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公开(公告)号:CN101186502A
公开(公告)日:2008-05-28
申请号:CN200710179577.3
申请日:2007-12-14
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法,属于功能材料领域。该材料的化学组成式可表示为(1-x)(Li0.06Na0.52K0.42)NbO3+xRO,其中0≤x≤0.02,RO为金属氧化物。严格控制烧结温度和升温速率,采用两步烧结法制备铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料,第一步以30℃/min升温到850~950℃,第二步以10℃/min升温到1050~1150℃,保温2~10min,然后以20℃/min降至950~1050℃,保温10~20h,随后降至室温。得到新型压电陶瓷材料。其压电常数d33较传统烧结工艺提高10~20%。
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公开(公告)号:CN100383275C
公开(公告)日:2008-04-23
申请号:CN200510011554.2
申请日:2005-04-11
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明供了一种金银纳米颗粒分散氧化物光学薄膜制备方法,属于金属纳米颗粒与无机非金属材料复合材料技术领域。在溅射设备内同时安装Au、Ag和氧化物三个溅射靶,在每个溅射靶和基板前分别设置遮板,通过对金属和氧化物的沉积速度的单独控制,制备出具有纳米层状特征的金银纯金属纳米颗粒分散氧化物复合薄膜;具体步骤为:先制备Au或Ag纳米颗粒单层膜,再沉积氧化物膜,然后沉积Au或Ag纳米颗粒单层膜,之后再沉积一层氧化物膜。按上述顺序交替沉积,制成具有层状结构的金银纯金属纳米颗粒分散氧化物薄膜。其优点在于:具有优良的非线形光学特性。
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公开(公告)号:CN100379892C
公开(公告)日:2008-04-09
申请号:CN200510011734.0
申请日:2005-05-18
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种铜金纳米颗粒分散氧化物光学薄膜制备方法。在溅射设备内同时安装Cu、Au和氧化物三个溅射靶,在每个溅射靶和基板前分别设置遮板,通过对金属和氧化物的沉积参数溅射靶的功率、氩气流量的单独控制,制备出具有纳米层状特征的铜金纯金属纳米颗粒分散氧化物复合薄膜;具体步骤为:先制备Cu或Au纳米颗粒单层膜,再沉积氧化物膜,然后沉积Cu或Au纳米颗粒单层膜,之后再沉积一层氧化物膜。按上述顺序交替沉积,制成具有层状结构的铜金纯金属纳米颗粒分散氧化物薄膜。其优点在于:此种铜金纳米颗粒分散氧化物层状薄膜中,铜金两种纳米颗粒以纯金属状态而不是以合金的状态存在,在特定的波长处可观察到两个吸收峰,具有优良的非线形光学特性。
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公开(公告)号:CN100351409C
公开(公告)日:2007-11-28
申请号:CN200510130794.4
申请日:2005-12-30
Abstract: 本发明公开了一种纳米SiC/Bi2Te3基热电材料的制备方法,属于能源材料技术领域。以高纯Bi粉、Te粉和纳米SiC为原料,通过机械合金化合成Bi2Te3化合物微细粉末,再利用放电等离子烧结工艺将掺杂纳米SiC颗粒的Bi2Te3前驱微细粉烧结成块体。工艺步骤包括:配置原料、机械合金化、放电等离子烧结、样品检测。本发明的优点在于:工艺简便,合成化合物时间短,烧结温度低、时间短,可获得细小、均匀的组织,能获得高致密度、高机械性能、高热电性能的热电材料。
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公开(公告)号:CN1807666A
公开(公告)日:2006-07-26
申请号:CN200510130794.4
申请日:2005-12-30
Abstract: 本发明公开了一种纳米SiC/Bi2Te3基热电材料的制备方法,属于能源材料技术领域。以高纯Bi粉、Te粉和纳米SiC为原料,通过机械合金化合成Bi2Te3化合物微细粉末,再利用放电等离子烧结工艺将掺杂纳米SiC颗粒的Bi2Te3前驱微细粉烧结成块体。工艺步骤包括:配置原料、机械合金化、放电等离子烧结、样品检测。本发明的优点在于:工艺简便,合成化合物时间短,烧结温度低、时间短,可获得细小、均匀的组织,能获得高致密度、高机械性能、高热电性能的热电材料。
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公开(公告)号:CN1699273A
公开(公告)日:2005-11-23
申请号:CN200510011664.9
申请日:2005-04-29
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/28 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种锂钛共掺杂氧化镍基陶瓷薄膜及其制备方法,属于氧化物陶瓷薄膜材料技术领域,适用于介电薄膜材料。本发明的陶瓷薄膜化学式为:LixTiyNi1-x-yO,其中:x为0.05~0.5,y为0.02~0.2。采用溶胶-凝胶法制备前驱体溶液,使用匀胶机制备薄膜,其价格低廉,锂钛共掺杂氧化镍基陶瓷薄膜材料是一种新型的无铅电介质薄膜材料,性能稳定。锂钛共掺杂氧化镍陶瓷薄膜材料具有高的介电常数,频率为1000Hz,ε>100,适合各种高介电常数薄膜器件的要求,在电介质领域,可用于制造薄膜电容器和动态随即存取存储器DRAM。
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