一种SSVEP视觉刺激器及刺激方法

    公开(公告)号:CN111045517B

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN201911249614.2

    申请日:2019-12-09

    Abstract: 本发明公开了一种SSVEP视觉刺激器的设计方法,所述方法可用于设计脑‑机接口视觉刺激器,具有闪烁频率稳定,准确性高,同步性好的优点。所述视觉刺激器控制视觉刺激图形呈一定频率明暗变化,变化规律按正弦波的形式。通过调节刺激图形每一帧的灰度值,可以实现刺激闪烁,所述视觉刺激频率的可实现的频率范围大。所述视觉刺激频率产生模块可以通过对正弦信号进行采样的方式,计算得到不同频率下,每帧所对应的幅值和灰度值。将不同频率和所对应灰度值通过VGA接口在计算机显示器上显示来实现视觉刺激;所述视觉刺激器可通过图形用户界面对视觉刺激范式进行信息传输,和参数的设置及修改。

    基于改进Retinex及加权导向滤波的内窥镜图像增强方法

    公开(公告)号:CN115526799A

    公开(公告)日:2022-12-27

    申请号:CN202211209953.X

    申请日:2022-09-30

    Abstract: 本发明涉及一种基于改进Retinex及加权导向滤波的内窥镜图像增强方法,属于图像增强与计算机视觉领域。该方法是将图像转换到HSV颜色空间,对V分量的小波分解低频分量用改进的Retinex算法增强,即在传统的多尺度Retinex图像增强算法基础上,将高斯滤波器换成双边滤波器,并且采用多尺度动态窗口来判断并增强暗区域;对S分量的小波分解高频分量用加权导向滤波增强图像边缘色彩饱和度。本发明能较好的改进内窥镜图像效果,增强图像暗区域对比度,恢复图像纹理。

    改进NLMS算法的稀疏系统辨识方法和滤波器和系统

    公开(公告)号:CN112803919B

    公开(公告)日:2022-09-20

    申请号:CN202011624100.3

    申请日:2020-12-30

    Abstract: 本发明公开了改进NLMS算法的稀疏系统辨识方法和滤波器和系统,用于无线通信系统中解决因为稀疏信道产生的回波问题,通过对估计滤波器迭代更新方程的ZA函数进行改进,使得ZA函数只包含加法、减法和乘法运算,相对于其他的ZASM‑NLMS算法,该算法更容易硬件实现,且复杂度更低,稳态均方差更低,稳定性更好,收敛速度更快。进一步,通过对SZASM‑NLMS算法ZA函数的ρ进行改进,若|e(n)|≤γ,则将ρ置零,得到的MZASM‑NLMS算法表现出与SZASM‑NLMS类似的性能。在硬件实现上,本发明提出的算法会有更快的数据处理速度,有利于要求高速度的硬件实现。

    一种应用于处理器的寄存器控制SIMD指令扩展方法

    公开(公告)号:CN112764810B

    公开(公告)日:2022-09-20

    申请号:CN202110075334.5

    申请日:2021-01-20

    Abstract: 本发明公开了一种应用于处理器的寄存器控制SIMD指令扩展方法,基于寄存器控制的SIMD指令扩展,通过在处理器中增加一个存储器映射的控制寄存器,实现对处理器SIMD操作的控制,SIMD控制寄存器为32位,所述SIMD控制寄存器中的高16位保留,可以自行定义其功能,如设计为掩码位等;所述低16位为实际控制位,分别包含了对整数操作的SIMD控制与浮点操作的SIMD控制;实现了基于寄存器控制的SIMD指令扩展,通过在处理器中增加一个存储器映射的控制寄存器,实现对处理器SIMD操作的控制;本发明将处理器的SIMD指令中对SIMD控制的部分全部取出,交由上述控制寄存器进行控制,因此可以实现在不改动处理器指令和汇编编译器的情况下实现处理器对SIMD指令的支持。

    具有双沟槽的4H-SiC横向绝缘栅双极型晶体管器件

    公开(公告)号:CN114927569A

    公开(公告)日:2022-08-19

    申请号:CN202210553866.X

    申请日:2022-05-20

    Abstract: 本发明涉及一种具有双沟槽的4H‑SiC横向绝缘栅双极型晶体管器件,属于功率半导体器件技术领域。该器件包括沟槽氧化层、N‑drift区、轻掺杂P‑epi层、重掺杂P+epi层、N型4H‑SiC衬底、P‑base区、N+注入区、P+注入区Ⅰ、P+注入区Ⅱ、N‑buffer区、金属衬底电极、金属集电极、金属发射极、栅极氧化层和多晶硅沟槽栅。本发明基于高可靠性的N型4H‑SiC衬底,深入漂移区的氧化层沟槽在器件正向阻断时辅助耗尽漂移区、同时减小了发射极和集电极之间的寄生电容;延伸到P‑epi层的沟槽栅结构提高了器件的栅氧可靠性,并且与其他器件隔离,简化了制造工艺。

