公开(公告)号：CN211907442U

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN202020490239.2

申请日：2020-04-07

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 赵保星 ,  时宝 ,  魏青竹 ,  倪志春 ,  连维飞 ,  符欣

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20

Abstract: 本实用新型公开了一种正面无电极的太阳能电池片及其制备方法，简化了制备工艺且太阳能电池片具有较高的转换效率。该太阳能电池片，包括：P型硅基体；氧化物膜，其形成于所述P型硅基体的背面之上；多晶/非晶硅层，其形成于所述氧化物膜之上；背面钝化层，其形成于所述多晶/非晶硅层之上；N型掺杂氮化硅层，其形成于所述背面钝化层之上；P型电极；及N型电极；其中，P型硅基体具有重掺杂P型区域，P型电极依次穿过所述N型掺杂氮化硅层、所述背面钝化层、所述多晶/非晶硅层及所述氧化物膜以和所述P型硅基体的所述重掺杂P型区域形成欧姆接触，N型电极依次透过所述N型掺杂氮化硅层及所述背面钝化层以和所述多晶/非晶硅层形成欧姆接触。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN209880634U

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201920820909.X

申请日：2019-06-02

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 胡党平 ,  连维飞 ,  魏青竹 ,  倪志春 ,  苗凤秀 ,  霍亭亭

IPC: H01L31/049 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: 本实用新型提供一种太阳能电池背面钝化结构，背面钝化结构设置于所述太阳能电池的硅片衬底背面；背面钝化结构包括叠层钝化介质层；具体包括自所述背面的表面依次向外设置的第一氧化硅膜层、氧化铝钝化膜层、第一氮化硅减反射层、第二氧化硅膜层，本实用新型通过在硅片衬底与氧化铝之间引入氧化硅，有利于增强氧化铝固定负电荷，增强了氧化铝的场钝化和化学钝化效果；而氧化铝层叠加高折射率氮化硅，和高折射率氮化硅上的低折射率膜层设计提升钝化效果，同时光学上也能降低光的反射率，从而有效提升电池的转换效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN209267534U

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201822251172.2

申请日：2018-12-29

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 连维飞 ,  张树德 ,  李怡洁 ,  魏青竹 ,  倪志春

IPC: H02S50/15

Abstract: 本实用新型涉及电池光衰测试系统，具体涉及一种双面电池光衰测试系统。包括上灯架、下灯架、透明玻璃平台、测试样品、支架座、控制箱和升降调节机构，所述支架座的外侧上方通过升降调节机构滑动安装有所述上灯架，所述上灯架的顶部一体式连接有上灯板，所述上灯板上安装有多个上灯管，所述支架座的内侧下方通过升降调节机构滑动安装有所述下灯架，所述下灯架的顶部一体式连接有下灯板，所述下灯板上安装有多个下灯管。本实用新型摆放测试样品的平台采用透明玻璃平台，能使测试样品上下表面均接收光照，样品可以正面朝上，或背面朝上，适用于多种测试方案。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN209216991U

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201822099171.0

申请日：2018-12-13

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 ,  南京航空航天大学

Inventor： 张树德 ,  魏青竹 ,  倪志春 ,  钱洪强 ,  连维飞 ,  胡党平 ,  王泽辉

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/068

Abstract: 本实用新型公开了一种基于钝化接触的浮动结背面钝化晶硅电池，该晶硅电池包括p型硅基体、位于p型硅基体背面的隧穿氧化层、位于隧穿氧化层背面的n型多晶硅层，隧穿氧化层与n型多晶硅层构成浮动结，浮动结的预设位置处设置有开孔，还包括：位于n型多晶硅层背面且通过开孔与裸露出来的p型硅基体相接触的金属电极；设置在n型多晶硅层与金属电极之间、及开孔内的第一介质层。本申请公开的上述技术方案，由于隧穿氧化层和n型多晶硅均可承受制备金属电极时的高温而不发生变化，且不会因高温而遭到破坏，因此，则可以减少高温烧结过程对浮动结所带来的影响，从而可以提高浮动结对晶硅电池的钝化效果。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN206834184U

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201720824034.1

申请日：2017-07-10

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 ,  江苏中利集团股份有限公司

Inventor： 倪志春 ,  魏青竹 ,  陆俊宇 ,  易辉 ,  连维飞 ,  周海龙 ,  孟思霖

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/05

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本实用新型公开了一种无主栅的太阳能电池片及光伏组件，可减少电池片遮光面积，优化了电流的传输路径，提高短路电流，同时可减少电池片的串联电阻，提升电池片转换效率，并很大程度的提升了太阳能电池的产品质量。一种无主栅的太阳能电池片，包括具有正面和背面的基片、形成于所述基片正面上的正面电极，所述正面电极由设于所述基片正面上的多个细栅构成，所述太阳能电池片还包括用于将各细栅收集的电流汇集并传输的多列焊带，每列所述焊带分别通过一列设于所述基片正面的焊点连接在所述基片正面上，且每个所述细栅至少和其中一列所述焊带相互接触而导通。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN216819743U

