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公开(公告)号：CN109983375A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201780068209.3
申请日：2017-11-14
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G02B5/30 , G02B5/26 , G02F1/1335 , G02F1/13363
Abstract: 偏光薄膜在厚度方向一侧依次具备：第1透明树脂薄膜、红外线反射层和偏光件，红外线反射层依次具备：第1无机氧化物层、金属层和第2无机氧化物层。
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公开(公告)号：CN105659198B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201580002254.X
申请日：2015-03-11
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 透明导电性薄膜(1)依次具备透明基材(2)、第1光学调整层(4)、无机物层(5)和透明导电层(6)。第1光学调整层(4)具有比透明基材(2)的折射率nA更低的折射率nC，并且具有10nm以上且35nm以下的厚度TC。无机物层(5)具有比第1光学调整层(4)的折射率nC乘以1.13得到的值的绝对值|nC×1.13|更低的折射率nD。
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公开(公告)号：CN107615157A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680029550.3
申请日：2016-05-18
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 调光薄膜(1)在高分子薄膜基材(10)上依次具备：状态在基于氢化的透明状态与基于脱氢化的反射状态之间可逆地变化的调光层(30)、以及促进调光层中的氢化及脱氢化的催化剂层(40)。调光层(30)在通过X射线光电子能谱法测定的元素浓度的膜厚方向分布中，在催化剂层(40)侧以10nm以上的厚度具有氧含量不足50原子％的调光区域(32)，在高分子薄膜基材(10)侧具有氧含量为50原子％以上的氧化区域(31)。
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公开(公告)号：CN107533880A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201580078944.3
申请日：2015-10-30
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 实现一种耐擦伤性高、在短时间内完成透明导电层的结晶化的透明导电性薄膜。在透明的基材薄膜(11)上依次层叠有硬涂层(12)、光学调整层(13)和透明导电层(14)的透明导电性薄膜(10)。硬涂层(12)的厚度为250nm～2000nm，光学调整层(13)的厚度是硬涂层的厚度的2％～10％。透明导电层(14)的结晶化例如通过140℃、30分钟的热处理来完成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106653161A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201710150655.0
申请日：2013-01-04
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明涉及一种导电性膜及导电性膜卷。提供一种导电性膜，所述导电性膜在卷成卷状时邻接的膜没有压接而能够维持高品质。导电性膜(1)具备膜基材(2)，形成在该膜基材的一侧的透明导电体层(3)，形成在透明导电体层(3)的与膜基材(2)相反侧的铜层(4)，形成在膜基材(2)的另一侧的透明导电体层(5)，形成在透明导电体层(5)的与膜基材(2)相反侧的铜层(6)，形成在铜层(4)的与透明导电体层(3)相反侧、含有氧化亚铜的厚度为1nm～15nm的氧化被膜层(7)。
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公开(公告)号：CN106460153A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580022929.7
申请日：2015-04-28
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种实现透明导电层的低电阻特性的透明导电性膜。本发明是具备高分子膜基材、和形成于所述高分子膜基材的至少一个面侧的透明导电层的透明导电膜，在所述高分子膜基材与所述透明导电层之间，具备利用真空成膜法形成的无机底涂层，所述透明导电层中的碳原子的存在原子量为3×1020原子/cm3以下。
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公开(公告)号：CN106062888A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580011395.8
申请日：2015-11-27
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 实现一种即使为了提高耐擦伤性而包含干式光学调整层，透明导电层也具有适当的蚀刻速度的透明导电性薄膜。在透明的薄膜基材(11)的主表面依次层叠有光学调整层(12)和透明导电层(13)的透明导电性薄膜(10)。光学调整层(12)包含含有无机氧化物的干式光学调整层。透明导电层(13)包含含有铟的金属氧化物。透明导电层(13)为结晶质，且至少具有对应于(400)面、(440)面的X射线衍射峰，将(400)面的X射线衍射峰强度设为I400、将(440)面的X射线衍射峰强度设为I440时，X射线衍射峰强度之比I440/I400为1.0～2.2的范围。
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公开(公告)号：CN103578609B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310346726.6
申请日：2013-08-09
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G06F3/044 , B32B7/12 , B32B9/00 , B32B15/04 , B32B15/20 , B32B27/06 , B32B27/325 , B32B2255/06 , B32B2255/205 , B32B2307/202 , B32B2457/00 , B32B2457/208 , C22C9/00 , C22C14/00 , C22C32/001 , C23C14/086 , C23C14/562 , Y10T428/24959 , Y10T428/24967 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供一种导电性膜，是宽度方向的表面电阻值的偏差少，膜特性良好的导电性膜。导电性膜（1），顺次具有长条状膜基材（2），铟系氧化物层（3），金属层（4），氧化金属层（5）。长条状膜基材（2），具有长度方向和与之垂直的宽度方向，该长条状膜基材的宽度方向尺寸为1m以上。氧化金属层（5），是溅射成膜的厚度1nm～15nm的层。
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公开(公告)号：CN105302358A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510303423.5
申请日：2015-06-04
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供透明导电性薄膜，其透明性和处理性良好、且电阻率更小。透明导电性薄膜(1)至少依次具有聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(2)、固化层(3)、无机硅氧化物层(4)及铟-锡氧化物层(5)。聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(2)的厚度为40μm～130μm。并且固化层(3)在该固化层内具备多个无机颗粒(3b)。固化层(3)的厚度(dA)与无机硅氧化物层(4)的厚度(dB)的总和为300nm以上并且不足3000nm。无机硅氧化物层(4)的厚度超过15nm，铟-锡氧化物层(5)的厚度为15nm以上并且50nm以下，且其表面的中心线平均粗糙度Ra为0.1nm以上并且不足2nm。
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