公开(公告)号：CN102612714B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201080051076.7

申请日：2010-11-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  加藤清

IPC: G11C11/405 ,  G11C11/4091 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: G11C7/062 ,  G11C7/067 ,  G11C11/40 ,  G11C2207/005 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/155 ,  H01L29/205

Abstract: 半导体器件包括：源极线；位线；字线；连接到位线和字线的存储单元；驱动多条第二信号线和多条字线以选择由地址信号指定的存储单元的驱动电路；生成写入电位和多个读取电位以供应到写入电路和读取电路的电位生成电路；以及在读取电路将位线的电位与多个读取电位作比较的结果的基础上选择多个电压之一用于校正的控制电路。

公开(公告)号：CN105702631A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201610231158.9

申请日：2010-12-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  加藤清

IPC: H01L21/8247 ,  G11C11/402 ,  G11C11/405 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L27/105 ,  G11C16/0425 ,  G11C16/0433 ,  H01L21/84 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/13 ,  G11C11/402 ,  G11C11/405 ,  H01L27/115 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明的半导体器件，包括源极线、位线、第一信号线、第二信号线、字线、并联连接在该源极线和位线之间的存储单元、电连接至该源极线和位线的第一驱动器电路、电连接至第一信号线的第二驱动器电路、电连接至第二信号线的第三驱动器电路、电连接至第二信号线的第三驱动器电路、以及电连接至字线的第四驱动器电路。该存储单元包括包含第一栅电极、第一源电极、以及第一漏电极的第一晶体管，包含第二栅电极、第二源电极、以及第二漏电极的第二晶体管、以及电容器。第二晶体管包括氧化物半导体材料。

公开(公告)号：CN105655340A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201610025894.9

申请日：2010-11-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  加藤清

IPC: H01L27/115

Abstract: 提供：第一晶体管，包含沟道形成区域、第一栅极绝缘层、第一栅电极、以及第一源电极和第一漏电极；第二晶体管，包含氧化物半导体层、第二源电极和第二漏电极、第二栅极绝缘层、以及第二栅电极；以及电容器，包含第二源电极和第二漏电极中的一个、第二栅极绝缘层、以及提供为在第二栅极绝缘层之上与第二源电极和第二漏电极中的一个重叠的电极。第一栅电极以及第二源电极和第二漏电极中的一个彼此电连接。

公开(公告)号：CN102474256B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201080028699.2

申请日：2010-08-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  三宅博之

IPC: H03K19/0175 ,  G09G3/20 ,  G11C19/00 ,  G11C19/28

CPC classification number: H03K17/693 ,  G09G3/2092 ,  G09G3/3266 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/08 ,  G09G2310/0267 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/08 ,  G09G2330/021 ,  G11C19/28 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H03K17/002

Abstract: 本发明的目的是提供包括正常导通的薄膜晶体管的驱动器电路，其中该驱动器电路确保了故障少的且高可靠性的操作。该驱动器电路包括包含具有第一晶体管和第二晶体管的反相器电路以及具有第三晶体管的开关的静态移位寄存器。第一至第三晶体管各自包括包含氧化物半导体的半导体层并且是耗尽模式晶体管。用于驱动第三晶体管的时钟信号的振幅电压高于用于驱动反相器电路的电源电压。

公开(公告)号：CN102834861B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201180018311.5

申请日：2011-03-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  三宅博之 ,  山崎舜平

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/20 ,  G09G3/34

CPC classification number: G09G5/18 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/136286 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/044 ,  G06F3/045 ,  G09G3/006 ,  G09G3/3413 ,  G09G3/3426 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3674 ,  G09G3/3696 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/08 ,  G09G2310/0235 ,  G09G2310/0286

Abstract: 为了提高场序液晶显示设备设计的图像信号的输入频率。图像信号被并发地提供给在布置在液晶显示设备像素部分内的矩阵中的像素中的多个行中提供的像素。因此，可以提高每个像素的图像信号的输入频率，而不改变包括在液晶显示设备内的晶体管等的响应速度。

公开(公告)号：CN102741915B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201180009087.3