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202122437894.9

申请日：2021-10-11

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 ,  常熟理工学院

Inventor： 张树德 ,  刘玉申 ,  况亚伟 ,  连维飞 ,  倪志春

IPC: H02S10/10 ,  H02N1/04

Abstract: 本实用新型提供一种具有光伏发电和摩擦发电功能的装置，包括太阳能电池，太阳能电池包括位于其上层的第一透明导电薄膜，装置还包括能够允许光线透过且能够弯曲变形的摩擦层及第二透明导电薄膜，摩擦层位于第一透明导电薄膜的上方，第二透明导电薄膜覆于摩擦层的上表面，装置具有第一状态和第二状态，在第一状态时，摩擦层弯曲并和第一透明导电薄膜接触；在第二状态时，摩擦层脱离第一透明导电薄膜。本实用新型的一种具有光伏发电和摩擦发电功能的装置在晴天和雨天均能够发电，能够充分利用雨滴的动能，且具有较高的发电功率。

公开(公告)号：CN214254436U

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN202022912771.1

申请日：2020-12-08

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 ,  常熟理工学院

Inventor： 张树德 ,  魏青竹 ,  刘玉申 ,  况亚伟 ,  赵保星 ,  缪乾 ,  符欣 ,  连维飞 ,  倪志春

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224

Abstract: 本实用新型公开了一种太阳能电池片。该太阳能电池片包括：P型硅片；P型轻掺杂层，其形成于所述P型硅片的正面上，所述P型硅片的局部上开设有槽，所述槽延伸至所述P型硅片的正面而使所述P型硅片的局部表面露出；P型重掺杂部，其形成于所述P型硅片的位于所述槽内的表面上；正面介质层，其形成于所述P型轻掺杂层上；正面电极，其形成于所述P型重掺杂部上；背面介质层，其形成于所述P型硅片的背面之上；及背面电极，其穿过所述背面介质层。本实用新型可以降低载流子的传输损耗，提升填充因子FF。

公开(公告)号：CN213013168U

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202021598849.0

申请日：2020-08-04

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 张树德 ,  魏青竹 ,  倪志春 ,  时宝 ,  钱洪强 ,  连维飞

IPC: C30B31/16 ,  C30B29/06 ,  H01L31/18 ,  H01L31/028 ,  H01L31/06

Abstract: 本申请公开了一种扩散炉，包括扩散炉本体，所述扩散炉本体的两侧分别为炉门和炉尾，所述扩散炉本体的位于所述炉尾一侧底部的内侧面位置开设有容纳延伸管的孔，所述延伸管的一端连接至进气管道，另一端位于所述扩散炉本体内部的靠近所述炉门的位置，且所述扩散炉本体炉尾的出口依次连接至出气管道和抽真空装置。本申请提供的上述扩散炉，能够避免炉口累积酸液产生腐蚀，提高石英管的使用寿命，降低保养的频率，避免积液进入真空泵造成损坏，提高真空泵的使用寿命。

公开(公告)号：CN212323018U

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN202022112261.6

申请日：2020-09-23

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 赵保星 ,  魏青竹 ,  倪志春 ,  张树德 ,  符欣 ,  连维飞

IPC: H01L31/078 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0216

Abstract: 本实用新型公开了一种叠层电池结构，包括顶电池单元、底电池单元以及位于所述顶电池单元与所述底电池单元之间的中间层；所述中间层构造为p+/n+双层晶硅薄膜组成的隧穿结；所述顶电池单元包括在自远离至靠近所述中间层方向上依次层叠设置的电子传输层、钙钛矿光敏层、空穴传输层和在所述电子传输层上设有的正面电极；所述底电池单元为PERC太阳能电池。本实用新型通过采用纳米硅隧穿结结构可以获得良好的钙钛矿电池性能。该结构叠层电池结构光电转换效率高。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN211789034U

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202020490147.4

申请日：2020-04-07

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 赵保星 ,  时宝 ,  魏青竹 ,  倪志春 ,  连维飞 ,  符欣

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20

Abstract: 本实用新型公开了一种基于钝化接触的太阳能电池片法，其制备工艺较为简单。一种基于钝化接触的太阳能电池片，包括硅基体，所述太阳能电池片还包括：第一钝化层，其形成于所述硅基体的正面之上；第一多晶/非晶硅层，其形成于所述正面钝化层之上；第一掺杂氮化硅层，其形成于所述第一多晶/非晶硅层之上；第二钝化层，其形成于所述硅基体的背面之上；第二多晶/非晶硅层，其形成于所述第二钝化层之上；及第二掺杂氮化硅层，其形成于所述第二多晶/非晶硅层之上；其中，所述第一掺杂氮化硅层和所述第二掺杂氮化硅层中的一者为P型掺杂氮化硅层，另一者为N型掺杂氮化硅层。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利