公开(公告)号：CN101872798B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN201010183403.6

申请日：2010-05-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘宗顺 ,  赵德刚 ,  朱建军 ,  张书明 ,  王辉 ,  江德生 ,  杨辉

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种紫外红外双色探测器及制作方法。该紫外红外双色探测器包括：一衬底，在该衬底上进行紫外红外双色探测器用材料结构的生长；一缓冲层，生长在衬底之上；一第一n型欧姆接触层，生长在缓冲层之上，用于欧姆接触；由相互交替生长的第一本征层与重掺杂n型层构成的多周期层；一第二n型欧姆接触层，生长在多周期层之上，部分区域作为n型欧姆接触电极用；一禁带宽度为Eg3的本征层，生长在第二n型欧姆接触层之上，且Eg3≤Eg2；一透明电极，形成于禁带宽度为Eg3的本征层之上；一上电极，形成于透明电极上一小区域；一中电极，形成于第二n型欧姆接触层的电极窗口；以及一下电极，形成于第一n型欧姆接触层的电极窗口。

公开(公告)号：CN100576663C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200710064384.3

申请日：2007-03-14

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张书明 ,  刘宗顺 ,  杨辉

IPC: H01S5/024

Abstract: 一种制做氮化镓基激光器倒装用热沉的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上蒸镀一层绝缘介质膜；步骤3：用光刻和腐蚀的方法将部分绝缘介质膜去掉，以用于制作激光器倒装的P型焊接电极；步骤4：在保留有绝缘介质膜的区域和去掉绝缘介质膜的区域蒸镀金属层；步骤5：在金属层的区域接着蒸镀金属焊料层，这层金属焊料层不是完全覆盖下面的金属层，而是留出部分区域用于激光器管芯倒装后电极引线的连接；步骤6：将样片分割成单个氮化镓基激光器倒装用的热沉。

公开(公告)号：CN101267087A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200710064384.3

申请日：2007-03-14

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张书明 ,  刘宗顺 ,  杨辉

IPC: H01S5/024

Abstract: 一种制做氮化镓基激光器倒装用热沉的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上蒸镀一层绝缘介质膜；步骤3：用光刻和腐蚀的方法将部分绝缘介质膜去掉，以用于制作激光器倒装的P型焊接电极；步骤4：在保留有绝缘介质膜的区域和去掉绝缘介质膜的区域蒸镀金属层；步骤5：在金属层的区域接着蒸镀金属焊料层，这层金属焊料层不是完全覆盖下面的金属层，而是留出部分区域用于激光器管芯倒装后电极引线的连接；步骤6：将样片分割成单个氮化镓基激光器倒装用的热沉。

公开(公告)号：CN216794241U

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202122839916.4

申请日：2021-11-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 侯玉菲 ,  赵德刚 ,  梁锋 ,  杨静 ,  陈平 ,  刘宗顺

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/30

Abstract: 本公开提供了一种提高空穴注入的氮化镓基激光器，包括P型电极和N型电极，还包括：第一限制层，设置于所述P型电极和所述N型电极之间，用于限制光场；多量子阱，设置于所述第一限制层与所述N型电极之间，用于使电子和空穴在此处发生辐射复合发光；空穴存储层，设置于所述第一限制层与所述多量子阱之间，用于作为空穴发射器，为多量子阱提供更多空穴，并改善空穴从P型电极向多量子阱的注入效率。本实用新型设置空穴存储层不仅能作为空穴发射器为量子阱提供空穴，还缩短了部分空穴向量子阱传输的距离，通过调控能带，降低了电子阻挡层处的空穴有效势垒高度，更多的空穴注入到量子阱中，提高了量子阱发光的均匀性，改善了氮化镓基激光器的光电特性。