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公开(公告)号：CN104297843A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410492521.3
申请日：2013-03-18
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: G02B6/124 , B81C1/0015 , G02B6/13
Abstract: 本发明公开了一种微机电可调氮化物谐振光栅制备方法，实现氮化物谐振光栅和微型纳米静电驱动器的集成；该微机电可调氮化物谐振光栅实现在高阻硅衬底氮化物晶片上，采用薄膜沉积、电子束曝光、光刻、反应离子刻蚀、三五族刻蚀、深硅刻蚀等技术定义和刻蚀器件，并在器件下方形成空腔，完成悬空微型纳米静电驱动器和谐振光栅的集成；通过微型纳米静电驱动器调控谐振光栅的周期、占空比等结构参数，从而达到改变器件光学性能的目的。
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公开(公告)号：CN104009393A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410179466.2
申请日：2014-04-30
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种单方向发射的电泵浦氮化镓微激光器及其制备方法。该方法首先利用在硅基p型氮化镓/量子阱/n型氮化镓材料，利用电子束刻蚀工艺和深硅刻蚀工艺制备由单根悬臂梁支撑的非对称氮化镓悬空薄膜微腔，在晶片正面蒸镀上Au/Ni电极，在n型氮化镓表面蒸镀Au/Ti，采用超声波键合技术，在电极表面键合引线，最终制备完整的器件。对制备的器件施加合适的电流，获得单方向性发射的回音壁模紫外激光。
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公开(公告)号：CN103779452A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410026373.6
申请日：2014-01-21
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片，包括顶层氮化物器件层和硅衬底层；该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离，消除硅衬底层对激发光的吸收，实现悬空氮化物薄膜LED器件；顶层氮化物器件层的上表面具有纳米结构，用以改善氮化物的界面状态，提高出光效率；结合背后对准和深硅刻蚀技术，去除LED器件下方的硅衬底层，得到悬空氮化物薄膜LED器件，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空氮化物薄膜LED器件，降低LED器件的内部损耗，提高出光效率。
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公开(公告)号：CN103633203A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310107133.4
申请日：2013-05-08
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/58
Abstract: 本发明提供一种悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片，包括顶层氮化物器件层和硅衬底层；该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离，消除硅衬底层对激发光的吸收，实现悬空氮化物薄膜LED器件；所述顶层氮化物器件层的上表面具有纳米结构，用以改善氮化物的界面状态，提高出光效率；结合背后对准和深硅刻蚀技术，去除LED器件下方的硅衬底层，得到悬空氮化物薄膜LED器件，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空氮化物薄膜LED器件，降低LED器件的内部损耗，提高出光效率。
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公开(公告)号：CN103630967A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310107095.2
申请日：2013-03-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种微机电可调氮化物光波导器件及其制备方法，其实现载体为高阻硅衬底氮化物晶片，该晶片包括顶层氮化物器件层和硅衬底层；所述顶层氮化物器件层的上表面具有光波导器件和微纳驱动器件结构，结合背后对准和深硅刻蚀技术，去除氮化物光波导器件和微纳驱动器件下方的硅衬底层，得到悬空氮化物光波导器件；采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得分离的氮化物光波导器件和微纳驱动器件；该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离，利用氮化物器件层和空气的折射率差异，实现氮化物光波导器件对光场的约束；相邻波导器件之间的距离可以通过微机电驱动器进行调控，由于耦合距离的改变，从而实现对光波导器件光学性能的调控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103338072A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310217637.1
申请日：2013-06-04
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H04B10/116
Abstract: 本发明公开了一种基于Android系统的可见光通信及无线接入方法，包括电源管理模块、接收端模块、发射端模块和桥接电路模块。在Android系统下，智能终端能够实现对电源、接收、发射模块的控制，建立收发接口系统框架及相关协议，达到智能终端间利用可见光实现通信的功能。其中，智能终端可以作为网络的系统主机，通过无线网络接入框架及相关协议，实现其他智能终端的利用可见光通信技术达到无线网络的接入、智能终端间的自组织网络的建立。
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公开(公告)号：CN103185918A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201310085681.1
申请日：2013-03-18
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种微机电可调氮化物谐振光栅，实现氮化物谐振光栅和微型纳米静电驱动器的集成并提出了制备微机电可调氮化物谐振光栅的方法；该微机电可调氮化物谐振光栅实现在高阻硅衬底氮化物晶片上，采用薄膜沉积、电子束曝光、光刻、反应离子刻蚀、三五族刻蚀、深硅刻蚀等技术定义和刻蚀器件，并在器件下方形成空腔，完成悬空微型纳米静电驱动器和谐振光栅的集成；通过微型纳米静电驱动器调控谐振光栅的周期、占空比等结构参数，从而达到改变器件光学性能的目的。
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公开(公告)号：CN103048715A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201310002458.6
申请日：2013-01-04
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种平面亚波长非周期高对比度光栅，包括高折射率材料器件层，所述高折射率材料器件层的上表面为长方形，且所述高折射率材料器件层上分布有平行于长方形短边的光栅，所述光栅的相位分布满足方程φ(y)=k0(y2/2fy)。本发明所设计的平面亚波长非周期高对比度光栅不需要改变光栅的设计结构，就可以使光栅获得相应的聚焦能力。
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公开(公告)号：CN102602878A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201110441613.5
申请日：2011-12-26
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于硅衬底氮化物的光学微机电器件及其制备方法，实现载体为硅衬底III族氮化物晶片，包括硅衬底层，以及设置在硅衬底层上的顶层氮化物器件层，硅衬底层具有硅结构；顶层悬空氮化物层具有光学器件结构以及微机电驱动器结构；本发明还公开了一种基于硅衬底氮化物的光学微机电器件的制备方法。本发明所设计的一种基于硅衬底氮化物的光学微机电器件提供了一种小型化、高密度的微机电光学器件，本发明所设计的制备方法能够有效减低由于残余应力造成的氮化物微纳米器件结构实现载体损伤问题。
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公开(公告)号：CN102570313A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110441607.X
申请日：2011-12-26
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01S5/50
Abstract: 本发明公开了一种基于硅衬底氮化物材料的集成光子器件及其制备方法，实现载体为硅衬底III族氮化物晶片，包括硅衬底层，以及设置在硅衬底层上的顶层氮化物器件层，还包括从下往上依次设置在所述顶层氮化物器件层上的一层氮化铝薄膜层和一层氧化铪薄膜层；所述氮化铝薄膜层具有一个贯穿其中的空腔；所述氧化铪薄膜层位于所述空腔上部的悬空部分具有光子器件结构；本发明还公开了一种基于硅衬底氮化物材料的集成光子器件结构的制备方法。本发明所设计的一种基于硅衬底氮化物材料的集成光子器件及其制备方法能够便于实现基于氮化物材料的集成光子器件的集成。
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