申请日：2011-01-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/20

CPC classification number: G09G3/3614 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3655 ,  G09G3/3677 ,  G09G3/3688 ,  G09G2310/0297 ,  G09G2310/06 ,  G09G2310/08 ,  G09G2320/0214 ,  G09G2320/0247 ,  G09G2330/021 ,  G09G2330/023

Abstract: 本发明的目的在于降低显示装置的耗电量并抑制显示质量的劣化。作为设置于各像素中的晶体管，使用具有氧化物半导体层的晶体管。另外，通过将该氧化物半导体层高纯度化，可以降低该晶体管的截止电流。由此，可以抑制由该晶体管的截止电流引起的数据信号的值的变动。也就是说，可以抑制当降低对设置有该晶体管的像素写入数据信号的频率时（停止期间延长时）的显示劣化（变化）。并且，可以抑制当降低停止期间中对信号线提供的交流驱动信号的频率时产生的显示中的闪烁。

公开(公告)号：CN102598248B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201080047028.0

申请日：2010-09-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  今井馨太郎

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/822 ,  H01L27/00 ,  H01L27/04 ,  H01L27/092 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225

Abstract: 本发明的目的是提供具有新结构的半导体器件。公开了半导体器件，其包括第一晶体管，其包括位于含有半导体材料的衬底中的沟道形成区、沟道形成区插入之间的杂质区、位于沟道形成区上的第一栅绝缘层、位于第一栅绝缘层上的第一栅电极、以及电连接至该杂质区的第一源电极和第一漏电极；以及第二晶体管，其包括位于含有半导体材料的衬底上的第二栅电极、位于该第二栅电极上的第二栅绝缘层、位于该第二栅绝缘层上的氧化物半导体层、以及电连接至该氧化物半导体层的第二源电极和第二漏电极。

公开(公告)号：CN102576708B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201080041924.6

申请日：2010-10-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  加藤清

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1052 ,  G11C11/405 ,  G11C16/0433 ,  G11C2211/4016 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/11803 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/16 ,  H01L29/24 ,  H01L29/247 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 目的是提供一种具有新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括：第一布线；第二布线；第三布线；第四布线；具有第一栅电极、第一源电极以及第一漏电极的第一晶体管；以及具有第二栅电极、第二源电极以及第二漏电极的第二晶体管。所述第一晶体管设置在包括半导体材料的衬底中。所述第二晶体管包括氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN102804603B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201080065583.6

申请日：2010-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  山崎舜平

IPC: H03K3/356 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: G11C11/4074 ,  G11C11/412 ,  G11C27/024 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1251 ,  H03K3/0375 ,  H03K3/356008

Abstract: 一个目的是提供一种对其不需要复杂制造过程并且能够抑制其功率消耗的存储器装置以及包括该存储器装置的信号处理电路。在包括用以将输入信号的相位倒相并且输出信号的诸如倒相器或拍频倒相器之类的倒相元件的存储器元件中，设置保持数据的电容器以及控制电容器中的电荷的存储和释放的开关元件。对于开关元件，使用在沟道形成区中包含氧化物半导体的晶体管。存储器元件适用于信号处理电路中包含的诸如寄存器或高速缓冲存储器之类的存储器装置。

公开(公告)号：CN104733540A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201510102867.2

申请日：2010-09-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  高桥正弘 ,  岸田英幸 ,  宫永昭治 ,  中村康男 ,  菅尾惇平 ,  鱼地秀贵

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L21/34 ,  H01L27/12

Abstract: 一个目的是提供以具有良好的显示质量的显示器件为代表的半导体器件，其中抑制产生于半导体层与电极之间的连接部分中的寄生电阻并且防止诸如电压降低、到像素的信号布线中的缺陷、灰度级中的缺陷等的由于布线电阻的不利影响。为了达到上述目的，根据本发明的半导体器件可具有将薄膜晶体管连接至具有低电阻的布线的结构，在所述薄膜晶体管中包含具有高氧亲和性的金属的源极电极及漏极电极被连接至具有被抑制的杂质浓度的氧化物半导体层。此外，包含氧化物半导体的薄膜晶体管可由绝缘膜围绕以便密封。