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公开(公告)号：CN103474543A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201210185679.7
申请日：2012-06-07
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01L33/44
CPC classification number: H01L33/58 , H01L33/0091 , H01L33/04 , H01L33/22 , H01L33/44
Abstract: 本发明涉及一种发光二极管，其包括：第一半导体层、活性层以及第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面，且所述第一半导体层靠近基底设置，所述第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二电极与所述第二半导体层电连接，进一步包括：一第一光学对称层设置于第二半导体层远离活性层的表面；一金属等离子体产生层设置于所述第一光学对称层远离活性层的表面；一第二光学对称层设置于所述金属等离子体产生层远离活性层的表面;所述第二光学对称层的等效折射率n1，与所述基底、第一半导体层、一活性层、一第二半导体层以及第二光学对称层的等效折射率n2的差值∆n大于等于0小于等于0.5，其中∆n=|n1-n2|。
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公开(公告)号：CN103474533A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201210185718.3
申请日：2012-06-07
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种发光二极管，其包括：一基底、一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层、一第一电极以及一第二电极，所述第一半导体层、活性层以及第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面，且所述第一半导体层靠近基底设置，所述第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二电极与所述第二半导体层电连接，其中，所述发光二极管进一步包括一金属陶瓷层设置于所述第二半导体层远离基底的表面并接触。本发明发光二极管光取出效率较高。
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公开(公告)号：CN103474521A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201210185685.2
申请日：2012-06-07
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/0079 , H01L33/24 , H01L33/44 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明涉及一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一外延生长面；在基底的外延生长面依次外延生长一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；在所述第二半导体层远离基底的表面设置一第一光学对称层；在所述第一光学对称层远离基底的表面设置一金属等离子体产生层；在所述金属等离子体产生层远离基底的表面形成一第二光学对称层；去除所述基底，暴露出所述第一半导体层远离活性层的表面；设置一第一电极覆盖所述第一半导体层暴露的表面；以及设置一第二电极与第二半导体层电连接。
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公开(公告)号：CN101672981B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200810216087.0
申请日：2008-09-12
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: G02B27/0012 , G02B6/0043 , G02B6/0065
Abstract: 一导光板设计方法包括：提供一导光板，该导光板包括一入光面及与入光面相对的出光面；获得该导光板出光面的光照度分布；通过及|E(rn)-E0|＝nΔE确定导光板入光面及出光面的环形区域，其中，E为导光板出光面的光照度，且E＝E(ρ，θ)，ρ，θ分别为以导光板入光面或出光面的中心为原点的极坐标系的极径和极角，a为预定的环数，a与n为正整数，且1≤n≤a，rn为导光板入光面或出光面的环形区域的第n个圆环的半径，Emax以及Emin分别为出光面光照度的最大值及最小值，E(rn)为导光板出光面ρ＝rn时的光照度值，E0为导光板出光面中心的光照度；以及获得导光板入光面各环形区域网点数量，采用正态分布随机函数在入光面各环形区域内多次随机分布所述网点，获得具有高光照度均匀性的网点分布。本发明还提供导光板的制造方法。
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公开(公告)号：CN101430277B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200710124285.X
申请日：2007-11-07
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: G01N21/41
CPC classification number: G01N21/41 , B82Y20/00 , G01N21/774 , G01N21/7746 , G01N2021/7776 , G02B6/1225
