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公开(公告)号:CN117059673B
公开(公告)日:2024-02-27
申请号:CN202311313707.3
申请日:2023-10-11
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L27/07 , H01L21/329
Abstract: 本申请提供了一种半导体结构、半导体结构的制作方法以及半导体器件,该半导体结构包括:衬底;外延层,位于衬底的表面上;第一注入区,位于外延层中,外延层与第一注入区的掺杂类型不同;第二注入区,位于第一注入区中,外延层与第二注入区的掺杂类型相同;栅极区域,位于外延层的部分表面上,且与第一注入区以及第二注入区分别接触;导电层,覆盖在栅极区域上以及外延层上。本申请解决了现有技术中SiC结势垒肖特基二极管的过流能力较差的问题。
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公开(公告)号:CN117276244A
公开(公告)日:2023-12-22
申请号:CN202311172584.6
申请日:2023-09-11
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L23/48
Abstract: 本公开涉及一种芯片封装结构及电子设备,芯片封装结构包括基板、芯片模块、电极引出模块以及互连层;芯片模块与基板连接,电极引出模块通过互连层与芯片模块和基板连接;电极引出模块为平面结构,且电极引出模块沿基板的厚度方向与芯片模块位于基板的同一侧。本公开利用互连层实现电极引出模块、基板以及芯片模块之间的互连,提升了芯片封装结构连接时的可靠性,避免了相关技术中引线连接的可靠性失效问题,提升了芯片封装结构的性能;另外,电极引出模块为平面结构,并与芯片模块单侧设计,使得芯片封装结构的排布和结构更加灵活和紧凑,提高芯片封装结构与电路板的连接可靠性。
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公开(公告)号:CN117258111A
公开(公告)日:2023-12-22
申请号:CN202311209070.3
申请日:2023-09-18
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海联云科技有限公司
Abstract: 本申请提供的一种助眠方法、装置、电子设备、终端及存储介质,所述方法包括:获取用户处于睡眠状态的眼电数据;基于所述眼电数据,确定所述用户是否进入梦境;在所述用户进入梦境的情况下,基于所述眼电数据,确定所述用户的梦境类型;播放所述梦境类型对应的音乐;能够通过电眼数据确定用户的梦境类型,能够基于梦境类型播放对应的音乐改善用户的睡眠质量。
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公开(公告)号:CN117250461A
公开(公告)日:2023-12-19
申请号:CN202311230016.7
申请日:2023-09-21
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种功率器件测量电路。其中,该功率器件测量电路包括:反向偏置电压施加模块,用于向被测器件施加反向偏置电压;高压分压模块,用于在陪测管开启时承担反向偏置电压,在陪测管关闭时通过控制器控制被测器件导通以对被测器件进行导通电阻测试;测量电路模块,用于在对被测器件进行导通电阻测试时,通过电压测量单元检测被测器件端的电压差,确定电压为被测器件的导通电压;被测器件,与反向偏置电压施加模块、高压分压模块以及测量电路模块连接,在进行反向偏置电压时处于关闭状态,在进行导通电阻测试时处于开启状态。本发明解决了现有技术中在同一电路中对功率器件进行反向偏置后,无法完成功率器件的导通电阻测试的技术问题。
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公开(公告)号:CN116773994B
公开(公告)日:2023-12-01
申请号:CN202311051513.0
申请日:2023-08-21
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种晶圆测试的控制方法、控制装置、存储介质和电子设备。该控制方法包括:在探针卡的探针与晶圆接触的情况下,接收探针台发送的第一启动信号,其中,探针卡中具有气体通道,气体通道连接有阀门,以使得气体通道在阀门开启的情况下输送保护气体;根据第一启动信号控制阀门开启,并对晶圆上的第一待测器件进行晶圆测试;在完成对第一待测器件的晶圆测试的情况下,关闭阀门;通知探针台将晶圆移动至第二待测器件,以使第二待测器件和探针接触,并对第二待测器件进行晶圆测试。通过本申请,减少了保护气体与探针卡的接触时间,使得探针卡上的元器件和探针的温度降低,实现了增加探针的寿命的目的。
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公开(公告)号:CN116959980A
公开(公告)日:2023-10-27
申请号:CN202310909365.5
申请日:2023-07-21
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739 , H01L29/16
