公开(公告)号：CN107010941A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201710302248.7

申请日：2017-05-02

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  曾卫东 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/462

Abstract: 本发明公开了一种具有巨电致阻变的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，材料配方为：Bi1/2Na1/2Ti0.88(Li1/3W2/3)0.06(Hf1/2In1/2)0.06O3；通过B位与Ti4+离子不同化合价的复合离子(Li1/3W2/3) 13/3+，以及不同化合价复合离子(Hf1/2In1/2)7/2+，严格以1:1的比例，在B位取代Ti4+离子，产生不同带电缺陷类型，形成相邻晶胞缺陷有序排列，产生非空位补偿，而是电子和空穴非平衡补偿型的带电电畴，进而产生纳米级非均匀电子相，结合热处理，因而出现特殊的巨电致阻变行为。产品经实验测量，具有优良的电致阻变性能，ΩHRS/ΩLRS=3.0×103，性能稳定，成本低廉，适合大规模工业生产。

公开(公告)号：CN106747422A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611201063.9

申请日：2016-12-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  赵阳阳 ,  周昌荣 ,  王华 ,  袁昌来 ,  饶光辉

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

CPC classification number: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5116 ,  C04B41/88 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3251 ,  C04B41/4535

Abstract: 本发明公开了一种高储能密度及高电致应变的多功能无铅陶瓷及其制备方法，所述多功能无铅陶瓷组份用化学通式(Bi0.5Na0.5)1‑xBaxTi1‑y(Mg1/3Nb2/3)yO3或Bi0.5(Na1‑uKu)0.5Ti1‑v(Mg1/3Nb2/3)vO3所表示，其中：x、y、u、v表示摩尔分数；0.06≤x≤0.09；0.015≤y≤0.04；0.16≤u≤0.2；0.02≤v≤0.045。这种多功能无铅陶瓷的晶粒细小均匀，致密度高，在室温下电致应变大，储能密度高，介电常数大。该材料不仅克服了铅基材料的环境污染问题，而且在一种材料中实现了多功能化。

公开(公告)号：CN106098420A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610587694.2

申请日：2016-07-25

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨玲 ,  许积文 ,  张小文 ,  刘建一 ,  刘建平

IPC: H01H1/021 ,  H01H11/04 ,  C25D15/00

CPC classification number: H01H1/021 ,  C25D15/00 ,  H01H11/04 ,  H01H11/048

Abstract: 本发明公开了一种电触头表面镀层添加材料及电触头制造方法，所述镀层添加材料由处于缺氧状态且失氧量在0.1%到5%内的多种氧化物粉体混合组成，该多种氧化物粉体是由SnO2、ZnO、In2O3、La2O3、Bi2O3、Y2O3、Sc2O3、CeO2、WO3中的两种或多种组成。在上述添加材料中加入分散剂，以纯水为介质球磨得到固含量为5%到35%的悬浮液；然后将悬浮液加入到含银的电镀液中，得到复合电镀液，采用现有电镀工艺将金属电触头基体在上述复合电镀液中镀上一层表面镀层后制得成品电触头。本发明可以提升电镀时表面镀层中氧化物粉体的含量及均匀性，降低银使用量的同时提高电触头表面镀层抗电弧侵蚀和抑制温升。

公开(公告)号：CN106057506A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610571251.4

申请日：2016-07-19

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨玲 ,  许积文 ,  张小文 ,  刘建一 ,  刘建平

IPC: H01H1/021 ,  H01H11/04 ,  C25D15/00 ,  C25D3/64

CPC classification number: H01H1/021 ,  C25D3/64 ,  C25D15/00 ,  H01H11/04

Abstract: 本发明公开了一种用于电触头表面镀层的添加材料及电触头制造方法。所述添加材料是由Sb掺杂SnO2、Sn掺杂In2O3、CsWO3组成的混合氧化物粉体；所述电触头制造方法：在该添加材料中加入适量分散剂，以纯水为介质球磨得到悬浮液；然后将悬浮液加入到含银的电镀液中，将金属电触头基体在上述复合电镀液中镀上一层银‑氧化物表面镀层。采用本发明制得的电触头(片)具有较高的打弧(较好的抗电弧侵蚀)和温升的抑制能力(抑制温升)。

公开(公告)号：CN104671777B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201510103498.9

申请日：2015-03-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  许积文 ,  袁昌来 ,  黎清宁 ,  曾卫东 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种同时具备高电致应变、高储能密度以及高温稳定介电常数等多功能无铅电子陶瓷材料及其制备方法，成分通式为：(1‑u‑v)(Bi0.5Na0.5)1‑x(Ca0.65Mg0.35)xTiO3‑uBaTiO3‑v(A0.5Ln0.5)Ti1‑yZryO3+0.05(0.5CeO2‑0.4Y2O3‑0.1MnO2)。其中A为一价金属元素，选自Li、Na、K与Ag的一种或两种，Ln为三价金属元素，选自Nd、La、Sm、Eu的一种或两种。x、y、u、v表示摩尔分数，0.001≤x≤0.3；0.001≤y≤0.4；0.02≤u≤0.2；0.08≤v≤0.3。本发明采部分组成采用纳米单晶颗粒BaTiO3粉体作为原料，通过电子陶瓷制备技术制备而成。本发明制备工艺简单、稳定，适合工业推广应用。本发明的多功能无铅电子材料组成是一种绿色环保型陶瓷，电致应变大，储能密度高，介电性能高温性好。

