公开(公告)号：CN1432801A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN03104784.X

申请日：2003-02-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 张威 ,  张大成 ,  刘蓓 ,  李婷 ,  王阳元

IPC: G01L9/06

Abstract: 本发明提供了一种MEMS压阻式压力传感器芯片及其制备方法。MEMS压阻式压力传感器芯片，是一个杯状结构，包括一个方形感压膜和周围的支撑部分在感压膜的最大应变区之作了四个压敏电阻，组成点桥来敏感压力的变化，所述压敏电阻是采用离子注入工艺制作的，压敏电阻周围增加有一圈n+隔离区，感压膜的边缘制作了可以监控感压膜厚度的对准标记。采用离子注入工艺制作压阻，精度远高于以往采用的扩散工艺，可以提高压阻的控制精度及一致性，减小零点输出和零点温度漂移；压阻周围增加一圈n+隔离区，提高了芯片的长期稳定性；膜的边缘制作了可以监控膜厚度的对准标记，使腐蚀敏感膜的可控性增强，提高了感压膜厚度控制精度和芯片检测精度。

公开(公告)号：CN1431517A

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：CN03104781.5

申请日：2003-02-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 张威 ,  张大成 ,  刘蓓 ,  李婷 ,  王阳元

IPC: G01P15/12

Abstract: 本发明涉及一种MEMS压阻式伺服加速度传感器。包括三片硅片，三片硅片组成上硅帽、中间硅片和下硅帽的三明治结构，上下两层硅帽上均设反馈电极，中间硅片上设梁式结构，梁上设压敏电阻，组成惠斯登电桥来检测加速度信号，信号调制电路将电桥产生的输出电压变换成反馈电压作用于传感器的静电力反馈极板上形成闭环伺服检测。以及制备这种传感器的方法。降低了电路难度，在不需要高精度集成电路工艺的情况下实现了加速度传感器的伺服控制，提高了检测精度。所采用的三明治结构大大增强了传感器的抗冲击能力，扩大了该传感器的适用范围。可广泛应用于MEMS技术领域。

公开(公告)号：CN1314689A

公开(公告)日：2001-09-26

申请号：CN01102116.0

申请日：2001-01-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 金玉丰 ,  张锦文 ,  郝一龙 ,  张大成 ,  王阳元

IPC: H01H13/702

Abstract: 本发明公开了一种硅、金属、介质膜桥RF MEMS开关,其活动桥由支架和硅梁、介质膜、金属膜(同时也是上电极)组成,介质膜制备在活动桥上,而不是制备在信号电极上。采用本发明的技术方案,消除了介质层制备在传输线上引起的信号传输损耗,减小RF MEMS开关的插入损耗;以硅为桥膜,提高RF MEMS开关的开关性能、使用寿命和可靠性,也便于实现RFMEMS开关的制备工艺与IC工艺的兼容。

公开(公告)号：CN1054468C

公开(公告)日：2000-07-12

申请号：CN98102573.0

申请日：1998-07-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 肖志雄 ,  郝一龙 ,  张国炳 ,  李婷 ,  张大成 ,  刘诗美 ,  李志宏 ,  陈文茹 ,  武国英 ,  王阳元

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明是一种用于表面工艺多晶硅结构释放的方法。通常采用的表面牺牲层工艺，在腐蚀后的清洗干燥过程中，多晶硅结构由于处理液的张力会粘附到衬底上。本发明在多晶硅结构制备的过程中，同时形成许多与衬底相连的多晶硅支柱；并分别利用氮化硅薄膜及光刻胶作为两次掩模，或两次都利用光刻胶作为掩膜，腐蚀牺牲层，干法刻出多晶硅结构，并同时把多晶硅支柱去除。本发明立足于版图设计，彻底克服了粘附效应，适合于批量生产。

公开(公告)号：CN2665694Y

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN03242701.8

申请日：2003-03-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 张大成 ,  李婷 ,  王颖 ,  王兆江 ,  郝一龙 ,  王阳元

IPC: G01M11/00

Abstract: 本实用新型涉及一种对准键合精度检测装置，其特征在于它包括：一显微镜，一螺旋游标测量目镜，一CCD摄像机，一图像显示器，一红外光源，所述螺旋游标测量目镜连接在所述显微镜的垂直目镜的接口上，所述CCD摄像机连接在所述螺旋游标测量目镜上，所述图像显示器通过视频电缆与所述CCD摄像机连接，所述红外光源设置在所述显微镜的承片台下方。本实用新型利用在近红外区硅片具有较好的红外通过能力，CCD摄像机对红外光具有较好的成像质量，以及螺旋游标测量目镜对键合误差具有较精确的测量效果等特点，将其与显微镜结合成一体，为微电子机械系统(MEMS)加工技术提供了一种有效的测量手段。它可以广泛用于各种硅MEMS器件加工工艺过程的质量监控中，还可以作为可见光黑白图像的摄像测量显微镜使用。

公开(公告)号：CN2363282Y

公开(公告)日：2000-02-09

申请号：CN98206564.7

申请日：1998-07-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 肖志雄 ,  张大成 ,  武国英 ,  张录 ,  张太平 ,  张国炳 ,  王阳元

IPC: G01N33/00 ,  G01R31/26

Abstract: 本实用新型是硅/硅键合质量测试仪。硅/硅直接键合技术广泛地应用于SOI(在绝缘层上的硅)材料的制造、不同材料之间的连接及体硅微机械传感器与执行器的制造。硅片键合界面空洞的检测是关键技术之一。本实用新型采用普通CCD摄像仪,普通光源,配以可变焦镜头,观测硅/硅直接键合样品,图像清晰,简单实用,成本较低。