公开(公告)号：CN101728250A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200810224573.7

申请日：2008-10-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 张国义 ,  桑立雯 ,  秦志新 ,  张延召 ,  杨志坚 ,  于彤军 ,  方浩

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01L31/18 ,  C23C16/34

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种生长p-AlGaN的方法，在用金属有机化学气相沉积方法生长p型AlGaN层时同时通入三甲基铟作为活性剂。通常采用高纯氢气作为载气，三甲基镓、三甲基铝和氨气分别作为Ga源、Al源和N源，二茂镁作为p型掺杂剂，三甲基铟和其他原料同时通入反应室外延生长p-AlGaN，三甲基铟的流量一般控制在20～300sccm。该方法简单易行，效果明显，不仅可以改善p-AlGaN的表面形貌，降低其本身的方块电阻，而且，将该方法应用于器件的制备中，可以有效降低器件的串联电阻和开启电压，增强器件的发光强度，尤其针对高Al组分p-AlGaN及深紫外LED器件效果更为显著。