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公开(公告)号：CN101671029A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910073009.4
申请日：2009-09-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B33/14
Abstract: 常压干燥制备SiO 2 气凝胶的方法，它涉及一种SiO 2 气凝胶的制备方法。本发明克服了超临界干燥制备SiO 2 气凝胶方法存在设备复杂、生产成本高、危险性高的缺点，以及现有常压干燥工艺不易得到完整的SiO 2 气凝胶块体的缺点。本发明的SiO 2 气凝胶制备方法如下：经溶胶凝胶、老化、溶剂置换、表面修饰、清洗以及干燥处理后得到SiO 2 气凝胶。本方法具有成本低、对设备要求不高、安全性好等特点。本发明方法制备的SiO 2 气凝胶块体质地均匀、完整性好，气孔率在90％～95％，憎水，热导率低。
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公开(公告)号：CN101434488A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810209685.5
申请日：2008-12-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/63 , C04B35/622
Abstract: 本发明提出一种以磷酸盐为烧结助剂的氮化硅基复合陶瓷及制备方法，它是一种将磷酸盐引入氮化硅，并通过冷压后无压烧结的方法得到的氮化硅基复合陶瓷，包括氮化硅粉体和磷酸盐粉体，磷酸盐粉体包括磷酸钙或磷酸铝，其质量占总质量的10～20％，原料的纯度均在99％以上，粒径在1～20μm。制备方法为：首先将氮化硅粉体和磷酸盐粉体按照质量比8∶2～9∶1配比混合，原料的纯度均在99％以上，粒径在1～20μm，其次是混合粉末的预压成型和冷等静压处理，最后对其进行无压烧结，其中，磷酸盐粉体为磷酸钙或磷酸铝，其质量占总质量的10～20％。本发明具有成本低，工艺简单，制成效率高等优点，而且还具有可以制备复杂形状构件的特点，适于制造航天防热等核心零部件。
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公开(公告)号：CN116969774B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202310984549.8
申请日：2023-08-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/58 , C04B35/195 , C04B35/622
Abstract: 一种高温耐烧蚀的短切碳纤维增强SiBCN‑MAS复合材料的制备方法，它涉及SiBCN陶瓷基复合材料的制备方法。本发明要解决现有碳纤维或裂解碳涂层碳纤维增强SiBCN陶瓷基复合材料存在触面结合力差，且高温耐烧蚀性提升程度有限的问题。方法：一、制备裂解碳涂层短切碳纤维；二、制备SiBCN非晶陶瓷粉末；三、混合原料；四、烧结。本发明用于高温耐烧蚀的短切碳纤维增强SiBCN‑MAS复合材料的制备。
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公开(公告)号：CN117430427A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311358221.1
申请日：2023-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/5835 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 一种耐高温低介电损耗SiBCN复相陶瓷的制备方法，它涉及SiBCN复相陶瓷的制备方法。本发明要解决现有SiBCN陶瓷难以制备得到致密的块体陶瓷，且其介电常数和介电损耗相对较高的问题。方法：一、浆料制备；二、先驱体浆料固化；三、陶瓷热解；四、热处理。本发明用于耐高温低介电损耗SiBCN复相陶瓷的制备。
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公开(公告)号：CN115979864A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211492800.0
申请日：2022-11-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高温往复式摩擦磨损测试设备及测试方法，它涉及一种摩擦磨损测试设备及测试方法。本发明为了解决现有设备存在无法夹持一些异形件和灵活应对不同形状尺寸试样或摩擦副的问题。本发明的水平往复机构(1)水平安装在壳体(6)上，加热机构(2)内嵌在壳体(6)上，高温夹具(5)安装在加热机构(2)内，竖直加载机构(3)位于高温夹具(5)的正上方，且竖直加载机构(3)的加载杆(39)夹持工件后向摩擦副施加压力，在水平往复机构(1)的协同作用下实现工件在摩擦副上的测试。调节偏心轴：安装试样和摩擦副：炉体升温：试验加载力控制：往复摩擦试验：实验数据分析：高温摩擦磨损实验结束。本发明用于摩擦磨损测试。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110171973B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201910502477.2
