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公开(公告)号：CN104030638A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410270927.7
申请日：2014-06-16
Applicant: 西南交通大学 , 中铁八局集团第四工程有限公司
Inventor： 曾晓辉 , 张峰 , 许涛 , 赵勇 , 冉华 , 杨波 , 苏伟 , 邓利平 , 张勇 , 陈杭东 , 胡剑华 , 徐军 , 徐荣贵 , 胡宗锋 , 黎建波 , 韩青东 , 李固华
Abstract: 一种板式无砟轨道用橡胶弹性自密实混凝土，以显著提高自密实混凝土抗压强度，并使之具有良好的吸振、减振能力，可用于CRTSⅢ型板式无砟轨道结构中轨道板与底板间的填充物，也可用于道岔结构中道岔板与底板间的填充物。各组分所占重量份为：水泥：100份，橡胶粉：4～10，矿物掺合料：30～60份，细骨料：250～300份，粗骨料：250～300，玄武岩纤维1～2，膨胀剂：5～15份，减水剂：1.0～2.0份，流变助剂：0.01～0.05份，消泡剂：0.001份，水：40～60份；其中，橡胶颗粒细度为30～50目，表面预先用聚乙烯醇和硅烷偶联剂进行处理。
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公开(公告)号：CN102412341B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201110348538.8
申请日：2011-11-07
Applicant: 西南交通大学 , 成都欣源光伏科技有限公司
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种含Cu量分层变化的铜铟镓硒薄膜的磁控溅射制备方法，其做法是：将CuIn0.7Ga0.3Se2靶材，交替进行低功率密度溅射和高功率密度溅射，交替次数至少为一次；每次交替中均先进行低功率密度溅射形成一层含Cu量高的沉积层，后进行高功率密度溅射形成含Cu量低的沉积层；最后在真空中热处理形成含Cu量分层变化的CIGS光吸收层薄膜。该法可以方便的制备出所需要的Cu含量分层变化的铜铟镓硒薄膜，制备时只需一个靶材，制备方法简单，对设备要求低，工艺稳定；且制备的薄膜各层的成分均匀性好，薄膜质量高。
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公开(公告)号：CN102863216B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210318961.8
申请日：2012-09-03
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种化学溶液动态制备RexCe1-xOy缓冲层长带的方法，其具体作法是：a、湿膜的制备：按稀土与铈的离子比配制硝酸盐混合物，并将其溶解在高分子有机溶剂中合成胶体。将胶体装入储液筒内，将基带安置在牵引带上，由步进电机带动前进，胶体由上置步进电机带动下压通过狭缝涂覆口涂覆于基带上，形成湿膜；b、干膜的制备：将涂覆好的湿膜通过恒温红外干燥区域，形成干膜；c、分解成相：将干膜通过长带气氛多区控温炉,在各温区H2/Ar还原气氛充足的保护下，通过350oC－520oC分解区，然后通过1000oC－1200oC结晶区，最后通过降温区，随炉冷却，即可制得涂层导体RexCe1-xOy缓冲层长带。该方法制备工艺与物理法相比简单易行、成本低、不污染环境，可获得任意长度临界厚度达到150-200nm的RexCe1-xOy缓冲层长带。
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公开(公告)号：CN102701728B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201210149549.8
申请日：2012-05-15
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/453
Abstract: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体的Gd1-xPbxBiO3缓冲层及其制备方法，对高温超导涂层导体GdBiO3缓冲层进行Gd的Pb的替代后，将使GdBiO3缓冲层元素环境和晶格参数产生微调，从而调整GdBiO3缓冲层与REBCO超导层的晶格失配情况，得到一系列新的高温超导涂层导体的缓冲层Gd1-xPbxBiO3，其中0.1≤x≤0.2。此外，该缓冲层能在810℃左右空气中外延生长，其结构致密并且表面平整。并在随后的高温超导涂层导体的超导层的制备过程中保持结构的稳定。公开了Gd1-xPbxBiO3缓冲层的制备方法，该方法采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备，成本低廉，适合大规模沉积等优点。
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公开(公告)号：CN102851655A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210318922.8
申请日：2012-09-03
Applicant: 西南交通大学
IPC: C23C20/08
Abstract: 本发明提供一种化学溶液沉积制备Gd2Zr2O7缓冲层的方法，其具体作法是：a、Gd2Zr2O7前驱溶液的制备：将适量的Gd(NO3)3.6H2O和ZrO(NO3)3.2H2O按照离子浓度Gd+3：Zr+4为1：1溶于羟乙基甲基醚中，加入氧化聚乙烯20000调节溶液的黏度，获得前驱溶液；b、湿膜的制备:将前驱溶液均匀涂覆在织构基带上，获得湿膜；c、干膜的制备:将湿膜进入干燥设备，去除薄膜中水份；d、分解成相:然后放入通有H2/Ar还原气氛的热处理炉内，先以1℃/min-5℃/min速率升温至350℃－600℃，让有机物和硝酸盐充分分解，后直接升温至成相高温区1100℃－1200℃，保温0.5－2小时，获得Gd2Zr2O7薄膜。该采用化学方法硝酸盐体系制作Gd2Zr2O7缓冲层成本低廉、工艺简单、操作容易控制、不污染环境，有利于大规模工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102543311A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210042888.6