    零吸引惩罚与吸引补偿组合的稀疏LMS方法

    公开(公告)号:CN113037661B

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202110227578.0

    申请日:2021-03-01

    Abstract: 本发明涉及一种零吸引惩罚与吸引补偿组合的稀疏LMS方法,属于信号处理领域。该方法将零吸引惩罚与吸引补偿相结合,对估计滤波器的系数分成近零系数、小系数与大系数,然后采取不同的吸引方法。在每一次迭代更新中,对于估计滤波器的近零系数,仅用迭代更新公式中的乘积项来计算;对于估计滤波器的大系数,对其进行一种微量的吸引补偿,以加快估计滤波器的系数去逼近信道的大系数的收敛速度;对于估计滤波器的小系数,如果迭代过程中该系数逼近了信道的零系数值或信道的大系数值,则分别按前述针对估计滤波器近零系数和大系数的方法进行处理,否则,对该系数采取一种简单的零吸引惩罚。该方法收敛速度快、复杂度低、调谐参数适用范围广。

    一种基于局域网的小区DMB单频网实现方法

    公开(公告)号:CN109981514B

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN201910122582.3

    申请日:2019-02-19

    Abstract: 本发明公开了一种基于局域网的小区DMB单频网实现方法,所述控制台PC负责DMB传输帧的合成,并通过局域网将传输帧的数据馈送给发射台,传输帧的帧计数值TF_CNT作为时间戳保存在传输帧中,发射台设置数据缓冲池以接收多个传输帧数据;发射台的同步电路根据PPS信号动态调整内部时钟的分频比,实现频率同步;同步电路根据PPS信号和UTC信息,产生传输帧同步脉冲、传输帧更新脉冲和调制符号更新脉冲;同步电路根据传输帧计数器,从数据缓冲池中读出时间戳匹配的传输帧进行调制;调制之后的信号经过上变频和放大后,通过天线进行发射。本发明设计的单频网系统可采用普通局域网进行传输帧馈送,提高了DMB单频网系统的通用性。

    一种异质结注入的沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管

    公开(公告)号:CN113611738A

    公开(公告)日:2021-11-05

    申请号:CN202110914932.7

    申请日:2021-08-10

    Abstract: 本发明涉及一种异质结注入的沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管,属于功率半导体器件领域。该晶体管呈左右对称结构,左半边结构包括P+集电极、N‑漂移区、P‑沟道区、N+发射极衬底、绝缘介质层、栅极金属接触区、集电极金属接触区、发射极金属接触区Ⅰ、发射极金属接触区Ⅱ和Al组分渐变区。本发明基于N+型GaN衬底材料上,采用从上至下为P/N/P/N的沟槽型IGBT垂直器件结构,通过较低掺杂的P+AlGaN集电极层就可以实现P+AlGaN/GaN较高的空穴注入比,同时,还在P+AlGaN/GaN异质结界面处引入x渐变的AlxGa1‑xN渐变层,以减少器件导通压降,提高器件输出电流。

    零吸引惩罚与吸引补偿组合的稀疏LMS方法

    公开(公告)号:CN113037661A

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN202110227578.0

    申请日:2021-03-01

    Abstract: 本发明涉及一种零吸引惩罚与吸引补偿组合的稀疏LMS方法,属于信号处理领域。该方法将零吸引惩罚与吸引补偿相结合,对估计滤波器的系数分成近零系数、小系数与大系数,然后采取不同的吸引方法。在每一次迭代更新中,对于估计滤波器的近零系数,仅用迭代更新公式中的乘积项来计算;对于估计滤波器的大系数,对其进行一种微量的吸引补偿,以加快估计滤波器的系数去逼近信道的大系数的收敛速度;对于估计滤波器的小系数,如果迭代过程中该系数逼近了信道的零系数值或信道的大系数值,则分别按前述针对估计滤波器近零系数和大系数的方法进行处理,否则,对该系数采取一种简单的零吸引惩罚。该方法收敛速度快、复杂度低、调谐参数适用范围广。

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