公开(公告)号：CN103400936B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201310324856.X

申请日：2013-07-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  何玉汝 ,  王华 ,  戴培邦

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L27/28 ,  H01L51/00

Abstract: 本发明公开了一种n型半导体有机薄膜及肖特基特性自整流阻变存储器。所述有机薄膜是由甲基丙烯酸甲酯和聚醚酰亚胺组成的共混物制成；所述肖特基特性自整流阻变存储器，包括底电极、沉积于底电极上的阻变层和沉积于阻变层上的上电极，所述底电极是导电薄膜电极，所述阻变层是n型PEI-MMA有机薄膜，所述上电极是金电极、银电极、铂电极、钯电极、铝电极、钛电极或铜电极。本发明不仅保持器件具有较好的双极性存储功能，而且增加了存储器的自整流功能，可避免存储器在三维集成时其1R结构存在的串扰问题，其自整流功能具有肖特基特性，较之pn结自整流阻变存储器，具有肖特基二极管带来的开关速度快，开关损耗小等一切优点，降低了功耗，提高了读写速度。

公开(公告)号：CN104944952A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510301633.0

申请日：2015-06-05

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  周星星 ,  冯琴 ,  杨涛 ,  周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  陈国华

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种具有高储能密度的Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1-xTi1-xRxO3无铅反铁电陶瓷及其制备方法，其中0.02≤x≤0.2，Re为La，Sm，Nd，Gd，Dy，Er，Y中的一种，R为Nb、Ta中的一种。先采用传统粉体合成技术合成Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1-xTi1-xRxO3粉体，然后采用放电等离子烧结（SPS）技术制备Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1-xTi1-xRxO3无铅反铁电陶瓷。本发明制备的具有高储能密度的Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1-xTi1-xRxO3无铅反铁电陶瓷，基于电滞回线计算的储能密度介于0.5~1.5 J/cm3之间。

公开(公告)号：CN104891821A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510220449.3

申请日：2015-05-04

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 王华 ,  韩冬 ,  许积文 ,  张小文 ,  杨玲

IPC: C03C17/22

Abstract: 本发明公开了一种应用不同浓度的前驱液制备多层BiFeO3薄膜的方法，所述方法包括：(1)将Bi(NO3)3·5H2O、Fe(NO3)3·5H2O溶于乙二醇甲醚和乙酸酐混合而成的混合液中，分别配置出高浓度的A前驱液和低浓度的B前驱液。(2)在基片上旋涂A前驱液或B前驱液，并将其烘烤、冷却，得到单层BiFeO3薄膜。(3)在单层BiFeO3薄膜上再旋涂B前驱液或A前驱液，并将其烘烤、冷却，得到双层BiFeO3薄膜。(4)根据厚度需要交替旋涂A前驱液或B前驱液并烘烤、冷却，得到多层BiFeO3薄膜。本发明通过高、低浓度层交替搭配来提高薄膜的致密性进而降低薄膜的漏电流，提高薄膜的铁电性能，而且可以保证薄膜的制备效率。

公开(公告)号：CN104681730A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201510065767.7

申请日：2015-02-09

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 张小文 ,  莫炳杰 ,  陈国华 ,  许积文 ,  王华

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种具有梯度结构空穴注入传输体系的紫外有机电致发光器件，包括衬底层、阳极层、发光层、电子传输层、电子注入层、反射金属阴极层，其特征是，还包括梯度结构空穴注入传输体系层，所述衬底层、阳极层、梯度结构空穴注入传输体系层、发光层、电子传输层、电子注入层、反射金属阴极层顺序叠接为一体，从阳极层由正向负连接反射金属阴极层构成外电路。这种器件梯度结构空穴注入传输体系有效地促进了空穴的注入和传输，增加了发光层中空穴的数量，促进了空穴-电子的平衡性，因而有更多的空穴与电子在发光层中复合产生近紫外光发射，提高了紫外OLED器件的辐照度和发光效率。本发明同时公开了这种器件的制备方法。

公开(公告)号：CN104671778A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201510103530.3

申请日：2015-03-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高场致应变、高储能密度无铅陶瓷介质材料，成分以通式[(Bi0.95La0.05)0.5Na0.5]1-x-y(Bi0.5K0.5)x(Ba0.85Sr0.10Mg0.05)yTi1-u-vCu(A1/2B1/2)vO3来表示，其中A为三价金属元素，选自Al、Fe、Cr、Mn、Co、Y、与Ga的一种或两种，B为五价金属元素，选自Nb、Sb、Ta与V的一种或两种，C为四价金属元素，选自Zr、Mn、Hf与Sn的一种。x、y、u、v表示摩尔分数，0.005≤x≤0.2，0.005≤y≤0.2，x+y≤0.3，0.005≤u≤0.3，0.005≤v≤0.3，u+v≤0.4。本发明采用冷等静压成型，可获得均匀致密的陶瓷组织。本发明制备工艺简单、稳定，适合工业推广应用。本发明的高场致应变、高储能陶瓷具有优异的储能密度、储能效率及高场应变，储能密度可达1.2J/cm3，储能效率可达59%，高场应变可达0.28%，环境友好、损耗低、实用性好。