Abstract: 本申请提供的一种SIC IGBT的制造方法和SIC IGBT。其中,SIC IGBT的制造方法包括:提供第一导电类型的衬底,衬底具有相对的第一表面和第二表面,在衬底的第一表面形成间隔设置的凹槽;在凹槽内填充第二导电类型的半导体材料,在衬底的第一表面上外延形成第一导电类型的漂移层,漂移层覆盖第二导电类型的半导体材料,在漂移层上外延形成第二导电类型的外延层;从衬底的第二表面开始减薄衬底至露出第二导电类型的半导体材料,在露出的第二导电类型的半导体材料上通过离子注入第一导电类型的离子而形成掺杂区;在掺杂区上形成第一金属层,并在第二导电类型的外延层上形成第二金属层;其中,第一导电类型和第二导电类型不同。本申请提供的SIC IGBT的制造方法,节约了制造成本。
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公开(公告)号:CN113836936B
公开(公告)日:2023-10-13
申请号:CN202111108983.7
申请日:2021-09-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海联云科技有限公司
IPC: G06F40/30 , G06F18/241 , G06N3/04 , G06N3/08
Abstract: 本申请涉及一种语义解析方法、系统、装置、设备及存储介质,其中,所述方法包括:获取预先训练好的至少两个神经网络模型;获取待解析的文本;对于每一个所述神经网络模型,将所述文本输入到所述神经网络模型中进行解析,得到所述神经网络模型针对所述文本的解析结果;从各个所述解析结果中,确定所述文本的最终解析结果。本申请用以解决现有语义解析方法准确度低的问题。
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公开(公告)号:CN116779689A
公开(公告)日:2023-09-19
申请号:CN202311071499.0
申请日:2023-08-24
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/868 , H01L29/45 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供了一种MPS二极管及其制作方法。该MPS二极管包括:半导体基底,包括顺序层叠的半导体衬底、第一外延层和第二外延层,第一外延层的厚度大于第二外延层的厚度,第二外延层的掺杂浓度大于第一外延层的掺杂浓度,且半导体基底具有第一掺杂类型;掺杂区,自第二外延层远离第一外延层的一侧表面延伸至第一外延层中,掺杂区具有第二掺杂类型,第一掺杂类型与第二掺杂类型相反;沟槽结构,自掺杂区远离半导体基底一侧的部分表面延伸至掺杂区中;欧姆接触层,至少覆盖沟槽结构的侧壁和底部。通过本申请,增加了MPS二极管中的欧姆接触层与掺杂区的接触面积,从而能够有效提高器件的抗浪涌能力,使得MPS二极管的性能得到大幅度提升。
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公开(公告)号:CN116692200A
公开(公告)日:2023-09-05
申请号:CN202310885682.8
申请日:2023-07-18
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: B65D19/38
Abstract: 本申请涉及一种托盘组件,托盘组件包括:托盘和提手,包括托盘和提手,所述托盘包括沿厚度方向相背设置的第一放置面和第二放置面;提手可枢转地连接于托盘的外周壁,提手的旋转轴线平行于第一放置面,提手具有第一位置和第二位置,当提手位于第一位置时,提手的远离旋转轴线的一端位于第一放置面的一侧,当提手位于第二位置时,提手的远离旋转轴线的一端位于第二放置面的一侧。根据本申请实施例的托盘组件,通过设置第一放置面和第二放置面,可以提高托盘的利用率。同时,提手的旋转轴线平行于第一放置面和第二放置面,可以使提手相对于第一放置面和第二放置面翻转,进而可以使得提手的灵活度高,可以根据实际需求转动提手来拿取或放置托盘。
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公开(公告)号:CN116166882A
公开(公告)日:2023-05-26
申请号:CN202211672526.5
申请日:2022-12-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海联云科技有限公司
IPC: G06F16/9535 , G06F16/901
Abstract: 本申请实施例涉及一种信息生成方法、装置、电子设备及存储介质,上述方法包括:接收第一控制指令,其中,所述第一控制指令用于启用目标设备的第一功能;基于预先构建的事理图谱和所述第一功能,生成目标推送信息;其中,所述事理图谱表示:目标功能集合中的功能之间的关系;述目标推送信息用于推送所述目标功能集合中的功能;输出所述目标推送信息。由此,可以采用事理图谱和用于启用设备的功能的控制指令,来生成用于推送功能的推送信息。可以通过推送功能,使用户获得设备的使用技巧,提高用户对设备功能的熟悉程度。
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