储器装置中重新分配可寻址空间的方法和设备。一种集成电路系统,包括:存储器处理器,从主处理器接收逻辑存储器地址LA并响应于LA输出物理地址PA;以及非易失存储装置,与存储器处理器通信以从存储器处理器接收物理地址PA用于存取与各个物理地址PA对应的非易失存储装置的存储器位置,其中,集成电路系统接收用于调整主处理器所见的非易失存储装置的有效存储器区域的容量的参数值PRM,并且响应于该参数值PRM在集成电路系统中存储更新的分区参数,而且其中,存储器处理器接收主处理器的命令CMD以调整非易失存储装置的有效存储器区域,其中,集成电路系统响应于存储的更新的分区参数调整有效存储器区域与保留存储器区域的分区比率,响应于更新的分区参数修改非易失存储装置的保留存储器区域的容量。
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公开(公告)号:CN103035291A
公开(公告)日:2013-04-10
申请号:CN201210371276.1
申请日:2012-09-28
Applicant: 爱思开海力士有限公司
CPC classification number: G11C16/10 , G06F7/764 , G06F11/0703 , G06F12/1408 , G06F2212/1036 , G11C7/1006 , G11C16/0483 , G11C16/34 , G11C16/3418
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件,所述半导体器件包括:第一操作电路,所述第一操作电路被配置成通过将列地址和页地址相加来产生相加数据,并输出通过将相加数据除以设定值所获得的余数作为种子数据;掩蔽数据输出电路,所述掩蔽数据输出电路被配置成输出与各个种子数据相对应的掩蔽数据;以及第二操作电路,所述第二操作电路被配置成通过对掩蔽数据和与列地址和页地址相对应的编程数据执行逻辑操作来产生随机数据。
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公开(公告)号:CN102473140A
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN201080031863.5
申请日:2010-03-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F3/0604 , G06F3/061 , G06F3/0631 , G06F3/0638 , G06F3/0653 , G06F3/0679 , G06F12/0223 , G06F12/0246 , G06F12/06 , G06F2212/1016 , G06F2212/1036 , G06F2212/205 , G06F2212/7201 , G06F2212/7202 , G06F2212/7208
Abstract: 本发明的一个例子的存储器管理装置(1)根据来自处理器(6a)的写入请求及读出请求,控制对包含非易失性半导体存储器(9)和易失性半导体存储器(8)的主存储器(2)的写入及读出。存储器管理装置(1)具备:保持基于在非易失性半导体存储器(9)和易失性半导体存储器(8)的至少一方中写入的写入对象数据的数据特性而生成的着色信息(14)的着色信息保持部(17),以及参照着色信息(14)从非易失性半导体存储器(9)和易失性半导体存储器(8)中决定写入写入对象数据的区域的写入管理部(15)。
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公开(公告)号:CN101236789B
公开(公告)日:2012-05-09
申请号:CN200710180061.0
申请日:2007-12-17
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 郑圣勋
CPC classification number: G11C16/349 , G06F12/0246 , G06F2212/1036 , G06F2212/7211 , G11C16/3495
Abstract: 提供了一种用于非易失性数据存储设备的磨损均衡的方法和装置,从而通过在非易失性数据存储设备的每个数据单元中存储指明写入时间的老化值、并基于老化值检测静态数据区来使磨损均衡效果最大化。该方法包括:在被分配为在其中写入数据的每个单元中存储指明写入时间的老化值;读取存储在单元中的老化值;以及基于所读取的老化值确定静态数据区。因此,可以在不增加计算开销的情况下正确地检测静态数据区能,并且可以通过向和从静态数据区移动数据来增加整个存储装置的磨损均衡效果,从而延长了存储设备的寿命。
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