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公开(公告)号：CN207010648U
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201720984075.7
申请日：2017-08-08
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种应用于锁相环的电荷泵电路，由主电荷泵模块、补偿电荷泵模块和控制模块组成。主电荷泵模块和补偿电荷泵模块的结构相同，并呈镜像地设置在控制模块的输入端侧和输出端侧。其中主电荷泵模块由运算放大器OP1和MOS管M1-M8构成；MOS管M1的源极接电源VDD，MOS管M1的漏极接MOS管M3源极；补偿电荷泵模块由MOS管M9-M16的MOS管和运算放大器OP2构成。本实用新型即保留了传统电荷泵较宽的电压输出范围及较高的充放电电流匹配度，同时又减小了由于沟道长度调制的影响所产生的充放电电流相对于理想电流的偏离。本实用新型结构简单，易于集成，适合高性能要求的锁相环应用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206481286U
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201720181595.4
申请日：2017-02-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03L7/02 , H03K17/687 , H03H11/04
Abstract: 本实用新型公开一种频带间隔均匀的宽带压控振荡器，由电感电容谐振电路和开关电容阵列电路组成。开关电容阵列电路包括两段线性逼近开关电容阵列和数字逻辑控制电路。采用两段线性逼近电容阵列替代传统的二进制权重电容阵列，根据控制码的变化利用数字逻辑控制电路调整两段线性逼近开关电容阵列接入谐振回路的开关电容的大小，使得各相邻频带的调谐曲线间隔趋于均匀，即可以减小各个频带调谐曲线间隔的差异性，提高均匀性，通过降低频带间隔值即降低调谐增益以实现改善频率合成器相位噪声的目的。
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公开(公告)号：CN206379929U
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201720059766.6
申请日：2017-01-17
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种增益自适应误差放大器，包括电平偏移电路、运算跨导放大电路和比较电路。电平偏移电路使运算跨导放大电路的输入电平满足正常工作要求；运算跨导放大电路利用双极三极管作为差分对管，并利用MOS管共源结构电流镜为其差分对管提供电流偏置以降低功耗，以保证提供更大的增益；比较电路利用反馈结构控制比较电路输出摆率，从而输出运算跨导放大电路的控制信号；限幅电路对运算跨导放大电路输出电压进行限幅。本实用新型降低了负载电流稳定应用中的电源输出纹波，从而降低了系统功耗，但同时对负载瞬态特性影响很小。
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公开(公告)号：CN206294132U
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201621335875.8
申请日：2016-12-07
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种低功耗低噪声电流反馈型仪表放大器，由输入预处理电路I0、运算跨导放大电路I1和电容反馈网络I2组成；所述运算跨导放大电路I1包括输入跨导支路和反馈跨导支路；在晶体管长度相同的情况下，输入跨导差分晶体管对即PMOS晶体管PM10和PMOS晶体管PM11的宽长比是反馈跨导差分晶体管对即PMOS晶体管PM12和PM13的宽长比的N倍，且偏置晶体管对即PMOS晶体管PM14宽长比是PMOS晶体管PM15的宽长比的N倍；上述N大于1。本实用新型通过等比例缩小反馈跨导晶体管支路的电流及其晶体管的宽长比，来降低电流反馈型仪表放大器的功耗与噪声。
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公开(公告)号：CN205620849U
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201620429118.0
申请日：2016-05-12
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本实用新型提供一种全CMOS基准电压源，属于电压源技术领域，包括启动电路、基准电流产生电路和基准电压产生电路；启动电路的输出端分别与基准电流产生电路和基准电压产生电路连接；基准电流产生电路的输出端与基准电压产生电路连接；基准电压产生电路的输出端为该基准电压源的输出端；启动电路和基准电流产生电路同时接电源VDD，启动电路、基准电流产生电路和基准电压产生电路同时接地GND。本实用新型仅为纳瓦量级、且未使用电阻、BJT和二极管，不仅能消除温度变化的影响，还能与标准CMOS工艺完全兼容，同时具有功耗极低、高电源抑制比高、性能好的特点，有效降低了系统成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN205375264U
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201620048845.2
