公开(公告)号：CN106411269A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201611115802.2

申请日：2016-12-07

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 徐卫林 ,  李春龙 ,  韦保林 ,  韦雪明 ,  段吉海

IPC: H03F1/26 ,  H03F1/34 ,  H03F3/45

CPC classification number: H03F1/26 ,  H03F1/342 ,  H03F3/45381 ,  H03F2200/372

Abstract: 本发明公开一种低功耗低噪声电流反馈型仪表放大器，由输入预处理电路I0、运算跨导放大电路I1和电容反馈网络I2组成；所述运算跨导放大电路I1包括输入跨导支路和反馈跨导支路；在晶体管长度相同的情况下，输入跨导差分晶体管对即PMOS晶体管PM10和PMOS晶体管PM11的宽长比是反馈跨导差分晶体管对即PMOS晶体管PM12和PM13的宽长比的N倍，且偏置晶体管对即PMOS晶体管PM14宽长比是PMOS晶体管PM15的宽长比的N倍；上述N大于1。本发明通过等比例缩小反馈跨导晶体管支路的电流及其晶体管的宽长比，来降低电流反馈型仪表放大器的功耗与噪声。

公开(公告)号：CN106411269B

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN201611115802.2

申请日：2016-12-07

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 徐卫林 ,  李春龙 ,  韦保林 ,  韦雪明 ,  段吉海

IPC: H03F1/26 ,  H03F1/34 ,  H03F3/45

Abstract: 本发明公开一种低功耗低噪声电流反馈型仪表放大器，由输入预处理电路I0、运算跨导放大电路I1和电容反馈网络I2组成；所述运算跨导放大电路I1包括输入跨导支路和反馈跨导支路；在晶体管长度相同的情况下，输入跨导差分晶体管对即PMOS晶体管PM10和PMOS晶体管PM11的宽长比是反馈跨导差分晶体管对即PMOS晶体管PM12和PM13的宽长比的N倍，且偏置晶体管对即PMOS晶体管PM14宽长比是PMOS晶体管PM15的宽长比的N倍；上述N大于1。本发明通过等比例缩小反馈跨导晶体管支路的电流及其晶体管的宽长比，来降低电流反馈型仪表放大器的功耗与噪声。

公开(公告)号：CN206294132U

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201621335875.8

申请日：2016-12-07

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 徐卫林 ,  李春龙 ,  韦保林 ,  韦雪明 ,  段吉海

IPC: H03F1/26 ,  H03F1/34 ,  H03F3/45

Abstract: 本实用新型公开一种低功耗低噪声电流反馈型仪表放大器，由输入预处理电路I0、运算跨导放大电路I1和电容反馈网络I2组成；所述运算跨导放大电路I1包括输入跨导支路和反馈跨导支路；在晶体管长度相同的情况下，输入跨导差分晶体管对即PMOS晶体管PM10和PMOS晶体管PM11的宽长比是反馈跨导差分晶体管对即PMOS晶体管PM12和PM13的宽长比的N倍，且偏置晶体管对即PMOS晶体管PM14宽长比是PMOS晶体管PM15的宽长比的N倍；上述N大于1。本实用新型通过等比例缩小反馈跨导晶体管支路的电流及其晶体管的宽长比，来降低电流反馈型仪表放大器的功耗与噪声。