申请日：2019-06-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/52 , C04B35/626 , C01B32/198 , B33Y70/00 , B33Y10/00 , H01B13/00
Abstract: 一种3D打印耐高温石墨烯基导电结构的方法，本发明涉及一种3D打印导电结构的方法。解决现有石墨烯基电极浆料固相含量低、成型后会收缩变形导致结构难以维持设计形状与精度的问题。制备方法：一、制备氧化石墨烯；二、制备氧化石墨烯/石墨3D打印浆料；三、氧化石墨烯/石墨3D打印成型；四、3D打印氧化石墨烯/石墨高温还原。本发明用于3D打印耐高温石墨烯基导电结构。
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公开(公告)号：CN111196726B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202010025977.4
申请日：2020-01-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种SiBCN‑Ta4HfC5复相陶瓷及其制备方法，所述制备方法包括：制备Ta4HfC5单相纳米晶粉体；将所述Ta4HfC5单相纳米晶粉体、六方氮化硼、立方硅粉和石墨混合后进行高能球磨，得到非晶‑纳米晶复合粉体；将所述非晶‑纳米晶复合粉体进行烧结，即制得SiBCN‑Ta4HfC5复相陶瓷。本发明通过两步机械合金化将Ta4HfC5作为添加相引入SiBCN系列陶瓷中，超高温相Ta4HfC5以纳米晶的形式均匀分散于非晶的SiBCN基体当中，提高了复相陶瓷的力学和耐高温性能，使其在可在更高的温度下服役。
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公开(公告)号：CN112958765B
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202110211177.6
申请日：2021-02-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种激光辅助复杂曲面异形结构共形3D打印的方法，本发明涉及一种曲面异形结构共形3D打印的方法。针对现有直接书写式等接触式3D打印技术难以实现复杂非展开曲面结构表面的共形制造，打印线宽精度低的问题。方法：一、称取；二、制备激光固化浆料；三、涂覆；四、激光器与基板的固定；五、3D激光打印；六、清洗；七、烧结。本发明用于激光辅助复杂曲面异形结构共形3D打印。
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公开(公告)号：CN110483070B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201910872252.6
申请日：2019-09-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/628 , C04B35/80 , C04B35/622 , C04B35/58
Abstract: 本发明提供了一种短切SiC纤维的复合涂层、SiBCN陶瓷复合材料及制备方法，涉及陶瓷复合材料领域，短切SiC纤维的复合涂层的制备方法，包括以下步骤：SiC纤维预处理步骤：将SiC纤维进行热处理、分散酸洗和过滤干燥，从而得到预处理后的纤维；非晶C涂层的制备步骤：称取银粉，将所述银粉压制成银片，将所述银片放置具有双层结构的石墨坩埚内，并裁剪所需孔大小的石墨纸，用所述石墨纸将石墨坩埚的上下两层隔开，然后将SiC纤维放置在所述石墨纸中间；将装有所述银片、石墨纸和SiC纤维的石墨坩埚放置在热压炉中进行热处理，得到非晶C涂层改性的SiC纤维。本发明所述的短切SiC纤维的复合涂层的制备方法，周期短、产率高、安全环保，适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN109761623B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201910202328.4
申请日：2019-03-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/597 , C04B35/622 , C04B35/626 , B33Y70/10 , B33Y10/00
Abstract: 无有机沉积相3D打印氮氧化硅墨水的制备方法及其应用，涉及一种3D打印氮氧化硅墨水的制备方法及其应用。为了现有3D打印墨水中含有大量有机沉积相导致的排胶后在陶瓷坯体内部会留下气孔、变形或开裂等缺陷的问题。制备：将氮化硅、二氧化硅和烧结助剂混合，球磨、干燥和筛选得到混合粉体，然后加入四乙二醇二甲醚和正己醇，机械搅拌，即完成。上述无有机沉积相3D打印氮氧化硅墨水在3D打印制备陶瓷构件中的应用。本发明无有机沉积相3D打印氮氧化硅墨水中的四二乙醇二甲醚和正己醇仅需通过养护和干燥便能去除，不需要排胶处理，避免了陶瓷坯体排胶后坯体内部缺陷的产生。本发明适用于制备3D打印氮氧化硅墨水和应用。
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