申请日：2012-02-23
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 一种Nb3Al/Nb多芯复合超导线材的制备方法，其步骤是：按Nb3Al的化学计量比称取Nb箔和Al箔；将Nb箔、Al箔重叠并缠绕在Nb棒上，再将其装入Nb管中，然后拉拔成0.8-1mm的细线，得单芯线材；将单芯线材截成等长的多段后，整齐的装入Nb管中，并在Nb管的中轴线上放置一根与等长的Nb棒；然后将Nb管拉拔、轧制成直径1-2.5mm的圆形或扁形的线材，即得多芯线材；将制得的多芯线材截成10cm的短线材，利用脉冲电源在真空条件下对短线材进行0.05-0.2秒的1900-2100℃的高温处理，即得。该法制备周期短、效率高；制得线材整体连接紧密、均匀性好、无分离现象；不存杂质相，超导性能优良。
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公开(公告)号：CN102496645A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110426453.7
申请日：2011-12-19
Applicant: 西南交通大学 , 成都欣源光伏科技有限公司
IPC: H01L31/068 , H01L31/032 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0322 , Y02E10/541
Abstract: 一种铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池，由透明电极层、ZnO窗口层、Cu1+x(In0.7-yGa0.3+y)Se2-z薄膜构成的n型CIGS光吸收层、Cu1-m(In0.7-nGa0.3+n)Se2+p薄膜构成的p型CIGS光吸收层、n型CIGS光吸收层和p型CIGS光吸收层之间界面载流子复合形成的CIGS自掺杂同质p-n结及衬底构成。该种太阳能电池的结构简单，制备容易、工艺稳定性和重复性好，成本低；且其光电转换效率高。
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公开(公告)号：CN102412015A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110341295.5
申请日：2011-11-02
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01B12/06
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 本发明公开了一种高温超导涂层导体的结构，包括有NiW合金基带，NiO和SmBiO3构成的符合缓冲层以及YBCO超导层。本发明的结构SmBiO3缓冲层为西南交通大学自己开发的具有潜在重大应用价值的REBiO3系列缓冲层材料的进一步实用化进步之一，本发明的高温超导涂层导体结构，其NiO缓冲层可采用成本低，工艺简单，易得良好品质的自氧化外延制备的方法制备；在NiO缓冲层上生长SmBiO3缓冲层的制备中可采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备，具有成本低廉，适合大规模沉积等优点。另一方面Ni基合金/NiO/SmBiO3/YBCO为打破国外其他涂层导体结构的工艺制备的保护与封锁起到重要的积极作用，并为我国的第二代高温超导涂层导体的研究与应用化进程起到积极的推动作用。
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公开(公告)号：CN102133563A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201110049633.8
申请日：2011-03-02
Applicant: 西南交通大学
IPC: B05C1/04
Abstract: 本发明公开了一种无氟化学溶液沉积法动态连续制备高温超导带材设备，主要包括连续涂覆装置（4）、连续干燥装置（6）、连续热处理炉（9）、放卷装置（1）和收卷装置（10）,其特征在于,所述的放卷装置（1）、收卷装置（10）由伺服电机驱动;连续涂覆装置（4）内的狭缝模出口（17）下方设置一带材（3）导向轮（5）；连续干燥装置（6）后设置一带材（3）导向轮（8）。本发明可实现带材在连续涂覆装置、连续干燥装置和连续热处理炉之间的连续运动，从而达到动态连续制备带材的目的。本发明设备使得生产工艺可在非真空条件下进行且无需配套排氟设施，成本低廉、工艺简单，适合于工业化生产。
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公开(公告)号：CN102122549A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201110020772.8
申请日：2011-01-18
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明提供了一种葡萄糖在制备掺杂二硼化镁超导材料中的用途，涉及高温超导材料制备技术领域。其作法是：按摩尔比1∶2-2.1分别称量镁粉和硼粉；再按镁粉和硼粉的总质量与葡萄糖的质量比1∶0.03-0.1称量葡萄糖，将镁粉、硼粉和葡萄糖的粉末均匀混合成混合粉末，然后在氩气气氛保护下进行烧结，烧结的温度为800℃-900℃、保温时间0.5-2个小时，即得一种以葡萄糖为碳源的掺杂二硼化镁的超导材料。利用该法制备的二硼化镁超导材料，临界电流密度显著提高，尤其是在高磁场下临界电流密很高，有利于其在高磁场下的应用，实用性强。
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