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公开(公告)号：CN105448908A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510984780.2
申请日：2015-12-24
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0259
Abstract: 本发明公开了一种硅控整流器，包括：P型衬底，所述P型衬底上从左到右依次设有第一N阱区、第二N阱区、第三N阱区、第四N阱区以及第五N阱区；所述第一N阱区、所述第二N阱区、所述第三N阱区、所述第四N阱区以及所述第五N阱区依次连接；其中，在五个N阱区中有两个相邻的N阱区之间的导电区的长度可调。本发明提出的硅控整流器通过改变两个相邻N阱区之间的导电区的长度，以改变两个二极管之间的距离，从而改变整体结构的触发电压，实现触发电压的有效调节，进而满足不同ESD防护的要求；同时，由于二极管的个数未发生变化，故在相同的工作电压下漏电流相同，并不会因为触发电压的降低而引起漏电流的增加。
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公开(公告)号：CN104392989A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410638547.4
申请日：2014-11-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及集成电路芯片静电放电保护技术领域，尤其涉及一种基于可控硅作为泄放器件的ESD保护电路。该ESD保护电路包括泄放器件可控硅，以及PMOS晶体管MP；其中，所述PMOS晶体管MP的源极与正向偏置的二极管D2的n端相连，所述PMOS晶体管MP的漏极接地，所述PMOS晶体管MP的栅极与电源管脚VDD相连；其中，二极管D1、所述可控硅的寄生三极管Qpnp的发射极-基极正偏二极管、所述可控硅的寄生电阻Rn、所述二极管D2以及所述PMOS晶体管MP构成所述直流触发模块。本发明提供的直流触发基于可控硅的ESD保护电路，在芯片正常工作时有效的减少了漏电流；在ESD冲击来临时，可控硅作为泄放器件仍能有效触发。
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公开(公告)号：CN102751992B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201210254339.5
申请日：2012-07-20
Applicant: 北京大学
IPC: H03M1/66
Abstract: 本发明涉及动态元素匹配编码技术领域，公开了一种动态元素匹配编码方法，包括以下步骤：S1、输入数字信号；S2、将所述数字信号分为两部分L和R，设置指向所述数字信号中各元素的指针，并利用所设置的指针分别对L和R进行动态元素匹配编码，输出对应于L的M1个元素C1到CM1以及对应于R的M-M2+1个元素CM2到CM，其中M、M1、M2均为正整数，且M1是对M/2进行截尾取整得到的数。本发明能够在将失配引起的失真转换为噪声的同时，减小每个采样周期的开关跳变数。
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公开(公告)号：CN104253410A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410461278.9
申请日：2014-09-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种防过压击穿型输入级ESD保护电路，所述防过压击穿型输入级ESD保护电路包括二极管模块、电源钳位ESD保护电路、镇流模块、传输门模块以及直流电压探测模块。本发明公开的防过压击穿型输入级ESD保护电路通过有效探测输入压焊点上的过压现象，在ESD事件发生时，断开压焊点与输入级反相器栅氧化层之间的电连接，并把输入级反相器的输入端强制偏置到零，同时，对输入级反相器到电源线之间采用动态电阻的连接方式，确保了芯片功能电路在最坏ESD冲击情况下的安全，并保证在芯片正常操作时，数据传输没有衰减。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104242285A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410461417.8
申请日：2014-09-11
Applicant: 北京大学
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明涉及一种防闩锁型电源钳位ESD保护电路，涉及集成电路芯片静电放电保护设计的技术领域。本发明公开的防闩锁型电源钳位ESD保护电路包括瞬态触发模块、直流电压探测模块以及泄放晶体管。本发明提出的防闩锁型电源钳位ESD保护电路其泄放晶体管的触发由瞬态触发模块实现，其泄放晶体管开启状态的维持由直流电压探测模块实现，本发明提出的防闩锁型电源钳位ESD保护电路如果被高频噪声误触发，会在很短的时间后自动脱离误触发状态，有效防止闩锁现象的发生。
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公开(公告)号：CN103268133B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201310136185.4
申请日：2013-04-18
Applicant: 北京大学
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明涉及集成电路的输入输出管脚，特别涉及一种低功耗的多工作电压下的输入输出管脚单元电路。该电路包括电源管脚、接地管脚，前置驱动电路、输出级驱动电路和输入级驱动电路，前置驱动电路，其连接与所述电源管脚及接地管脚之间，用于将使能信号OE和待输出信号Dout转换为后续输出；输出级驱动电路，其输入端与所述前置驱动电路输出端相连，用于根据所述前置驱动电路的输出，驱动PAD；输入级驱动电路，其输入端与PAD相连，用于根据PAD信号驱动Din。本发明提供的多工作电压输入输出管脚单元电路，可有效保护晶体管，提高电路的可靠性。同时，本发明通过在此单元用作输出时，关断输入驱动级电路，从而有效的降低功耗。
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公开(公告)号：CN102831921B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201210306027.4
申请日：2012-08-24
Applicant: 北京大学
IPC: G11C7/06
Abstract: 本发明公开了一种Flash灵敏放大器，涉及集成电路技术领域。该放大器包括：参考电压发生电路，生成参考电压信号，并将所述参考电压信号发送至电流放大电路；电流放大电路，与参考电压发生电路相连，根据参考电压，放大流经Flash的存储单元阵列中的存储单元以及参考单元阵列中的参考单元的电流；比较器，分别与存储单元阵列位线以及参考单元阵列位线相连，放大所述存储单元阵列位线以及参考单元阵列位线上的电压信号；参考单元阵列位线，连接参考单元阵列以及所述电流放大电路；预充电电路，与存储单元阵列位线相连，对存储单元阵列位线上的电容负载进行预充电。本发明的Flash灵敏放大器的速度更快。
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公开(公告)号：CN102843130B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201210348185.6
申请日：2012-09-18
Applicant: 北京大学
IPC: H03L7/085
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，公开了一种基于CML逻辑的相位检测器，包括相互连接的采样模块和比较模块，所述采样模块包括由CML锁存器组成的多条采样支路，用于对输入的数据信号进行采样，所述比较模块用于比较所述多条采样支路的采样数据，得到相位比较结果。首先，本发明所采用的锁存器均为CML逻辑，处理差分信号，提高其高频下的抗干扰能力，其次，本发明通过拆分锁存器尾电流源，有效节约了电路在锁存状态时的功耗，从而有效降低了整个相位检测电路的功耗，基于以上两点，本发明实现了在保证相位误差满足系统抖动要求的前提下，降低了的功耗。
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公开(公告)号：CN104051505A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410283340.X
申请日：2014-06-23
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L23/60 , H01L29/0684
Abstract: 本发明涉及集成电路的静电放电保护技术领域，尤其涉及一种LDMOS ESD器件。本发明的LDMOS ESD器件在源漏区的下方引入P+掺杂区，使得在LDMOS ESD器件获得更高的二次击穿电流。当ESD冲击发生时，寄生的晶体管作为主要静电放电器件，使得新型LDMOS ESD器件的单位面积静电放电电流增大，从而获得高的ESD保护水平。另外，本发明的LDMOS ESD器件的触发电压由LDMOS晶体管P+掺杂层的引入，实现了触发电压可调节。
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