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公开(公告)号：CN101582418B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200810111710.6
申请日：2008-05-16
Applicant: 北京大学
IPC: H01L25/075 , H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种电注入调控三基色的白光发光二极管(LED)，在衬底的一侧依次叠加第一n型欧姆接触层、绿光有源层、p型欧姆接触层、蓝光有源层和第二n型欧姆接触层，或者依次叠加第一p型欧姆接触层、绿光有源层、n型欧姆接触层、蓝光有源层和第二p型欧姆接触层，在衬底的另一侧键合红光LED。该白光LED通过控制各对电极之间的电流、电压的大小来调节蓝光、绿光和红光有源层的发光强度，从而得到各种色度的白光。这相当于在单一芯片有三个各自独立的光源，以电注入调控三基色发出白色光。该器件的电路简单，无需荧光粉，寿命长，具有较高的光电转化效率，将在白光照明、全色显示和光调控领域中发挥重要的作用。
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公开(公告)号：CN101892467B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201010210024.1
申请日：2010-06-18
Abstract: 本发明公开了一种集成化多反应室流水作业式外延生长方法及系统，用于LED或类似化合物半导体多层异质结的制备。该方法和系统采用多个串联的MOCVD反应室，每个反应室工作在相应不同外延层而独立设定的温度和压力下，输入相应的反应气体和/或掺杂气体，利用传送机构使待生长的晶片按生长顺序依次进入不同的反应室生长相应的外延层，从而使生长过程的温度、压力控制和气体输入控制大为简化，避免了不同外延层间的交叉污染，使生长质量和产量大大提高，成本大大降低。
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公开(公告)号：CN101976713B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201010278595.9
申请日：2010-09-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于同质外延制备高效光电子器件的方法，属于光电子器件的制备领域。本发明在氮化镓同质自支撑(厚膜)衬底上，沉积有机或无机介质材料作为刻蚀掩膜；随后采用光刻和刻蚀的方法在掩膜上开出具有几何形状的窗口，利用物理、化学等刻蚀方法将掩膜上的几何图形转移至同质自支撑(厚膜)衬底，并使图形区域和被掩膜保护的区域具有一定的高度差；用金属有机物化学气相沉积法、分子束外延或氢化物气相外延法在已经做好图形的衬底上进行同质外延GaN基LED、LD器件结构。采用本发明可有效的防止同质自支撑(厚膜)GaN衬底的翘曲形变，从而有效提高光电子器件的效率。
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公开(公告)号：CN101556983B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200810103520.X
申请日：2008-04-08
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种单芯片白LED及其制备方法，该LED包括依次叠加的光致荧光层、n型欧姆接触层、有源层和p型欧姆接触层，其中：有源层为可发射370-420nm的近紫外光波段的量子阱，光致荧光层是在近紫外光激发下发出黄绿荧光的非掺杂GaN层。所述光致荧光层是利用GaN材料中Ga空位和氧掺杂替氮位配对可以被近紫外光激发而发出黄绿光的特点而形成的，通过在生长GaN层时提高氨气源的流量将V/III比提高至4000-9000，或者降低生长温度至900-1050℃来大量引入上述缺陷。该LED器件只需单一芯片即可发出白色光，而且器件的制备工艺简单，无需荧光粉，寿命长，具有较高的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN102005520A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010526312.8
申请日：2010-10-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种LED封装方法，属于光电器件技术领域。该方法在封装过程中，利用AAO模板在环氧树脂上制备出周期性微结构，具体为：制备与所要封装的LED芯片的波长相匹配的周期性微结构的AAO模板；然后将AAO模板均匀铺在LED封装模具的内表面上；最后将液态环氧树脂浇铸到模具里，真空脱气，放入烘箱进行烘烤，待环氧树脂固化后，将所封装的器件从模具上取下，LED器件的环氧树脂的外表面具有与AAO模板一样的周期性微结构。本发明进一步用AAO模板制备出可重复使用、带有周期性微结构的封装模具。本发明通过将AAO模板上的周期性微结构转移到LED封装材料环氧树脂上，改善器件的光学性能，从而提高出光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101465302B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200810204995.8
申请日：2008-12-30