Abstract: 一种气体折射率传感器，包括一光子晶体模块、光源和探测器，光源与探测器分别设置于光子晶体模块的两端，该光子晶体模块包括一基体，该基体包括第一平面及与第一平面相对的第二平面，该基体上有垂直贯穿于第一平面和第二平面大量的气孔，该气孔构成一三角型光子晶体模块，其中位于该基体中心位置的气孔的直径小于其它气孔的直径形成一谐振腔，其中，该谐振腔相对的两侧为由未设置气孔的基体构成的线缺陷，该线缺陷分别为第一波导与第二波导，该第一波导与第二波导分别与该谐振腔之间相隔数个孔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101750666A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810218231.4
申请日：2008-12-05
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: G02B6/00 , F21V8/00 , G02F1/13357
CPC classification number: G02B6/0061 , G02B6/0043 , G02B6/0058
Abstract: 一种导光板，该导光板包括一入光面；一出光面，该出光面与该入光面相交；一底面，该底面与该出光面相对，该底面设置有多个网点；以及一侧面，该侧面与该出光面及该底面相交。在邻近该导光板入光面的底面，该网点呈圆弧状分布，该圆弧具有同一圆心且朝向该导光板的入光面，在远离该导光板入光面的底面，该网点呈行或列分布，该网点所在行或列平行于该导光板的侧面。另外，本发明还提供一使用该导光板的背光模组。
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公开(公告)号：CN101424822A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200710124245.5
申请日：2007-11-02
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: G02F1/13357 , G02B6/00 , G02B27/14 , G02B1/10
CPC classification number: G02F1/133603
Abstract: 一种背光模组，其包括一导光板及至少一个混光器，该导光板包括一底面、与该底面相对的出光面以及连接所述底面和出光面的侧面；该混光器包括至少两个光源。其中，所述导光板进一步包括至少一反射部，所述反射部为设置于导光板的底面且凹入导光板内部的凹洞；所述混光器与所述反射部对应设置。所述混光器还包括至少两个聚光反射装置；所述至少两个聚光反射装置分别具有第一焦点和第二焦点，所述至少两个聚光反射装置之间共第一焦点设置，所述至少两个光源分别对应设置于至少两个聚光反射装置的第二焦点上，上述混光器还包括一公共出光面，该公共出光面经过第一焦点且与反射部相对设置。
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公开(公告)号：CN1333258C
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200410009261.6
申请日：2004-06-25
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种基于自混合干涉效应的多普勒测速仪，属于激光测量领域。该测速仪由光源，测量部分和信号处理3个部分组成。其系统光源使用的是双频激光器，并且自混合干涉系统的测量部分即系统外腔放置了一块四分之一波片，该波片快轴方向与两偏振光的偏振方向分别夹45°角，这样光束在外腔行进一个来回，其偏振方向将变为原先的垂直方向。对于本套自混合干涉测速仪，当没有多普勒频移时，激光器的功率谱上将只有一条谱线，而当多普勒频移存在时，功率谱上的原先谱线将变为两条，两条谱线对应拍频信号的差值的正负代表速度的方向，两谱线间的距离可以换算成速度的大小。本发明所设计的自混合干涉测速仪是一种结构紧凑简单，性价比高，并且易于实现速度方向识别的测速装置。
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公开(公告)号：CN1258691C
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200310103051.9
申请日：2003-10-31
Applicant: 清华大学
IPC: G02B27/28 , G02B5/30 , G02B5/18 , G02F1/1335 , G03B21/14
Abstract: 一种反射式液晶显示光机，属于光学仪器领域。本发明公开了一种对比度高、结构简单、成本低的反射式液晶显示光机，包括光源组件，分/合光系统和投影镜头，分/合光系统包括起偏器、两个宽波带波片、偏振分光器件、镀有双色分光膜的平面分色镜、检偏器及可分别调制红、绿、蓝三色光的三个反射式液晶；从光源组件出射进入分/合光系统的偏振光经起偏器、第一宽波带波片进入偏振分光器件，从偏振分光器件反射的一路光束入射到第一反射式液晶上，从偏振分光器件透射的另一路光束经分色镜分光后，分别入射到另外两个反射式液晶上；经过三个反射式液晶调制后的反射光束沿原光路返回，经偏振分光器件、第二宽波带波片和检偏器投射到投影镜头。
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公开(公告)号：CN1233086C
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN03156438.0
申请日：2003-08-29
Applicant: 清华大学
IPC: H02M3/07
Abstract: 一种电荷泵电路属于模拟集成电路设计技术领域，尤其涉及非易失性存储器中高压电荷泵电路系统的设计。其特征是，它在时钟产生模块和耦合电容之间连接一个耦合电容控制器，其控制信号来自比较器输出端；它含有两个传输门，比较器输出端分别通过两个倒相器连接两个传输门PMOS管栅极，比较器输出端直接连接两个传输门NMOS管栅极；两个传输门输入端分别连接两相时钟信号，两个输出端分别交替连接电荷泵的耦合电容。还采用了耦合电容分离法，使电荷泵不会处于停止状态，在输出高压超过预值后仍具有一定驱动能力，使高压输出端电压值下降不会太快，以保持输出端电压稳定。本发明能够大大降低电荷泵的功耗，并能得到高精度的输出高压。
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