申请日：2016-01-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本实用新型公开了一种无Bipolar晶体管的CMOS基准电压源，包括并接于电源VDD与地GND之间的启动电路、CTAT电压产生电路、PTAT电压产生电路和电流叠加电路；其中，启动电路的输出端与CTAT电压产生电路连接，用于在电源上电时，使基准电压源摆脱简并偏置点；CTAT电压产生电路的输出端与电流叠加电路连接；PTAT电压产生电路的输出端与电流叠加电路连接；电流叠加电路用于将CTAT电压产生电路和PTAT电压产生电路中产生的电流进行叠加，得到一个具有零温漂的电流源，电流源经一有源支路产生基准电压Vref。采用上述组成的CMOS基准电压源，未使用BJT和二极管，不仅能消除温度变化的影响，还能与标准CMOS工艺完全兼容、有效降低了系统成本，并具有功耗极低、高电源抑制比高、性能好的特点。
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公开(公告)号：CN204990061U
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201520708966.0
申请日：2015-09-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本实用新型公开一种消除体效应的带隙基准源，包括启动电路，纳安量级基准电流产生电路，温度补偿电路和电流镜。利用工作在亚阈值区MOS工作特性，产生纳安量级的基准电流，采用共源共栅电流镜，抑制电源噪声，采用源极耦合差分对代替传统带隙电压源中所采用的电阻和Bipolar晶体管，消除体效应的影响，采用MOS的栅源电压具有负温度系数与MOS管的栅源电压差具有正温度系数相互调节的方法，得到一个零温漂的参考电压。
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公开(公告)号：CN218240762U
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202222801043.2
申请日：2022-10-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本实用新型公开一种高精度全CMOS曲率补偿基准电压源，PTAT电流参考电路和CTAT电流参考电路分别产生与温度正相关的参考电流IP和与温度负相关的参考电流IN。温度补偿电路将参考电流IN和IP分别以不同倍数作和，得到温度依赖性低的初始基准电流IREF1。曲率补偿电路将参考电流IN和IP进行不同比例缩放，并根据基尔霍夫电流定律，通过两个相反温度系数电流的比较，得到一个凹型曲线的补偿电流IV。基准电压输出电路将初始基准电流IREF1和补偿电流IV按适当权重相加，得到温度依赖性更小的最终基准电流IREF，最后通过电压产生电路输出低温漂系数的基准电压VREF。本实用新型输出的基准电压温漂低、电源抑制比高、电压调整率低；并具有功耗和生产成本低的特点。
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公开(公告)号：CN213693674U
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202023079781.8
申请日：2020-12-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03M1/12 , H03M1/06 , H03M1/10 , H03K17/16 , H03K17/687
Abstract: 本实用新型公开一种应用于超低功耗模数转换器的栅压自举开关电路，采用单相时钟SP，在采样时通过第一级自举电路和辅助级自举电路将采样MOS管MS的栅极电压置为Vin+2VDD，从而使得采样MOS管MS的栅极‑源极电压差在采样阶段恒定为2VDD，采样管的导通电阻进一步变小，使线性度提高，采样开关电路的精度也有所提高；基于提出的两级自举电路，采用第六NMOS管M6和第七NMOS管M7串联作为采样MOS管MS的衬底开关，当处于采样模式时，采样MOS管MS的栅极电位与衬底电位保持一致，减小采样MOS管MS的衬偏效应，降低谐波失真。
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公开(公告)号：CN212435678U
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202021448729.2
申请日：2020-07-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03M1/38
Abstract: 本实用新型公开一种有源‑无源噪声整形逐次逼近ADC，包括DAC电容阵列DAC1和DAC2、有源‑无源噪声整形模块(包括无源积分器PINT1和正反馈有源‑无源积分器APINT2)、六输入比较器COMP、逐次逼近逻辑模块SAR、时钟生成模块CKG、基准电压生成模块BGVG。本实用新型在有源‑无源噪声整形模块中使用最简单的MOS晶体管共源级结构，使低增益有源放大器和正反馈相结合，仅消耗几十微瓦便可获得良好的噪声整形特性，能在传统逐次逼近ADC基础上提升有效位数超过5位。该实用新型可用于低功耗、高精度的模数转换场景，例如生物医学信号采集，高精度仪表设计等领域，具有良好的应用前景。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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