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 北京大学 , 彩虹集团公司
IPC: H01L21/50
Abstract: 一种发光二极管芯片制造方法，首先采用掩膜技术，用激光划片技术、ICP技术或RIE技术对芯片的走道刻蚀至蓝宝石衬底或刻入蓝宝石衬底5-50微米，在p-GaN面得到分立的单元后，按常规工艺将芯片制备完毕，但不切割成分立芯片，然后制备反射镜，最后进行键合金属层的制备；将导电导热性能良好的键合基板材料分成分立单元；将分立的键合基板单元采用倒装焊设备或键合设备键合到芯片上，最后采用激光剥离技术将蓝宝石衬底剥离。这样可以大大降低激光剥离时应力释放对芯片的冲击或震荡，是解决激光剥离产品漏电严重的重要方法。
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公开(公告)号：CN101728250A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810224573.7
申请日：2008-10-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/205 , H01L33/00 , H01L31/18 , C23C16/34
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种生长p-AlGaN的方法，在用金属有机化学气相沉积方法生长p型AlGaN层时同时通入三甲基铟作为活性剂。通常采用高纯氢气作为载气，三甲基镓、三甲基铝和氨气分别作为Ga源、Al源和N源，二茂镁作为p型掺杂剂，三甲基铟和其他原料同时通入反应室外延生长p-AlGaN，三甲基铟的流量一般控制在20～300sccm。该方法简单易行，效果明显，不仅可以改善p-AlGaN的表面形貌，降低其本身的方块电阻，而且，将该方法应用于器件的制备中，可以有效降低器件的串联电阻和开启电压，增强器件的发光强度，尤其针对高Al组分p-AlGaN及深紫外LED器件效果更为显著。
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公开(公告)号：CN101719466A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910197418.5
申请日：2009-10-20
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 北京大学 , 彩虹集团公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/324 , H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种在图形衬底上生长氮化物薄膜外延层的方法，利用在图形衬底上的低温层处理技术解决衬底台面上侧向外延生长的问题，进一步改善整个外延层的晶体质量，从而有效的提高外延层内量子效率。本发明能有效控制台面上的侧向外延生长，有利于图形衬底上的漏电、抗静电ESD等电性参数性能提高，最终相对在图形衬底上一般正常结构生长的外延层结构，亮度可提高15～25％，ESD可以从HM1000V提高到HM8000V以上。
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公开(公告)号：CN101603172A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200810114598.1
申请日：2008-06-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种生长AlN或AlGaN薄膜的方法，是在采用金属有机化学气相沉积方法常规生长AlN或AlGaN时通入适量的TMIn作为活性剂来改善AlN及AlGaN薄膜的晶体质量以及表面平整度。通常采用氢气作为载气，TMGa、TMAl和NH3分别作为Ga源、Al源和N源，TMIn和其他原料一起同时通入反应室，在1050－1200℃进行生长，其中TMIn的流量一般为40－400sccm。通过原子力显微方法表征样品的表面粗糙度和采用X射线衍射三晶摇摆曲线半峰宽来表征样品的晶体质量，可以看出，采用本发明方法所得的AlN和AlGaN样品和现有技术生长的样品相比，表面粗糙度明显下降，且晶体质量提高。
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公开(公告)号：CN101593801A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910057583.0
申请日：2009-07-09
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 北京大学
IPC: H01L33/00 , H01L21/782 , H01L21/784 , H01L27/15
Abstract: 本发明公开了一种倒装发光二极管的制备方法，包括如下步骤：1)先在衬底表面制造出周期性排列的微结构图形；2)在具有微结构图形的衬底表面制备发光二极管结构，之后分别制备P电极和N电极；3)从衬底的背面采用激光照射衬底，使衬底与发光二极管结构分离，此时即将微结构图形转移至发光二极管结构中靠近N层的一侧表面。采用本发明的方法，先在衬底上制备图形，之后制备发光二极管及P/N电极，并最终通过激光照射将图形转移到发光二极管结构中靠近N层的一侧表面，使倒装焊接后作为出光面的该侧表面形成图形结构，从而提高发光二极管的出光效率。
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